一种逆变驱动电路及变频装置制造方法及图纸

技术编号:29042502 阅读:22 留言:0更新日期:2021-06-26 05:52
本实用新型专利技术提供一种逆变驱动电路及变频装置,所述逆变驱动电路包括:逆变模块,包括上桥臂开关管和下桥臂开关管;负压驱动模块,与所述逆变模块连接,包括上桥臂驱动单元和下桥臂驱动单元;所述下桥臂驱动单元的驱动地与所述下桥臂开关管的发射极连接;所述负压驱动模块包括导通驱动电阻和关断驱动电阻,且所述关断驱动电阻大于所述导通驱动电阻;所述导通驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接;所述关断驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接。本实用新型专利技术提供一种低成本的逆变驱动电路结构,可以有效减小下桥开关管驱动信号上的共模干扰,并减小了母线电容到上桥臂寄生电感的尖峰电压。

【技术实现步骤摘要】
一种逆变驱动电路及变频装置
本技术属于逆变电路的
,涉及一种逆变电路结构,特别是涉及一种逆变驱动电路及变频装置。
技术介绍
目前,在暖通空调及制冷等诸多变频器应用领域中,变频器拓扑核心器件一般为智能功率模块,即IPM(IntelligentPowerModule,智能功率模块)。IPM应用成熟且有诸多优点,不仅把功率开关管和驱动电路集成在一起,而且还内部集成有过欠压,过电流和过温等异常检测电路。因集成度高及保护充分,设计方便、开发周期缩短,而且器件一致性及可靠性高,便于生产,产品应用的不良率极低。然而,在大功率变频器应用中,虽然IPM在电气性能,安装生产等方面优点突出,但在价格和通用性方面与单管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)组成的逆变桥相比仍存在劣势,例如,于实际生产中,生产的6只75A单管对比其同规格IPM,其价格要便宜一半甚至更多。通用性差主要体现在各大厂家的IPM封装多有差异,且周边配置电路也略有不同,而各大厂家的单管IGBT封装基本都一致,且拓扑基本相同。一旦出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种逆变驱动电路,其特征在于,所述逆变驱动电路包括:/n逆变模块,包括上桥臂开关管和下桥臂开关管;/n负压驱动模块,与所述逆变模块连接,包括上桥臂驱动单元和下桥臂驱动单元;所述下桥臂驱动单元的驱动地与所述下桥臂开关管的发射极连接;/n所述负压驱动模块包括导通驱动电阻和关断驱动电阻,且所述关断驱动电阻大于所述导通驱动电阻;所述导通驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接;所述关断驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种逆变驱动电路,其特征在于,所述逆变驱动电路包括:
逆变模块,包括上桥臂开关管和下桥臂开关管;
负压驱动模块,与所述逆变模块连接,包括上桥臂驱动单元和下桥臂驱动单元;所述下桥臂驱动单元的驱动地与所述下桥臂开关管的发射极连接;
所述负压驱动模块包括导通驱动电阻和关断驱动电阻,且所述关断驱动电阻大于所述导通驱动电阻;所述导通驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接;所述关断驱动电阻与所述上桥臂开关管的基极、下桥臂开关管的基极连接。


2.根据权利要求1所述的逆变驱动电路,其特征在于,所述上桥臂开关管包括第一上桥臂开关管、第二上桥臂开关管和第三上桥臂开关管;所述下桥臂开关管包括第一下桥臂开关管、第二下桥臂开关管和第三下桥臂开关管;所述逆变模块还包括第一采样电阻、第二采样电阻和第三采样电阻;
所述第一上桥臂开关管的集电极、第二上桥臂开关管的集电极和第三上桥臂开关管的集电极均与逆变电源正极连接;
所述第一采样电阻的一端、第二采样电阻的一端和第三采样电阻的一端均与地连接;所述地与所述驱动地进行隔离设置;
所述第一上桥臂开关管的发射极与第一下桥臂开关管的集电极连接,所述第二上桥臂开关管的发射极与第二下桥臂开关管的集电极连接,所述第三上桥臂开关管的发射极与第三下桥臂开关管的集电极连接;
所述第一下桥臂开关管的发射极与所述第一采样电阻的另一端连接,所述第二下桥臂开关管的发射极与所述第二采样电阻的另一端连接,所述第三下桥臂开关管的发射极与所述第三采样电阻的另一端连接。


3.根据权利要求2所述的逆变驱动电路,其特征在于,所述下桥臂驱动单元包括U相下管驱动单元、V相下管驱动单元和W相下管驱动单元;
所述U相下管驱动单元的驱动信号输出端与所述第一下桥臂开关管的基极连接;所述U相下管驱动单元的驱动地与所述第一下桥臂开关管的发射极连接;
所述V相下管驱动单元的驱动信号输出端与所述第二下桥臂开关管的基极连接;所述V相下管驱动单元的驱动地与所述第二下桥臂开关管的发射极连接;
所述W相下管...

【专利技术属性】
技术研发人员:王立军潘渊王孜风
申请(专利权)人:上海儒竞智控技术有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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