电源老化负载电路制造技术

本申请涉及一种电源老化负载电路，包括至少两个发热控制单元，采样电路，以及控制电路；所述发热控制单元包括调节电路和MOS管，各个发热控制单元的MOS管源极和漏极串联后连接在电源的正负极两端；其中，所述调节电路分别连接所述控制电路；所述采样电路用于对电源信号进行采样得到电源反馈信号输出至所述控制电路；所述控制电路用于接收输入的电源参考信号，将所述电源参考信号与所述电源反馈信号进行比对，输出控制信号至所述调节电路；所述调节电路用于根据所述控制信号调节所述MOS管的栅极电压以调节MOS管的内阻；该技术方案，通过把发热控制单元串联起来，增加了负载电压，提升了电源老化负载电路使用范围。

【技术实现步骤摘要】
电源老化负载电路
本申请涉及高压电源
，特别是一种电源老化负载电路。
技术介绍
离子源是一门用途广，类型多、涉及科学多、工艺技术性强、发展十分迅速的应用科学技术。应用于离子源中的开关电源输出电压较高，有的高达数千伏特；因此，在对离子源的开关电源进行老化测试时，对于负载电路提出了更高要求。目前，常见的开关电源测试老化负载都只有1200V左右，常见的老化负载，利用并联的多个MOS管(场效应管)来实现，每个发热控制单元由MOS管、若干个电阻、以及运算放大器组成，电源两端的电压分别加载到每个发热控制单元中；但由于MOS管工艺最多在1500V左右，发热控制单元电压相当于是MOS管的源极电压，当电源的电压值高达数千伏时，电压无法全部加载到MOS管的漏极和源极之间，由此可见，上述技术难以做到更高电压的老化测试负载。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述难以做到更高电压的老化测试负载的技术缺陷，提供一种电源老化负载电路。一种电源老化负载电路，包括：至少两个发热控制单元，采样电路，以及控制电路；>所述发热控制单元包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源老化负载电路，其特征在于，包括：至少两个发热控制单元，采样电路，以及控制电路；/n所述发热控制单元包括调节电路和MOS管，各个发热控制单元的MOS管源极和漏极串联后连接在电源的正负极两端；其中，所述调节电路分别连接所述控制电路；/n所述采样电路用于对电源信号进行采样得到电源反馈信号输出至所述控制电路；/n所述控制电路用于接收输入的电源参考信号，将所述电源参考信号与所述电源反馈信号进行比对，输出控制信号至所述调节电路；/n所述调节电路用于根据所述控制信号调节所述MOS管的栅极电压以调节MOS管的内阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种电源老化负载电路，其特征在于，包括：至少两个发热控制单元，采样电路，以及控制电路；
所述发热控制单元包括调节电路和MOS管，各个发热控制单元的MOS管源极和漏极串联后连接在电源的正负极两端；其中，所述调节电路分别连接所述控制电路；
所述采样电路用于对电源信号进行采样得到电源反馈信号输出至所述控制电路；
所述控制电路用于接收输入的电源参考信号，将所述电源参考信号与所述电源反馈信号进行比对，输出控制信号至所述调节电路；
所述调节电路用于根据所述控制信号调节所述MOS管的栅极电压以调节MOS管的内阻。


2.根据权利要求1所述的电源老化负载电路，其特征在于，所述采样电路包括电压采样电路和电流采样电路；其中，所述电压采样电路包括连接在电源两端串联的电阻R5和电阻R6，所述电流采样电路包括连接在电源回路上的电阻R7；
所述电源反馈信号包括电源反馈信号和电流反馈信号；
所述电源参考信号包括参考电压U1和参考电压U2。


3.根据权利要求2所述的电源老化负载电路，其特征在于，所述控制电路包括：运算放大器A1、运算放大器A2和控制信号发生电路；
所述运算放大器A1和运算放大器A2的输出端分别连接所述控制信号发生电路；
所述运算放大器A1的同相输入端连接在电阻R5和R6的连接点上，反相输入端接入参考电压U1；
所述运算放大器A2的同相输入端接入参考电压U2，反相输入端通过电阻R7接地；
所述控制信号发生电路的输出端连接至发热控制单元。


4.根据权利要求3所述的电源老化负载电路，其特征在于，所述控制信号发生电路包括PWM信号发生器，用于输出PWM控制信号至所述调节电路；其中，所述PWM信号发生器连接电源VCC和接地。


5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐正祥，刘伟基，曾文华，冀鸣，赵刚，易洪波，
申请(专利权)人：佛山市博顿光电科技有限公司，中山市博顿光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44