一种三态接口控制输出电路制造技术

技术编号:28877490 阅读:27 留言:0更新日期:2021-06-15 23:13
本申请提供了一种三态接口控制输出电路,包括:NMOS晶体管、滤波电容C、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2及二极管D;其中,第一分压电阻R1和第二分压电阻R2串联后一端连接于供电电源、另一端接地;NMOS晶体管的漏极连接电源、栅极连接控制信号,NMOS晶体管的源级一路经滤波电容后接地,另一路连接至第一分压电阻和第二分压电阻的分压点后,通过二极管D连接被控对象。本申请提供的三态电路控制输出电路通过使用一个控制输入端,就可以实现控制电路的三态输出,减小了元器件的使用,降低成本;当电线或电路中发生故障时,被控对象能够检测并识别出来,及时上报故障信息,提高了系统的故障检测率。

【技术实现步骤摘要】
一种三态接口控制输出电路
本申请属于电路控制
,特别涉及一种三态接口控制输出电路。
技术介绍
常见的28V输出电路只有两态:28V和开路。被控对象接收到28V动作,接收到开路不动作。但电线发生断路,控制对象始终接收到开路,不动作。影响系统正常功能。一般的三态门电路使用双MOS管,两个输入控制端,通过与非门、或非门实现高电平、低电平和高阻态的三态模式。该电路控制输出复杂,电路占用板面积大。
技术实现思路
本申请的目的是提供了一种三态接口控制输出电路,以解决或减轻
技术介绍
中的至少一个问题。在本申请一技术方案中:一种三态接口控制输出电路,包括:NMOS晶体管、滤波电容C、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2及二极管D;其中,第一分压电阻R1和第二分压电阻R2串联后一端连接于供电电源、另一端接地;NMOS晶体管的漏极连接电源、栅极连接控制信号,NMOS晶体管的源级一路经滤波电容后接地,另一路连接至第一分压电阻和第二分压电阻的分压点后,通过二极管D连接被控对象。进一步的,当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三态接口控制输出电路,其特征在于,包括:NMOS晶体管、滤波电容C、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2及二极管D;/n其中,第一分压电阻R1和第二分压电阻R2串联后一端连接于供电电源、另一端接地;/nNMOS晶体管的漏极连接电源、栅极连接控制信号,NMOS晶体管的源级一路经滤波电容后接地,另一路连接至第一分压电阻和第二分压电阻的分压点后,通过二极管D连接被控对象。/n

【技术特征摘要】
1.一种三态接口控制输出电路,其特征在于,包括:NMOS晶体管、滤波电容C、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2及二极管D;
其中,第一分压电阻R1和第二分压电阻R2串联后一端连接于供电电源、另一端接地;
NMOS晶体管的漏极连接电源、栅极连接控制信号,NMOS晶体管的源级一路经滤波电容后接地,另一路连接至第一分压电阻和第二分压电阻的分压点后,通过二极管D连接被控对象。


2.如权利要求1所述的三态接口控制输出电路,其特征在于,当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号为高电平时,NMOS晶体管打开,NMOS晶体管的源极为高电平,NMOS晶体管输出高电平,被控对象采集到高电平信号。


3.如权利要求1所述的三态接口控制输出电路,其特征在于,当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号为低电平时,NMOS晶体管关闭,NMOS晶体管输出低电平,经第一分压电阻R1和第二分压电阻R2分压后输出预定电压值的电平信号,被控对象进而采集到预定电压值的电平信号。


4.如权利要求3所述的三态接口控制输出电路,其特征在于,所述预定电平值根据第一分压电阻R1和第二分压电阻R2的阻值确定。


5.如权利要求1所述的三态接口控制输出电路,其特征在于,当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号为低电平或高电平,且电路中发生断路时,被控对象始终采集到开路信号。


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【专利技术属性】
技术研发人员:刘亚兵张庆超刘海港张波花璐王冲
申请(专利权)人:中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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