一种二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路，包括直流转交流电路及分别与所述直流转交流电路连接的整流电路与交流转直流低压电路，所述直流转交流电路包括芯片U1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、极性电容EC3及NMOS管Q1，所述整流电路包括整流桥DB1，所述交流转直流低压电路包括变压器T，所述芯片U1的第一管脚通过电阻R9与所述NMOS管Q1的G端连接，所述二极管D1的正极与所述NMOS管Q1的G端连接，所述二极管D1的负极与所述芯片U1的第一管脚连接。本实用新型专利技术将直流电通过高频开关转换成交流电，转换输出稳定，转换精度高，同时电压转换的范围大，应用范围广。

【技术实现步骤摘要】
一种二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路
本技术涉及一种电路，具体涉及一种二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路。
技术介绍
随着LED作为新光源以其高效节能越来越得到广泛应用的同时，隔离LED驱动电源也得到广泛应用，但现有隔离LED驱动电源的直流转交流电路转换不稳定，导致交流转直流低压电路的运行不稳定，影响交流转直流低压电路的转换精度，同时供电电压转换范围小，导致隔离LED驱动电源的使用范围受到限制。因此，为了避免现有技术中存在的缺点，有必要对现有技术做出改进。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中的缺点与不足，提供一种转换稳定的二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路。本技术是通过以下的技术方案实现的：一种二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路，包括直流转交流电路及分别与所述直流转交流电路连接的整流电路与交流转直流低压电路，所述直流转交流电路包括芯片U1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、极性电容EC3及NMOS管Q1，所述整流电路包括整流桥DB1，所述交流转直流低压电路包括变压器T，所述芯片U1的第一管脚通过电阻R9与所述NMOS管Q1的G端连接，所述二极管D1的正极与所述NMOS管Q1的G端连接，所述二极管D1的负极与所述芯片U1的第一管脚连接，所述芯片U1的第一管脚通过电阻R9、电阻R8及电阻R16与所述芯片U1的第二管脚连接，所述芯片U1的第二管脚通过电阻R16及电阻R7接地，所述电阻R7分别并联有电阻R6与直流反馈电阻RS，所述NMOS管Q1的S端通过电阻R7接地，所述NMOS管Q1的D端与所述变压器T的第一输入绕组的输入负极连接，所述芯片U1的第三管脚与所述极性电容EC3的正极连接，所述极性电容EC3的负极接地，所述芯片U1的第四管脚通过电阻R18接地，所述电阻R18并联有一电容C9，所述芯片U1的第四管脚通过电阻R19与所述变压器T的第二输入绕组的输入正极连接，所述二极管D3的负极通过电阻R5与所述芯片U1的第三管脚连接，所述二极管D3的负极通过电阻R5、电阻R1及电阻R2与所述整流桥DB1的输出正极连接，所述二极管D3的正极与所述变压器T的第二输入绕组的输入正极连接，所述变压器T的第二输入绕组的输入负极接地，所述二极管D2的负极通过电阻R3与所述整流桥DB1的输出正极连接，所述电阻R3分别并联有电阻R4及电容C4，所述二极管D2的正极与所述变压器T的第一输入绕组的输入负极连接，所述变压器T的第一输入绕组的输入正极与所述整流桥DB1的输出正极连接。进一步，所述芯片U1的型号为SOT-23-6。进一步，所述芯片U1的第五管脚通过电阻R17接地。进一步，所述芯片U1的第六管脚接地。相对于现有技术，本技术通过直流转交流电路包括芯片U1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、极性电容EC3及NMOS管Q1，芯片U1与NMOS管Q1经过高频的开关动作将直流电稳定的转换成交流电，使后续的交流转直流低压电路的运行稳定，转换精度高，同时供电电压转换的范围大，隔离LED驱动电源的使用范围广。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路的电路图。图中：1-直流转交流电路；2-整流电路；3-交流转直流低压电路。