【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、阵列基板母版、显示面板和显示装置
[0001]本公开实施例涉及但不限于显示技术,尤指一种阵列基板、阵列基板母版、显示面板和显示装置。
技术介绍
[0002]当前高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch,ADS)显示模式具有视角广、色偏小、透过率高很多优势,但同时机械抗压力弱,在受到外力的挤压作用时,容易产生暗态漏光现象,影响了客户的视觉效果。黑态漏光是影响液晶显示器模组黑态均匀性的主要因素,即在黑态(灰阶为零)的状态下,由于液晶显示器玻璃材料、液晶模式、模组机械结构等诸多因素造成的漏光现象。
技术实现思路
[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开实施例提供了一种阵列基板、阵列基板母版、显示面板和显示装置,改善漏光。
[0005]一方面,本公开实施例提供一种阵列基板,包括基底,依次设置在所述基底上的驱动结构层、绝缘层和段差改善层,所述基底包括显示区、围绕所述显示区的非显示区,以及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括基底,依次设置在所述基底上的驱动结构层、绝缘层和段差改善层,所述基底包括显示区、围绕所述显示区的非显示区,以及,位于所述非显示区远离所述显示区一侧的切割保留区,所述绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述显示区、非显示区和切割保留区,所述段差改善层在所述基底上的正投影至少覆盖所述切割保留区。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述段差改善层的正投影还覆盖所述非显示区,且位于所述切割保留区的段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的第一距离,与位于所述非显示区的段差改善层远离所述基底一侧表面至所述基底的第二距离相同;或者,所述第一距离与所述第二距离不同。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,位于所述切割保留区的段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离,与位于所述非显示区的绝缘层远离所述基底一侧表面至所述基底的距离相同。4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述绝缘层远离所述基底一侧的取向层,所述取向层在所述基底上的正投影覆盖所述显示区,所述段差改善层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离,与所述取向层远离所述基底一侧的表面至所述基底的距离相同。5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述取向层远离所述基底一侧表面为被摩擦处理过的表面,且所述段差改善层远离所述基底一侧的表面为未被摩擦处理过的表面。6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:仝远,张荡,吴伟,张伊伊,李凯,朱陶和,刘翔,代俊锋,陈麒,陈炎,张昊,周逸琛,
申请(专利权)人:武汉京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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