PI吸波片制造技术

本实用新型专利技术提出一种PI吸波片，其包括铁氧体吸波层及PI膜层，铁氧体吸波层通过高温硫化贴合至PI膜层一面以形成一体结构，PI膜层远离铁氧体层一面黏合有双面胶层；本实用新型专利技术提出一种具有良好的柔软性，可弯折的吸波体，为柔性屏和折叠屏提供更好的干扰吸收、吸波、屏蔽方案及应用。

【技术实现步骤摘要】
PI吸波片
本技术涉及电磁波吸收材料
，尤其涉及一种PI吸波片。
技术介绍
磁波辐射已成为继噪声污染、大气污染、水污染、固体废物污染之后的又一大公害。电磁波辐射产生的电磁干扰不仅影响各种电子设备的正常运行，而且对身体健康也具有很大危害。电子技术的微型化、集成化以及高频化发展使得电磁兼容问题日趋突出，抗电磁干扰作为电磁兼容的核心内容越来越引起重视。吸波材料技术作为一种常用的抗电磁干扰手段，能够把电磁污染产生的无用的和有害的电磁能量吸收、转换而衰减掉，已经成为各国军事装备隐身和民用防电磁辐射等
研究的热点。现有的电子吸波体基本是采用铁氧体，用于电子产品的干扰吸收、吸波、屏蔽，但柔软性差，易碎不能弯折，不适于在复杂的表面及5G基站和柔性屏等弯折要求的产品上使用。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种PI吸波片，旨在解决现有的吸波体易碎不能弯折的技术问题。为实现上述目的，本技术提出一种PI吸波片，其包括铁氧体吸波层及PI膜层，所述铁氧体吸波层通过高温硫化贴合至PI膜层一面以形成一体结构，所述PI膜层远离铁氧体层一面黏合有双面胶层。优选地，所述双面胶层包括胶粘剂层及离型膜。优选地，所述铁氧吸波层的厚度为0.01mm-2mm。优选地，所述PI膜层的厚度0.01mm-0.1mm。优选地，所述双面胶层为丙烯酸双面胶。优选地，所述双面胶层厚度为0.005mm-0.1mm。与现有技术相比，本技术具备以下有益效果：本技术提出一种PI吸波片，其包括铁氧体吸波层及PI膜层，铁氧体吸波层通过高温硫化贴合至PI膜层一面以形成一体结构，PI膜层远离铁氧体层一面黏合有双面胶层；铁氧体吸波层用于干扰吸收、吸波、屏蔽，PI膜层作为基材，具有柔软性，可弯折性双面胶层用于将本PI吸波片与电子产品粘接固定，方便使用组装。本技术提出一种具有良好的柔软性，可弯折的吸波体，为柔性屏和折叠屏提供更好的干扰吸收、吸波、屏蔽方案及应用。附图说明图1是本技术PI吸波片结构示意图；图2是本技术PI吸波片一实施例结构示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。PI膜层的PI膜为聚酰亚胺薄膜(PolyimideFilm)，是世界上性能最好的薄膜类绝缘材料，由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二胺基二苯醚(DDE)在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成。薄膜均苯型聚酰亚胺薄膜和联苯型聚酰亚胺薄膜两类。前者为美国杜邦公司产品，商品名Kapton，由均苯四甲酸二酐与二苯醚二胺制得。后者由日本宇部兴产公司生产，商品名Upilex，由联苯四甲酸二酐与二苯醚二胺(R型)或间苯二胺(S型)制得。本技术提出一种PI吸波片，参见图1，其包括铁氧体吸波层1及PI膜层2，铁氧体吸波层1通过高温硫化贴合至PI膜层2一面以形成一体结构，PI膜层2远离铁氧体层1一面黏合有双面胶层3。在本实施例中，铁氧体吸波层1与PI膜层2为具有柔软性的吸波一体结构，铁氧体吸波层1用于干扰吸收、吸波、屏蔽，PI膜层2作为基材，具有柔软性，可弯折性，该一体结构可以解决吸波材弯折，在复杂的表面及5G和柔性屏等弯折要求的产品上更好使用，使吸波材具有很好的柔软性，能为柔性屏和折叠屏提供更好的干扰吸收、吸波、屏蔽方案及应用；提高了产品柔性品质和安全性，且操作简单。在本实施例中，双面胶层3用于将本PI吸波片与电子产品粘接固定，方便使用组装。在一实施例中，参见图2，双面胶层3包括胶粘剂层301及离型膜302。胶黏剂301用于将包括铁氧体吸波层1及PI膜层2的PI吸波片与电子产品粘接固定，方便使用组装。离型膜302用于保护胶黏剂301的胶黏性，使胶粘效果不会因存放或漏于空气而降低。其中，铁氧吸波层1的厚度为0.01mm-2mm，PI膜层2的厚度0.01mm-0.1mm，双面胶层3厚度为0.005mm-0.1mm。可根据不同尺寸的待吸波屏蔽干扰波电子产品的及电子产品弯折状态，选择适于干扰吸收的本PI吸波片各部分的厚度。在本实施例中，双面胶层3为丙烯酸双面胶。丙烯酸双面胶即丙烯酸泡绵胶带，高密度的丙烯酸泡绵基材，丙烯酸背胶，优异的黏结强度，良好的密封性能，抗紫外线，抗溶剂。以上实施方式仅用于说明本技术，而并非对本技术的限制，有关
的普通技术人员，在不脱离本技术的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本技术的范畴，本技术的专利保护范围应由权利要求限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PI吸波片，其特征在于，包括铁氧体吸波层及PI膜层，所述铁氧体吸波层通过高温硫化贴合至PI膜层一面以形成一体结构，所述PI膜层远离铁氧体层一面黏合有双面胶层，所述双面胶层包括胶粘剂层及离型膜，所述铁氧体吸波层的厚度为0.01mm-2mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种PI吸波片，其特征在于，包括铁氧体吸波层及PI膜层，所述铁氧体吸波层通过高温硫化贴合至PI膜层一面以形成一体结构，所述PI膜层远离铁氧体层一面黏合有双面胶层，所述双面胶层包括胶粘剂层及离型膜，所述铁氧体吸波层的厚度为0.01mm-2mm。


2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭小球，
申请(专利权)人：深圳市乐迪威科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44