陶瓷器件及其制备方法技术

本申请公开一种陶瓷器件及其制备方法。其中，陶瓷器件的制备方法包括：将陶瓷材料压制为陶瓷生坯；在陶瓷生坯两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块，共同烧结陶瓷生坯和高烧结温度生坯块，其中，高烧结温度生坯块的烧结温度大于陶瓷生坯的烧结温度；烧结完成后，去除高烧结温度生坯块，得到烧结后的陶瓷器件；所述陶瓷材料包括陶瓷基体，所述陶瓷材料包括Al

【技术实现步骤摘要】
陶瓷器件及其制备方法
本申请属于陶瓷材料制备
，具体涉及陶瓷器件及其制备方法。
技术介绍
微波介质陶瓷材料是一种新型功能电子陶瓷，具有介电常数高、损耗低、频率温度系数小等特点，用这种微波介质陶瓷材料可以制成介质谐振器、双工器、介质滤波器等器件，广泛应用于移动通信基站、直放站、雷达、卫星定位导航系统等众多领域，以满足上述基站天馈系统中滤波单元小型化和低损耗等高性能指标的需要。一般来说，5G基站用微波介质陶瓷材料收缩率大约为15～20％左右。因粉体流动性差异、干压成型压制力一致性、高温烧结时温场均匀性等因素影响，较大的收缩率使得最终5G器件成瓷后因烧结变形，尺寸精度低、平面度差。
技术实现思路
本申请提供陶瓷器件及其制备方法，以解决传统陶瓷材料收缩率大、易因烧结变形，尺寸精度低、平面度差的技术问题。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：一种陶瓷器件的制备方法，包括：将陶瓷材料压制为陶瓷生坯；在所述陶瓷生坯两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块，共同烧结所述陶瓷生坯和所述高烧结温度生坯块，其中，所述高烧结温度生坯块的烧结温度大于所述陶瓷生坯的烧结温度；烧结完成后，去除所述高烧结温度生坯块，得到烧结后的陶瓷器件；所述陶瓷材料包括陶瓷基体，所述陶瓷材料包括Al2O3、MgO、La2O3。为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：一种陶瓷器件，所述陶瓷器件的收缩率在0.8％以下，所述陶瓷器件的平面度在0.03mm以下。本申请的有益效果是：区别于现有技术，通过在陶瓷生坯两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块，共同烧结陶瓷生坯和高烧结温度生坯块，且高烧结温度生坯块的烧结温度大于陶瓷生坯的烧结温度，从而在烧结过程中，烧结温度达到陶瓷生坯的烧结温度时，还未达到高烧结温度生坯块的烧结温度，高烧结温度生坯块与陶瓷生坯相互接触的表面之间具有一定的粘接作用，阻碍了该面上陶瓷生坯在烧结过程中的收缩。且由于高烧结温度生坯块与陶瓷生坯同为生坯块，高烧结温度生坯块对陶瓷生坯相互接触面的阻碍收缩能力强；在陶瓷生坯的烧结过程中，由于高烧结温度生坯块未达烧结温度，其表面保持压制完成时的平整度，从而陶瓷生坯烧结完成后的陶瓷器件的表面平整度高，更光滑。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：图1是本申请的一种陶瓷器件的制备方法一实施例的流程示意图；图2是本申请的一种陶瓷器件的制备方法一实施例的结构示意图；图3是本申请的一种陶瓷器件的制备方法又一实施例的流程示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1是本申请的一种陶瓷器件的制备方法一实施例的流程示意图；图2是本申请的一种陶瓷器件的制备方法一实施例的结构示意图。本申请一实施例提供了一种陶瓷器件的制备方法，包括如下步骤：S101：将陶瓷材料压制为陶瓷生坯100。具体地，将陶瓷材料放入模具，在预定压力下将陶瓷材料压制为陶瓷生坯100。其中，预定压力为120MPa～160MPa，例如，120MPa、130MPa、140MPa、150MPa或者160MPa等，此处不作限制。本实施例中的陶瓷材料包括Al2O3、MgO、La2O3，在其他实施例中，陶瓷器件的制备方法可适用于大部分的陶瓷材料。具体地，陶瓷材料为Al2O3、MgO、La2O3混合并研磨成的复合粉体。在其他实施例中，陶瓷材料为陶瓷基体与玻璃粉混合并研磨成的复合粉体，其中，陶瓷基体为Al2O3、MgO、La2O3混合并研磨成的粉体煅烧而成。由上述组分组成的陶瓷材料的微波介电性能较好。进一步地，复合粉体经造粒以形成陶瓷材料。复合粉体的粉料较细、比较面积较大、流动性较差，干压成型时不容易充满磨具，可能会出现成型件有孔洞、边角不致密、层裂等问题，通过造粒工艺可以很好的解决该问题。造粒过程中，复合粉体中可加入粘结剂。粘结剂可以为聚乙烯醇PVA、聚乙烯醇缩丁醛酯PVB中至少一种。S102：在陶瓷生坯100两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块200，共同烧结陶瓷生坯100和高烧结温度生坯块200，其中，高烧结温度生坯块200的烧结温度大于陶瓷生坯100的烧结温度。如图2所示，其中为了方便示意，图2中的陶瓷生坯100和高烧结温度生坯块200分离示意。在陶瓷生坯100两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块200，共同烧结陶瓷生坯100和高烧结温度生坯块200，且高烧结温度生坯块200的烧结温度大于陶瓷生坯100的烧结温度，从而在烧结过程中，烧结温度达到陶瓷生坯100的烧结温度时，还未达到高烧结温度生坯块200的烧结温度，高烧结温度生坯块200与陶瓷生坯100相互接触的表面之间具有一定的粘接作用，阻碍了该面上陶瓷生坯100在烧结过程中的收缩。且由于高烧结温度生坯块200与陶瓷生坯100同为生坯块，高烧结温度生坯块200对陶瓷生坯100相互接触面的阻碍收缩能力强；在陶瓷生坯100的烧结过程中，由于高烧结温度生坯块200未达烧结温度，其表面保持压制完成时的平整度，从而陶瓷生坯100烧结完成后的陶瓷器件的表面平整度高，更光滑。需要注意的是，在烧结过程中，高烧结温度生坯块200通常放置于陶瓷生坯100的上下两侧，从而在重力作用下，高烧结温度生坯块200与陶瓷生坯100保持贴合紧密，有效阻止陶瓷生坯100的收缩。进一步地，在陶瓷生坯100两侧放置高烧结温度生坯块200之前还包括：将高烧结温度粉体放入模具，在预定压力下将高烧结温度粉体压制为高烧结温度生坯块200，高烧结温度粉体包括高烧结粉料和粘结剂。其中，预定压力为120MPa～160MPa，例如，120MPa、130MPa、140MPa、150MPa或者160MPa等，此处不作限制。高烧结粉料包括氧化铝、氧化镁、或者氧化铝和氧化镁的混合物，当然在其他实施例中还可以是其他高烧结粉料，仅需烧结温度高于陶瓷生坯100的烧结温度即可。其中，粘合剂的质量占高烧结温度粉体总质量的0.8％-2％，例如0.8％、1％、1.5％或者2％等，粘结剂可以为聚乙烯醇PVA、聚乙烯醇缩丁醛酯PVB中至少一种。需要注意的是，高烧结温度生坯块200需完全覆盖陶瓷生坯100的外表面，所以压制高烧结温度粉体所用的模具需要大于或者等于压制陶瓷生坯100所用模具的大小。为了方便生产，通常可采用相同的模具。其中，共同烧结所述陶瓷生坯100和所述高烧结温度生坯块200包括：将陶瓷生坯100和高烧结温度生坯块200共同放入高温炉中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷器件的制备方法，其特征在于，包括：/n将陶瓷材料压制为陶瓷生坯；/n在所述陶瓷生坯两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块，共同烧结所述陶瓷生坯和所述高烧结温度生坯块，其中，所述高烧结温度生坯块的烧结温度大于所述陶瓷生坯的烧结温度；/n烧结完成后，去除所述高烧结温度生坯块，得到烧结后的陶瓷器件；/n所述陶瓷材料包括Al

