一种高压浪涌抑制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高压浪涌抑制电路，属于电路设计技术领域，通过第一开关管和第二开关管的串联及一种较为简单的栅极的稳压控制电路，使串联的第一开关管和第二开关管能共同且相对均衡的吸收过压功率，从而增加电压浪涌抑制能力、扩展输入电压范围及功率适用等级，有效控制输出电压，实现对高压浪涌的抑制，保护后级器件。本发明专利技术采用的栅极稳压控制电路可实现自主均压，使过压功率能相对均衡的分布在两个串联的第一开关管和第二开关管上，使其共同承担压降，避免单管烧毁，从而可增加浪涌抑制电路的电压浪涌抑制能力，扩展浪涌抑制电路的输入电压范围及功率适用等级，有效控制输出电压，实现对高压浪涌的箝位抑制。

【技术实现步骤摘要】
一种高压浪涌抑制电路
本专利技术属于电路设计
，涉及一种高压浪涌抑制电路。
技术介绍
在电源系统中，设备开关、电源切换、负载突变或受到干扰时，直流供电母线上会产生电压瞬变和浪涌电压，若不对直流母线上的浪涌电压进行抑制，会导致后级电源停止工作或过压烧毁，造成系统故障。因此，采用浪涌抑制电路对浪涌电压进行抑制是极其必要的，能够使电源输入电压保持在安全工作范围，从而保护整个系统。对于有源阻抗低(0.5Ω)，持续时间长(50ms)，总能量比较大的瞬态浪涌，浪涌抑制电路一般都是基于功率开关管的控制电路来实现浪涌电压保护。目前基于功率开关管设计的过压浪涌抑制模块有两种类型：PMOS管浪涌抑制电路和NMOS管浪涌抑制电路。(1)PMOS管浪涌抑制电路的原理框图如图1所示，工作原理为：采样电路将输入端电压反馈至控制电路，控制PMOS管的栅极电压，当正常输入时，PMOS管正向导通，当有浪涌电压时，检测到输入端电压大于基准值，控制电路动作使PMOS管栅极电压上升，PMOS管截止，从而防止浪涌电压对用电设备造成冲击。在此方法中，PMOS管相当于一个电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压浪涌抑制电路，其特征在于，包括电源、稳压控制电路、第一开关管和第二开关管；第一开关管和第二开关管上均设有漏极、源极和栅极；第一开关管和第二开关管串联，所述电源包括输入端和输出端，输入端与第一开关管的漏极连接，输出端与第二开关管的源极连接；第一开关管的栅极和第二开关管的栅极分别连接有自举驱动电路；/n稳压控制电路包括第一稳压管、第二稳压管、第一电容、第二电容、三极管，三极管的基极和分压电阻连接；第一稳压管和第二稳压管串联，第一稳压管的阴极通过第一电容与第一开关管的栅极连接，第二稳压管的阴极通过第二电容与第二开关管的栅极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压浪涌抑制电路，其特征在于，包括电源、稳压控制电路、第一开关管和第二开关管；第一开关管和第二开关管上均设有漏极、源极和栅极；第一开关管和第二开关管串联，所述电源包括输入端和输出端，输入端与第一开关管的漏极连接，输出端与第二开关管的源极连接；第一开关管的栅极和第二开关管的栅极分别连接有自举驱动电路；
稳压控制电路包括第一稳压管、第二稳压管、第一电容、第二电容、三极管，三极管的基极和分压电阻连接；第一稳压管和第二稳压管串联，第一稳压管的阴极通过第一电容与第一开关管的栅极连接，第二稳压管的阴极通过第二电容与第二开关管的栅极连接。


2.根据权利要求1所述的高压浪涌抑制电路，其特征在于，所述分压电阻包括两个串联的第三电阻和第四电阻；三极管的基极连接在第三电阻和第四电阻之间，三极管的发射极与第四电阻的另一端共同接地。


3.根据权利要求2所述的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雨露，汪洋，李晓霞，马云龙，王俊峰，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61