【技术实现步骤摘要】
一种用于动力电池的电流采样电路
本技术涉及动力电池安全
,具体为一种用于动力电池的电流采样电路。
技术介绍
随着电动汽车的迅猛发展,电动汽车安全性也越来越受关注。在动力电池的安全性中,主要通过动力电池的温度和电流来确定动力电池是否处于安全状态。因此,在电动汽车使用过程中,需要稳定地采集动力电池的大电流。目前,主要是通过带有放大电路、电流互感器等的用于动力电池的电流采样电路采集动力电池的大电流,在使用用于动力电池的电流采样电路对动力电池的电流采集时,由于电动汽车的行驶状态不同、使用设备数量不同,使用设备的类型不同,动力电池的大电流大小也不相同。而变化的大电流极易造成采样稳定性不高。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术提供了一种用于动力电池的电流采样电路,解决了动力电池的电流采样电路在高压电流采样时稳定性不高的问题。为实现以上目的,本技术通过以下技术方案予以实现:一种用于动力电池的电流采样电路,所述用于动力电池的电流采样电路包括同相放大电路,光耦合器,第一电阻,第二电阻;其中,所述光耦合器的发光源输入端与输入电流连接,所述光耦合器的发光源输出端接地;所述光耦合器的受光器输入端与第一电阻连接,所述光耦合器的受光器输出端与所述同相放大电路的同向输入端连接,所述第一电阻与电源VDD连接;所述同相放大电路的输出端与输出设备连接;所述第二电阻的一端与所述同相放大电路的反向输入端连接,所述第二电阻的另一端接地。优选的,所述用于动力电池的电流采样电路还 ...
【技术保护点】
1.一种用于动力电池的电流采样电路,所述用于动力电池的电流采样电路包括同相放大电路(102),其特征在于,所述用于动力电池的电流采样电路还包括:光耦合器(101),第一电阻(R1),第二电阻(R2);/n其中,所述光耦合器(101)的发光源输入端与输入电流连接,所述光耦合器(101)的发光源输出端接地;/n所述光耦合器(101)的受光器输入端与第一电阻(R1)连接,所述光耦合器(101)的受光器输出端与所述同相放大电路(102)的同向输入端连接,所述第一电阻(R1)与电源VDD连接;/n所述同相放大电路(102)的输出端与输出设备连接;/n所述第二电阻(R2)的一端与所述同相放大电路(102)的反向输入端连接,所述第二电阻(R2)的另一端接地。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于动力电池的电流采样电路,所述用于动力电池的电流采样电路包括同相放大电路(102),其特征在于,所述用于动力电池的电流采样电路还包括:光耦合器(101),第一电阻(R1),第二电阻(R2);
其中,所述光耦合器(101)的发光源输入端与输入电流连接,所述光耦合器(101)的发光源输出端接地;
所述光耦合器(101)的受光器输入端与第一电阻(R1)连接,所述光耦合器(101)的受光器输出端与所述同相放大电路(102)的同向输入端连接,所述第一电阻(R1)与电源VDD连接;
所述同相放大电路(102)的输出端与输出设备连接;
所述第二电阻(R2)的一端与所述同相放大电路(102)的反向输入端连接,所述第二电阻(R2)的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的用于动力电池的电流采样电路,其特征在于,所述用于动力电池的电流采样电路还包括第三电阻(R3);
所述第三电阻(R3)的一端与所述同相放大电路(102)的输出端连接,所述第三电阻(R3)的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的用于动力电池的电流采样电路,其特征在于,所述用于动力电池的电流采样电路还包括:缓冲器电路(103);
所述缓冲器电路(103)与所述同相放大电路(102)的输出端连接。
4.根据权利要求1所述的用于动力电池的电流采样电路,其特征在于,所述光耦合器(101)的受光器为光敏二极管。
5.根据权利要求1所述的用于动力电池的电流采样电路,其特征在于,所述光耦合器(101)的受光器为光敏三极管。
6.根据权利要求1-5任一项所述的用于动力电池的电流采样电路,其特征在于,所述同相放大电路(102)包括:第一NMOS晶体管(N1),第二NMOS晶体管(N2),第三NMOS晶体管(N3),第四NMOS晶体管(N4),第五NMOS晶体管(N5),第六NMOS晶体管(N6),第七NMOS晶体管(N7),第八NMOS晶体管(N8),第九NMOS晶体管(N9),第一PMOS晶体管(P1),第二PMOS晶体管(P2),第三PMOS晶体管(P3),第四PMOS晶体管(P4),第五PMOS晶体管(P5),第六PMOS晶体管(P6),第七PMOS晶体管(P7),第四电阻(R4)和电容(C)。
7.根据权利要求6所述的用于动力电池的电流采样电路,其特征在于,所述第一NMOS晶体管(N1)的源极、所述第二NMOS晶体管(N2)的漏极与所述光耦合器(101)的受光器输出端连接;
所述第三NMOS晶体管(N3)的源极、所述第四NMOS晶体管(N4)的漏极与所述第二电阻(R2)连接;
所述第一NMOS晶体管(N1)的漏极与所述第三NMOS晶体管(N3)的漏极连接,所述第一NMOS晶体管(N1)的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴海兵,
申请(专利权)人:深圳市禾川兴科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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