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示本技术的一种二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路，包括直流转交流电路1及分别与直流转交流电路1连接的整流电路2与交流转直流低压电路3，直流转交流电路包括芯片U1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、极性电容EC3及NMOS管Q1，整流电路包括整流桥DB1，交流转直流低压电路包括变压器T，芯片U1的第一管脚通过电阻R9与所述NMOS管Q1的G端连接，二极管D1的正极与NMOS管Q1的G端连接，二极管D1的负极与所述芯片U1的第一管脚连接，芯片U1的第一管脚通过电阻R9、电阻R8及电阻R16与芯片U1的第二管脚连接，芯片U1的第二管脚通过电阻R16及电阻R7接地，电阻R7分别并联有电阻R6与直流反馈电阻RS，NMOS管Q1的S端通过电阻R7接地，NMOS管Q1的D端与变压器T的第一输入绕组的输入负极连接，芯片U1的第三管脚与极性电容EC3的正极连接，极性电容EC3的负极接地，芯片U1的第四管脚通过电阻R18接地，电阻R18并联有一电容C9，芯片U1的第四管脚通过电阻R19与变压器T的第二输入绕组的输入正极连接，二极管D3的负极通过电阻R5与芯片U1的第三管脚连接，二极管D3的负极通过电阻R5、电阻R1及电阻R2与整流桥DB1的输出正极连接，二极管D3的正极与变压器T的第二输入绕组的输入正极连接，变压器T的第二输入绕组的输入负极接地，二极管D2的负极通过电阻R3与整流桥DB1的输出正极连接，电阻R3分别并联有电阻R4及电容C4，二极管D2的正极与变压器T的第一输入绕组的输入负极连接，变压器T的第一输入绕组的输入正极与整流桥DB1的输出正极连接。通过直流转交流电路包括芯片U1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、极性电容EC3及NMOS管Q1，芯片U1与NMOS管Q1经过高频的开关动作将直流电稳定的转换成交流电，使后续的交流转直流低压电路的运行稳定，转换精度高，同时供电电压转换的范围大，隔离LED驱动电源的使用范围广。作为一种具体的实施方式，芯片U1的型号为SOT-23-6。芯片U1的第五管脚通过电阻R17接地，起到过流保护的作用。芯片U1的第六管脚接地，接地保护，防止漏电。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路，其特征在于：包括直流转交流电路及分别与所述直流转交流电路连接的整流电路与交流转直流低压电路，所述直流转交流电路包括芯片U1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、极性电容EC3及NMOS管Q1，所述整流电路包括整流桥DB1，所述交流转直流低压电路包括变压器T，所述芯片U1的第一管脚通过电阻R9与所述NMOS管Q1的G端连接，所述二极管D1的正极与所述NMOS管Q1的G端连接，所述二极管D1的负极与所述芯片U1的第一管脚连接，所述芯片U1的第一管脚通过电阻R9、电阻R8及电阻R16与所述芯片U1的第二管脚连接，所述芯片U1的第二管脚通过电阻R16及电阻R7接地，所述电阻R7分别并联有电阻R6与直流反馈电阻RS，所述NMOS管Q1的S端通过电阻R7接地，所述NMOS管Q1的D端与所述变压器T的第一输入绕组的输入负极连接，所述芯片U1的第三管脚与所述极性电容EC3的正极连接，所述极性电容EC3的负极接地，所述芯片U1的第四管脚通过电阻R18接地，所述电阻R18并联有一电容C9，所述芯片U1的第四管脚通过电阻R19与所述变压器T的第二输入绕组的输入正极连接，所述二极管D3的负极通过电阻R5与所述芯片U1的第三管脚连接，所述二极管D3的负极通过电阻R5、电阻R1及电阻R2与所述整流桥DB1的输出正极连接，所述二极管D3的正极与所述变压器T的第二输入绕组的输入正极连接，所述变压器T的第二输入绕组的输入负极接地，所述二极管D2的负极通过电阻R3与所述整流桥DB1的输出正极连接，所述电阻R3分别并联有电阻R4及电容C4，所述二极管D2的正极与所述变压器T的第一输入绕组的输入负极连接，所述变压器T的第一输入绕组的输入正极与所述整流桥DB1的输出正极连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种二线的隔离LED驱动电源的直流转交流电路，其特征在于：包括直流转交流电路及分别与所述直流转交流电路连接的整流电路与交流转直流低压电路，所述直流转交流电路包括芯片U1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、极性电容EC3及NMOS管Q1，所述整流电路包括整流桥DB1，所述交流转直流低压电路包括变压器T，所述芯片U1的第一管脚通过电阻R9与所述NMOS管Q1的G端连接，所述二极管D1的正极与所述NMOS管Q1的G端连接，所述二极管D1的负极与所述芯片U1的第一管脚连接，所述芯片U1的第一管脚通过电阻R9、电阻R8及电阻R16与所述芯片U1的第二管脚连接，所述芯片U1的第二管脚通过电阻R16及电阻R7接地，所述电阻R7分别并联有电阻R6与直流反馈电阻RS，所述NMOS管Q1的S端通过电阻R7接地，所述NMOS管Q1的D端与所述变压器T的第一输入绕组的输入负极连接，所述芯片U1的第三管脚与所述极性电容EC3的正极连接，所述极性电容EC3的负极接地，所述芯片U1的第四管脚通过电阻R18接地，所述电阻R18并联有一电容C9，所述芯片U1的第四管脚通过电...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙练丹，叶灵翠，
申请(专利权)人：江门市江海区开开星光光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44