一种基于MOS管电流检测的集成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及集成电路技术领域，公开了一种安全性较高且过流信号处理及时的基于MOS管电流检测的集成电路，包括第一三极管、第二三极管、光电耦合器、二极管、第三三极管及第四三极管，其中，第三三极管的基极耦接于二极管的阳极，第三三极管的集电极与光电耦合器的信号输出端连接；第四三极管的发射极分别与第一三极管的发射极、第二三极管的发射极及MOS管的栅极连接；当电路发生短路时，电压信号通过二极管控制第三三极管及第四三极管导通，使得MOS管栅极电压下降，进而关闭MOS管。

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS管电流检测的集成电路
本技术涉及集成电路
，更具体地说，涉及一种基于MOS管电流检测的集成电路。
技术介绍
功率MOS管具有低导通电阻，低亚阈值电压的特性，功率MOS管能够减小控制电路的功率损耗，提高电源转换器的工作频率。目前，控制电路输出驱动脉冲信号触发功率MOS管工作时，在功率MOS管导通期间，由于续流二极管反向恢复电流峰值，当控制电路发生短路时，功率MOS管的漏极电压大于预设值，检测单元未能及时反馈检测信号，导致控制电路未能及时停止输出脉冲信号，长时间使用时，导致功率MOS管被尖峰电流击穿。因此，如何避免功率MOS管被尖峰电流击穿成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述当控制电路发生短路时，检测单元未能及时反馈检测信号，导致控制电路未能及时停止输出脉冲信号而造成功率MOS管被尖峰电流击穿的缺陷，提供一种安全性较高且过流信号处理及时的基于MOS管电流检测的集成电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种基于MOS管电流检本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MOS管电流检测的集成电路，其特征在于，具备：/n第一三极管，其配置于集成电路内，其基极与微控制器的脉冲信号输出端连接；/n第二三极管，其基极与所述微控制器的脉冲信号输出端连接；/n光电耦合器，其一信号输入端与电源端连接；/n二极管，其阴极与MOS管的漏极连接，用于获取所述MOS管的电压信号；/n第三三极管，其基极耦接于所述二极管的阳极，所述第三三极管的集电极与所述光电耦合器的信号输出端连接；/n第四三极管，其基极与所述电源端连接，所述第四三极管的发射极分别与所述第一三极管的发射极、所述第二三极管的发射极及所述MOS管的栅极连接；/n当电路发生短路时，所述电压信号通过所述二极管控制...

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS管电流检测的集成电路，其特征在于，具备：
第一三极管，其配置于集成电路内，其基极与微控制器的脉冲信号输出端连接；
第二三极管，其基极与所述微控制器的脉冲信号输出端连接；
光电耦合器，其一信号输入端与电源端连接；
二极管，其阴极与MOS管的漏极连接，用于获取所述MOS管的电压信号；
第三三极管，其基极耦接于所述二极管的阳极，所述第三三极管的集电极与所述光电耦合器的信号输出端连接；
第四三极管，其基极与所述电源端连接，所述第四三极管的发射极分别与所述第一三极管的发射极、所述第二三极管的发射极及所述MOS管的栅极连接；
当电路发生短路时，所述电压信号通过所述二极管控制所述第三三极管及所述第四三极管导通，使得所述MOS管栅极电压下降，进而关闭所述MOS管。


2.根据权利要求1所述的基于MOS管电流检测的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘传伟，
申请(专利权)人：深圳市晶诚微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44