一种半导体激光器的仿真方法及计算机设备技术

本申请公开了一种半导体激光器的仿真方法及计算机设备，涉及激光器技术领域，为解决相关技术中的仿真方法不能够满足半导体激光器的实际设计需要的问题而发明专利技术。该半导体激光器包括激光发射源、第一反射镜、第二反射镜、输出透镜组以及光栅，仿真方法包括：S1、根据半导体激光器的几何参数，建立半导体激光器的几何模型。S2、将目标光学元件的几何模型划分成若干个单元，以形成仿真模型。S3、根据目标光学元件的目标参数和边界条件，以及激光发射源的目标参数，计算仿真模型中每个单元的温度和应变大小，以获取仿真模型的温度场以及应力场的分布。本申请可用于半导体激光器的多物理场仿真。真。真。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器的仿真方法及计算机设备


[0001]本申请涉及激光器
，尤其涉及一种半导体激光器的仿真方法及计算机设备。

技术介绍

[0002]在半导体激光器工作时，激光光束经过半导体激光器中的光学元件后，光学元件通常会产生一些状态的变化，这些状态的变化通常会对半导体激光器所输出的激光光束产生一些影响，因此，对半导体激光器中光学元件在工作时状态变化的研究具有十分重要的意义。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供一种半导体激光器的仿真方法及计算机设备，用于解决相关技术中的仿真方法不能够满足半导体激光器的实际设计需要的问题。
[0004]为达到上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种半导体激光器的仿真方法，其中，所述半导体激光器包括激光发射源、第一反射镜、第二反射镜、输出透镜组以及光栅，所述激光发射源被配置为发射第一激光；第一反射镜被配置为将所述第一激光反射，以形成第二激光；所述第二反射镜被配置为将所述第二激光反射至所述半导体激光器的输出口，以形成第三激光；所述输出透镜组位于所述第三激光的光路上；所述光栅位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器的仿真方法，其特征在于，所述半导体激光器包括：激光发射源，所述激光发射源被配置为发射第一激光；第一反射镜，第一反射镜被配置为将所述第一激光反射，以形成第二激光；第二反射镜，所述第二反射镜被配置为将所述第二激光反射至所述半导体激光器的输出口，以形成第三激光；输出透镜组，所述输出透镜组位于所述第三激光的光路上；光栅，所述光栅位于所述第一激光、所述第二激光的光路上，且相对所述第一激光的传播方向倾斜设置；所述半导体激光器的仿真方法包括：S1、根据所述半导体激光器的几何参数，建立所述半导体激光器的几何模型；S2、将目标光学元件的几何模型划分成若干个单元，以形成仿真模型；其中，所述目标光学元件包括第一反射镜、所述第二反射镜、所述输出透镜组以及所述光栅中的至少一个；S3、根据所述目标光学元件的目标参数和边界条件，以及所述激光发射源的目标参数，计算所述仿真模型中每个所述单元的温度值和热应变量，以获取所述仿真模型的温度场以及热应变场。2.根据权利要求1所述的半导体激光器的仿真方法，其特征在于，S3包括：S31、根据所述目标光学元件的激光入射功率、以及激光出射功率与所述激光入射功率之间的关系，获取所述仿真模型的激光吸收功率的大小；S32、根据所述激光吸收功率与吸热量之间的关系，获取所述仿真模型中每个所述单元的所述吸热量；S33、根据所述吸热量与所述温度值之间关系，计算所述仿真模型中每个所述单元的所述温度值，以获取所述仿真模型的温度场；S34、根据每个所述单元的温度初始值和所述温度值，获取每个所述单元的温度改变量；S35、根据热应变量和所述温度改变量之间的关系，计算每个所述单元的所述热应变量，以获取所述仿真模型的热应变场。3.根据权利要求2所述的半导体激光器的仿真方法，其特征在于，在获取所述仿真模型的热应变场的分布之后，S35还包括：根据热应力和所述热应变量之...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅博文，章勤男，田劲东，田勇，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：