存储器和存取方法技术

本申请提供了一种磁电阻随机存取存储器，能够节约芯片面积。该磁电阻随机存取存储器包括：多个堆叠的叠加层，每个叠加层包括呈二维排布的多个磁记忆体单元；多个选择金属层，每个叠加层设置于两个选择金属层之间且与所述两个选择金属层相邻，每个选择金属层与相邻的叠加层中的磁记忆体单元相连，并用于对所述磁记忆体单元进行读写操作。记忆体单元进行读写操作。记忆体单元进行读写操作。记忆体单元进行读写操作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：许俊豪，杨欢，张日清，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：