一种NR型功率电感及基于有限元仿真的优化设计方法技术

技术编号:28872362 阅读:16 留言:0更新日期:2021-06-15 23:05
本发明专利技术公开了一种NR型功率电感及基于有限元仿真的优化设计方法,所述优化设计方法包括:a.根据设计目标选择磁芯材料,并初步确定绕线匝数,磁芯中柱尺寸,导线线径,DCR参数;b.在Maxwell中进行参数化建模,得到仿真模型;c.以所述NR型功率电感的饱和电流为研究对象,进行有限元仿真,得到L‑I曲线;d.调整参数并重复所述步骤b和c,得到多个相应的L‑I曲线;e.比较并确定最优结构。在有限元仿真中,以NR型功率电感的饱和电流为研究对象,可以更加准确并快速得到NR型功率电感在直流电阻最小的情况下,不同中柱尺寸下的电感及饱和电流变化,从而得到最优的结构设计方案。

【技术实现步骤摘要】
一种NR型功率电感及基于有限元仿真的优化设计方法
本专利技术涉及磁性元器件的设计
,尤其涉及一种基于有限元仿真的NR型功率电感结构优化设计方法。
技术介绍
随着高频化的需求,小型化大电流电感逐渐被应用于5G基站、工控主板、笔记本电脑、车载设备、分配电源系统、DC/DC转换器、LED驱动电源、通讯设备、医疗设备、军工电子、航天科技等领域。大电流电感的具体要求是小体积、大电流,在高频和高温环境下仍保持良好的温升电流及饱和电流。对于NR型电感而言,最突出的问题就是低DCR(DirectCurrentResistance,直流电阻)和高饱和电流的设计矛盾问题。在电感设计中,因材料及尺寸的限制,绕线空间有限,低DCR和高饱和电流是相互制约的,对于传统的磁芯结构设计原则,NR型磁芯叶片及中柱截面积尽可能保持平衡。在大电流电感的结构设计时,这种传统的结构设计原则导致电感绕线空间减小,有效利用空间不足,造成电感产品无法达到要求的电感特性,比如:L值(电感值)、DCR、饱和电流会相互影响,例如:要求高饱和电流时,中柱需要往大尺寸设计,在传统结构设计原则中,中柱截面积和磁芯叶片截面积需要保持平衡,所以叶片加厚,绕线空间减小,这时,要达到相应电感量,铜线线径只能选取小线径,DCR就会大。如上所述DCR相互矛盾,饱和电流小,DCR可能会大;DCR大时,饱和电流可能就小。因为相互之间的影响大小及影响方向等均不能提前确定,所以传统的设计方法无法解决该设计矛盾问题。以上
技术介绍
内容的公开仅用于辅助理解本申请的专利技术构思及技术方案,其并不必然属于本申请的现有技术,在没有明确的证据表明上述内容在本申请的申请日已经公开的情况下,上述
技术介绍
不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
技术实现思路
为克服前述现有技术无法解决NR型功率电感结构设计存在的设计矛盾问题,本专利技术提供一种基于有限元仿真的NR型功率电感结构优化设计方法,包括如下步骤:a.根据设计目标选择磁芯材料,并初步确定绕线匝数,磁芯中柱尺寸,导线线径,DCR参数;b.以步骤a得到的参数为基础,在Maxwell中进行参数化建模,得到仿真模型;c.将所述磁芯材料的B-H曲线导入所述仿真模型中,以所述NR型功率电感的饱和电流为研究对象,进行有限元仿真,得到L-I曲线;d.调整所述步骤a中的所述绕线匝数两次以上,重复所述步骤b和所述步骤c,得到对应各个调整后的所述绕线匝数的L-I曲线;e.比较所述步骤d中得到的各个所述L-I曲线,并确定最优结构。本专利技术还可采用如下可选方案:所述步骤a中选择磁芯材料时的考虑参数至少包括电感正常工作状态下的电压及工作频率,NR型功率电感产品的尺寸和电感值。所述步骤a中的所述设计目标为:所述工作频率为1MHz,所述电压为1V,所述电感值为L=1.0μH,所述NR型功率电感产品的尺寸为长×宽×高=2.5mm×2.0mm×1.2mm,DCR≤0.025Ω。所述磁芯材料为羰基铁粉合金。所述步骤d中,还在所述步骤a中的所述绕线匝数基础上和/或调整后的基础上,调整所述磁芯中柱的尺寸并分别进行仿真,得到各个相应的L-I曲线。调整所述磁芯中柱的尺寸以0.85mm为起点,按照步进为0.05mm依次增大。所述确定最优结构为:满足所述设计目标,且所述NR型功率电感的饱和电流最大。本专利技术还提供一种NR型功率电感,所述NR型功率电感结构包括,工字形磁芯,卷绕在所述工字形磁芯的磁芯中柱上的扁平线圈或圆线圈,以及覆盖于所述磁芯及所述扁平线圈或圆线圈上的磁性塑封层,与所述扁平线圈或圆线圈的两个引出端相连的两个电极,所述两个电极暴露在所述磁性塑封层外。优选的,所述扁平线圈的扁平线的宽度方向垂直于所述磁芯中柱的轴向,且所述扁平线在所述磁芯中柱的轴向上层层叠置。再优选的,所述NR型功率电感通过上文任一项所述的优化设计方法设计得到。本专利技术与现有技术相比的有益效果至少包括:在有限元仿真中,以NR型功率电感的饱和电流为研究对象,可以更加准确并快速得到NR型功率电感在直流电阻最小的情况下,不同中柱尺寸下的电感及饱和电流变化,从而得到最优的结构设计方案。附图说明图1是本专利技术一个实施例的基于有限元仿真的NR型功率电感结构优化设计方法流程图。