减反膜系、光学元件和制备膜系的方法技术

技术编号:28976233 阅读:30 留言:0更新日期:2021-06-23 09:20
本发明专利技术提供了一种减反膜系、光学元件和制备膜系的方法。减反膜系包括:基底层;过渡层,过渡层与基底层连接,过渡层包括至少一个第一膜层和至少一个第二膜层,第一膜层和第二膜层为多个时,多个第一膜层和多个第二膜层交替叠置,第一膜层的折射率大于第二膜层的折射率;微结构层,微结构层设置在过渡层的一侧表面且微结构层与第二膜层连接;其中,减反膜系对波长在400nm至1050nm范围内的光的最大反射率小于等于1%。本发明专利技术解决了现有技术中光学元件存在反射率高的问题。

【技术实现步骤摘要】
减反膜系、光学元件和制备膜系的方法
本专利技术涉及光学镀膜设备
,具体而言,涉及一种减反膜系、光学元件和制备膜系的方法。
技术介绍
随着手机市场不断更迭,对手机摄像头的要求也越来越高,其中鬼像问题也日渐成为市场关注的焦点问题。针对某些特殊鬼像强度难以减弱的问题,改善非球面镜片上中心边缘光谱一致性和降低其反射率光谱成为解决该问题的关键。也就是说,现有技术中光学元件存在反射率高的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种减反膜系、光学元件和制备膜系的方法,以解决现有技术中光学元件存在反射率高的问题。为了实现上述目的,根据本专利技术的一个方面,提供了一种减反膜系,包括:基底层;过渡层,过渡层与基底层连接,过渡层包括至少一个第一膜层和至少一个第二膜层,第一膜层和第二膜层为多个时,多个第一膜层和多个第二膜层交替叠置,第一膜层的折射率大于第二膜层的折射率;微结构层,微结构层设置在过渡层的一侧表面且微结构层与第二膜层连接;其中,减反膜系对波长在400nm至1050nm范围内的光的最大反射率小于等于1%。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减反膜系,其特征在于,包括:/n基底层(10);/n过渡层(20),所述过渡层(20)与所述基底层(10)连接,所述过渡层(20)包括至少一个第一膜层(21)和至少一个第二膜层(22),所述第一膜层(21)和所述第二膜层(22)为多个时,多个所述第一膜层(21)和多个所述第二膜层(22)交替叠置,所述第一膜层(21)的折射率大于所述第二膜层(22)的折射率;/n微结构层(30),所述微结构层(30)设置在所述过渡层(20)的一侧表面且所述微结构层(30)与所述第二膜层(22)连接;/n其中,所述减反膜系对波长在400nm至1050nm范围内的光的最大反射率小于等于1%。/n

【技术特征摘要】
1.一种减反膜系,其特征在于,包括:
基底层(10);
过渡层(20),所述过渡层(20)与所述基底层(10)连接,所述过渡层(20)包括至少一个第一膜层(21)和至少一个第二膜层(22),所述第一膜层(21)和所述第二膜层(22)为多个时,多个所述第一膜层(21)和多个所述第二膜层(22)交替叠置,所述第一膜层(21)的折射率大于所述第二膜层(22)的折射率;
微结构层(30),所述微结构层(30)设置在所述过渡层(20)的一侧表面且所述微结构层(30)与所述第二膜层(22)连接;
其中,所述减反膜系对波长在400nm至1050nm范围内的光的最大反射率小于等于1%。


2.根据权利要求1所述的减反膜系,其特征在于,所述第一膜层(21)的折射率大于等于2且小于等于4。


3.根据权利要求1所述的减反膜系,其特征在于,所述第二膜层(22)的折射率大于等于1.35且小于等于1.7。


4.根据权利要求1所述的减反膜系,其特征在于,所述微结构层(30)的折射率大于等于1且小于等于1.25。


5.根据权利要求1所述的减反膜系,其特征在于,所述基底层(10)的折射率大于等于1.5且小于等于1.7。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的减反膜系,其特征在于,所述第一膜层(21)...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒯泽文阮高梁张礼勋
申请(专利权)人:浙江舜宇光学有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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