半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体封装结构，包括：封装件，包括位于封装件内的芯片；热电制冷片，位于封装件的上表面上且设置有复数个通孔；以及复数个连接件，连接封装件与热电制冷片，其中，热电制冷片具有位于对应芯片的位置处的第一部分，第一部分具有比其他部分更厚的厚度或密度更高的通孔数量。本发明专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以提高半导体封装结构的散热性。封装结构的散热性。封装结构的散热性。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在传统的封装结构中，芯片运作产生的高温会导致在封装结构的中心和边缘处发生温度分布的差异，存在的温度差异导致封装结构发生翘曲、变形或接合不良等问题，严重者更导致整体电子装置的断路，且封装结构的尺寸越大或负载越高，此问题则会越严重。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以提高半导体封装结构的散热性。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体封装结构，包括：封装件，包括位于封装件内的芯片；热电制冷片，位于封装件的上表面上且设置有复数个通孔；以及复数个连接件，连接封装件与热电制冷片，其中，热电制冷片具有位于对应芯片的位置处的第一部分，第一部分具有比其他部分更厚的厚度或密度更高的通孔数量。
[0005]在一些实施例中，热电制冷片中的通孔的直径朝向封装件逐渐变小。
[0006]在一些实施例中，热电制冷片由介电层和再分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：封装件，包括位于所述封装件内的芯片；热电制冷片，位于所述封装件的上表面上且设置有复数个通孔；以及复数个连接件，连接所述封装件与所述热电制冷片，其中，所述热电制冷片具有位于对应所述芯片的位置处的第一部分，所述第一部分具有比其他部分更厚的厚度或密度更高的通孔数量。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述热电制冷片中的所述通孔的直径朝向所述封装件逐渐变小。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述热电制冷片由介电层和再分布线交互堆叠而成，所述通孔设置在堆叠的所述再分布线之间以电连接多层所述再分布线，所述通孔包括N型材料/P型材料。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一部分中的所述介电层和所述再分布线的层数多于所述其他部分中的所述介电层和所述再分布线的层数。5.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一部分中的所述再分布线的线宽/间距小于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：