斜波产生电路制造技术

一种斜波产生电路，包括驱动级及缓冲级。驱动级接收开关信号及重置信号，以提供斜波参考电压。缓冲级接收斜波参考电压，以反应斜波参考电压提供斜波信号。斜波信号反应于重置信号的电平切换自预设电平下降至停止电平。

【技术实现步骤摘要】
斜波产生电路
本专利技术涉及一种斜波产生电路，且特别涉及一种微型发光二极管显示器的斜波产生电路。
技术介绍
近年来自发光显示器崛起，其中有机发光二极管显示器(OLED)与量子点发光二极管显示器(QLED)竞起角逐液晶显示器(LCD)在显示面板的独占地位，并且微型发光二极管(Micro-LED)显示器基于其众多优异的元件特性，有望成为次世代显示技术的主流。在微型发光二极管显示器中，像素电路可自外部的数字模拟转换器接收斜波信号且利用斜波信号及写入的数据决定二极管的电流宽度。并且，数字模拟转换器是将现场可程序化逻辑门阵列(FPGA)提供的数字控制信号转换为模拟信号，以产生出需要的波型。但是，上述方式有着较为复杂的驱动架构与更高的成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种斜波产生电路，具有较简单的电路结构，因此不须高成本与控制复杂的数字模拟转换器，以降低整体的硬件成本及控制复杂度。本专利技术的斜波产生电路，包括驱动级及缓冲级。驱动级接收开关信号及重置信号，以提供斜波参考电压。缓冲级接收斜波参考电压，以反应斜波参考电压提供斜波信号。斜波信号反应于重置信号的电平切换自预设电平下降至停止电平。基于上述，本专利技术实施例的斜波产生电路，斜波产生电路以具有较简单的电路结构的驱动级及缓冲器所构成，借此不须高成本与控制复杂的数字模拟转换器，以降低整体的硬件成本及控制复杂度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。附图说明<br>图1为依据本专利技术一实施例的斜波产生电路的系统示意图。图2为依据本专利技术一实施例的斜波产生电路的驱动波形示意图。附图标记说明：100：斜波产生电路110：驱动级120：缓冲级C1：第一电容C2：第二电容I1、I4、I5：电流P1、P2：持续期间PX：像素RESET：重置信号SW：开关信号T1：第一晶体管T2：第二晶体管T3：第三晶体管T4：第四晶体管T5：第五晶体管tEM：下降时间V1：第一电压VB1：第一偏压VB2：第二偏压VGH栅极高电压VGL：栅极低电压VH：高电压电平VL：低电压电平VP1：第一预设电压VP2：第二预设电平VSG4：源漏极电压VSWEEP：斜波信号VT1：第一停止电平VT2：第二停止电平Vx：斜波参考电压具体实施方式除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。应当理解，尽管术语”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的”第一元件”、”部件”、”区域”、”层”或”部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式”一”、”一个”和”该”旨在包括多个形式，包括”至少一个”。”或”表示”及/或”。如本文所使用的，术语”及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语”包括”及/或”包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。图1为依据本专利技术一实施例的斜波产生电路的系统示意图。请参照图1，在本专利技术实施例中，斜波产生电路100可应用于显示器中，特别是主动式微型发光二极管显示器，并且提供斜波信号VSWEEP至显示面板(未示出)中的像素PX，其中斜波产生电路100可以配置于显示器的驱动电路(未示出)中，例如配置于显示器的源极驱动器(未示出)中，但本专利技术实施例不以此为限。在本实施中，斜波产生电路100包括驱动级110及缓冲级120。驱动级110接收开关信号SW及重置信号RESET，以提供斜波参考电压Vx，并且缓冲级120接收斜波参考电压Vx，以反应斜波参考电压Vx提供斜波信号VSWEEP。其中，斜波信号VSWEEP反应于重置信号RESET的电平切换自预设电平(如图2所示VP2)下降至停止电平(如图2所示VT2)。在本实施例中，驱动级110仅由晶体管及电容构成，并且及缓冲级120仅由晶体管构成，因此斜波产生电路100具有较简单的电路结构，借此不须高成本与控制复杂的数字模拟转换器，以降低整体的硬件成本及控制复杂度。在本实施例中，驱动级110包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第一电容C1及第二电容C2。第一电容C1具有第一端、以及耦接至斜波参考电压Vx的第二端。第一晶体管T1具有耦接第一电容C1的第二端的第一端、接收栅极低电压VGL的第二端、以及耦接第一电容C1的第一端的控制端。第二晶体管T2，具有接收第一电压V1的第一端、耦接第一电容C1的第二端的第二端、以及接收重置信号RESET的控制端。第三晶体管T3具有接收第一偏压VB1的第一端、耦接第一电容C1的第一端的第二端、以及接收开关信号SW的控制端。第二电容C2耦接于斜波参考电压Vx与栅极低电压VGL之间。缓冲级120包括第四晶体管T4及第五晶体管T5。第四晶体管T4具有提供斜波信号VSWEEP的第一端、接收栅极低电压VGL的第二端、以及接收斜波参考电压Vx的控制端。第五晶体管T5具有接收栅极高电压VGH的第一端、耦接第四晶体管T4的第一端的第二端、以及接收第二偏压VB2的控制端。在本专利技术实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4及第五晶体管T5个别为一P型晶体管。并且，第一晶体管T1可以操作于截止区，以作为一个低电流的电流源，以及第四晶体管T4及第五晶体管T5可以操作于饱和区，以作为一个导通的开关。在本专利技术实施例中，第一晶体管T1的长宽比可以相同于第三晶体管T3的长宽比，但小于第二晶体管T2的长宽比。第四晶体管T4及第五晶体管T5的长宽比可以相同，并且可以大于第二晶体管T2的长宽比。图2为依据本专利技术一实施例的斜波产生电路的驱动波形示意图。请参照图1及图2，当重置信号RESET及开关信号SW自高电压电平VH切换至低电压电平VL时，第二晶体管T2及第三晶体管T3会导通，因此第一偏压VB1会传送至第一晶体管T1的控制端，并且第一电压V1会传送至第二电容C2。为了使第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种斜波产生电路，包括：/n一驱动级，接收一开关信号及一重置信号，以提供一斜波参考电压；以及/n一缓冲级，接收该斜波参考电压，以反应该斜波参考电压提供一斜波信号，/n其中该斜波信号反应于该重置信号的电平切换自一预设电平下降至一停止电平。/n

【技术特征摘要】
20201023 TW 1091369621.一种斜波产生电路，包括：
一驱动级，接收一开关信号及一重置信号，以提供一斜波参考电压；以及
一缓冲级，接收该斜波参考电压，以反应该斜波参考电压提供一斜波信号，
其中该斜波信号反应于该重置信号的电平切换自一预设电平下降至一停止电平。


2.如权利要求1所述的斜波产生电路，其中该驱动级包括：
一第一电容，具有一第一端、以及耦接至该斜波参考电压的一第二端；
一第一晶体管，具有耦接该第一电容的该第二端的一第一端、接收一栅极低电压的一第二端、以及耦接该第一电容的该第一端的一控制端；
一第二晶体管，具有接收一第一电压的一第一端、耦接该第一电容的该第二端的一第二端、以及接收该重置信号的一控制端；
一第三晶体管，具有接收一第一偏压的一第一端、耦接该第一电容的该第一端的一第二端、以及接收该开关信号的一控制端；以及
一第二电容，耦接于该斜波参考电压与该栅极低电压之间。


3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦儒，洪嘉泽，刘恩池，庄锦棠，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71