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷器件的制备方法，其特征在于，包括：
将陶瓷材料压制为陶瓷生坯；
在所述陶瓷生坯两相对外表面贴合放置高烧结温度生坯块，共同烧结所述陶瓷生坯和所述高烧结温度生坯块，其中，所述高烧结温度生坯块的烧结温度大于所述陶瓷生坯的烧结温度；
烧结完成后，去除所述高烧结温度生坯块，得到烧结后的陶瓷器件；
所述陶瓷材料包括Al2O3、MgO、La2O3。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
所述高烧结温度生坯块位于所述陶瓷生坯的上下两侧。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高烧结温度生坯块的厚度为2～5mm。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将陶瓷材料压制为陶瓷生坯包括：
将陶瓷材料放入模具，在预定压力下将所述陶瓷材料压制为陶瓷生坯。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在陶瓷生坯两侧放置高烧结温度生坯块之前包括：
将高烧结温度粉体放入模具中，在预定压力下将所述高烧结温度粉体压制为高烧结温度生坯块，所述高烧结温度粉体包括高烧结粉料和粘结剂，所述高烧结温度生坯块可完全覆盖所述陶瓷生坯的外表面。


6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述预定压力为120MPa～160MPa。


7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述高烧结粉料...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆正武，袁亮亮，
申请(专利权)人：深圳市大富科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44