图2是一个实施例的优化设计中的L-I曲线图,其中包括三个不同的绕组结构对应的三个L-I曲线。图3是一个实施例的电感器绕组结构剖视示意图。具体实施方式下面结合具体实施方式并对照附图对本专利技术做进一步详细说明。其中相同的附图标记表示相同的部件,除非另外特别说明。应该强调的是,下述说明仅仅是示例性的,而不是为了限制本专利技术的范围及其应用。相关技术术语说明/定义:NR电感,由于其使用全自动化机器制作,所以又称为自动化屏蔽电感,日本太阳诱电首先推出了该产品,所以很多人又习惯称为NR电感(太诱的编号)。以饱和电流为研究对象,是指以电流Isat为主要电性表征指标,进行结构的变化和对NR型功率电感结构进行优化设计。饱和电流(SaturationCurrent)通常用“Isat”来表示,日系企业也常用DCI1表示。按照国际标准单位制,饱和电流单位为安培,采用“A”表示。一般是指L值下降30%时的电流值。以下是本专利技术的相关构思的分析说明。以往的设计观念认为,叶片和中柱截面积相等才能保持电感器件的有效利用率更高。因此,在设计时,若中柱截面积=叶片截面积时,就认为结构为最优。但专利技术人发现,中柱截面积增加后,叶片也需要加厚,导致绕线空间减小,这样中柱的大小就无法确定,因此并不能够获得最优的结构设计。经专利技术人进一步研究发现,叶片不会因为中柱截面积过大而成为限制,所以采用以器件饱和电流为研究对象,解决电感器叶片优先饱和后,中柱结构选择上的盲目性问题,从而可以在较短的时间周期内确定电感器结构及绕组圈数,并最终解决了大电流磁性元器件的优化设计问题。本专利技术的优化设计方法如图1所示的流程图进行概括,以便理解,具体是:输入电性要求,如电感正常工作状态下的电压及工作频率,确定产品尺寸、电感值等;通过推算表调参,并输出DCR;得到磁芯结构、线径、圈数(匝数)等;建模后代入MAXWELL仿真模型中,同时输入μe和磁芯B-H曲线,进行有限元仿真;仿真后输出L值(绕线电感产品或涂胶电感产品的电感值)、L-I数据;判断L值、L-I数据是否达到规格,即选出满足要求设计且对应饱和电流最大者,即为最优结构;如是,输出方案;如否,返回至“通过推算表调参,并输出DCR”步骤,重复操作,直到L值、L-I数据达到规格,结束。实施例一一种基于有限元仿真的NR型功率电感结构优化设计方法,包括如下步骤:a.根据设计目标选择磁芯材料,并初步确定绕线匝数,磁芯中柱尺寸,导线线径,DCR参数;b.以步骤a得到的参数为基础,在Maxwell中进行本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种基于有限元仿真的NR型功率电感结构优化设计方法,其特征在于包括如下步骤:/na.根据设计目标选择磁芯材料,并初步确定绕线匝数,磁芯中柱尺寸,导线线径,DCR参数;/nb.以步骤a得到的参数为基础,在Maxwell中进行参数化建模,得到仿真模型;/nc.将所述磁芯材料的B-H曲线导入所述仿真模型中,以所述NR型功率电感的饱和电流为研究对象,进行有限元仿真,得到L-I曲线;/nd.调整所述步骤a中的所述绕线匝数两次以上,重复所述步骤b和所述步骤c,得到对应各个调整后的所述绕线匝数的L-I曲线;/ne.比较所述步骤d中得到的各个所述L-I曲线,并确定最优结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于有限元仿真的NR型功率电感结构优化设计方法,其特征在于包括如下步骤:
a.根据设计目标选择磁芯材料,并初步确定绕线匝数,磁芯中柱尺寸,导线线径,DCR参数;
b.以步骤a得到的参数为基础,在Maxwell中进行参数化建模,得到仿真模型;
c.将所述磁芯材料的B-H曲线导入所述仿真模型中,以所述NR型功率电感的饱和电流为研究对象,进行有限元仿真,得到L-I曲线;
d.调整所述步骤a中的所述绕线匝数两次以上,重复所述步骤b和所述步骤c,得到对应各个调整后的所述绕线匝数的L-I曲线;
e.比较所述步骤d中得到的各个所述L-I曲线,并确定最优结构。


2.如权利要求1所述的基于有限元仿真的NR型功率电感结构优化设计方法,其特征在于,所述步骤a中选择磁芯材料时的考虑参数至少包括电感正常工作状态下的电压及工作频率,NR型功率电感产品的尺寸和电感值。


3.如权利要求1所述的基于有限元仿真的NR型功率电感结构优化设计方法,其特征在于,所述设计目标为:所述电压为1V,所述工作频率为1MHz,所述电感值为L=1.0μH,所述NR型功率电感产品的尺寸为长×宽×高=2.5mm×2.0mm×1.2mm,DCR≤0.025Ω。


4.如权利要求2所述的基于有限元仿真的NR型功率电感结构优化设计方法,其特征在于,所述磁芯材料为羰基铁粉合...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶小莉吴蕾吴锦超欧阳过
申请(专利权)人:深圳顺络电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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