用于侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件制造技术

一种半导体封装件，该半导体封装件通过将侧面发射激光二极管物理地附接到凹入式扁平无引线(FNL)封装件的底板部分来制造，该扁平无引线封装件具有从凹入式底板部分的周边延伸并包围凹入式底板部分的周边的壁。所附接的侧面发射激光二极管被定向成将激光光束引导朝向壁的相对部分。FNL封装件沿着分割平面被分割成第一块和第二块，分割平面在侧面发射激光二极管与壁的相对部分之间穿过FNL封装件壁以及的底板部分。在分割之后，壁的相对部分在第二块中，并且侧面发射激光二极管在第一块中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月1日提交的、题目为“用于侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件的适配方法”的、系列号为62/754,176的美国临时专利申请的权益，该美国临时专利申请通过引用以其整体并入本文。
本专利技术涉及半导体封装件，并且更具体地，涉及激光二极管封装件。
技术介绍
激光二极管可用在各种封装结构(例如金属罐、塑料封装件)中和安装在印刷电路板(printedcircuitboards，PCB)上。然而，将这些封装件中的许多封装件结合到高性能电路中会导致引线长度在一些应用中可能是有问题的。此外，由于尺寸和/或热限制，这种封装件可能不适于在某些环境中部署激光二极管。不幸的是，提供定制的激光二极管封装以克服这些缺点可能是成本过高的。因此，行业中需要克服这些缺点中的一个或多个缺点。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件以及一种用于适配侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件的方法。简而言之，本专利技术涉及一种半导体封装件，该半导体封装件通过将侧面发射激光二极管物理地附接到凹入式扁平无引线(flatno-leads，FNL)封装件的底板部分来制造，该扁平无引线封装件具有从凹入式底板部分的周边延伸并包围凹入式底板部分的周边的壁。所附接的侧面发射激光二极管被定向成将激光光束引导朝向壁的相对部分。FNL封装件沿着分割平面被分割成第一块和第二块，分割平面在侧面发射激光二极管与壁的相对部分之间穿过FNL封装件壁以及底板部分。在分割之后，壁的相对部分在第二块中，并且侧面发射激光二极管在第一块中。在研究以下附图和详细描述之后，本专利技术的其他系统、方法和特征对于本领域普通技术人员将是显而易见的或将变得显而易见。意图是使所有这种附加系统、方法和特征包括在本说明书中，在本专利技术的范围内并且由所附权利要求保护。附图说明包括附图以提供对本专利技术的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本专利技术的实施例，并且与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1A是具有被安装在凹入部中的激光二极管阵列的凹入式QFN封装件的侧剖视图。图1B是图1A的凹入式QFN封装件的俯视图。图2A是在分割之后的改进的QFN激光二极管封装件的示例性第一实施例的横截面示意图。图2B从俯视图示出了图2A的QFN激光二极管封装件的第一实施例。图3A从透视图示出了图2A的QFN激光二极管封装件的第一实施例。图3B从透视图示出了改进的QFN激光二极管封装件的示例性第二实施例。图4A从侧视图示出了改进的QFN激光二极管封装件的示例性第三实施例，其中在分割之前，分割平面的两侧填充有器件。图4B从俯视图示出了改进的QFN激光二极管封装件的示例性第三实施例。图5A从侧视图示出了改进的QFN激光二极管封装件的示例性第四实施例，其中在分割之前，分割平面的两侧非对称地填充有器件。图5B从俯视图示出了图5A的改进的QFN激光二极管封装件的第四实施例。图5C从俯视图示出了图5A的改进的QFN激光二极管封装件的替代实施例，其中在分割之前，仅在分割平面的一侧填充有器件。图6是用于形成改进的QFN激光二极管封装件的示例性方法的流程图。图7是用于形成用于侧面定向的感测设备的改进的QFN封装件的示例性方法的流程图。图8A是示出具有盖的改进的QFN封装件的替代实施例的示意图。图8B是示出具有侧窗的改进的QFN封装件的替代实施例的示意图。图8C是示出具有组合盖和侧窗的改进的QFN封装件的替代实施例的示意图。图9A是示出用于改进的QFN封装件的模具的第一替代实施例的示意图。图9B是示出用于改进的QFN封装件的模具的第二替代实施例的示意图。图9C是在分割之后的图9A的改进的QFN封装件的横截面示意图。图9D是示出用于改进的QFN封装件的模具的第三替代实施例的示意图。图9E是在分割之后的图9D的改进的QFN封装件的横截面示意图。具体实施方式以下限定对于解释应用于本文公开的实施例的特征的术语是有用的。如本公开中所使用的，“大致”是指“非常接近”或通常在正常的制造公差内。如本公开中所使用的，扁平无引线封装件，例如四方扁平无引线(quad-flatno-leads，QFN)和双重扁平无引线(dual-flatno-leads，DFN)提供与用于电子器件(例如(但不限于)集成电路)的印刷电路板(PCB)的物理和电连接。扁平无引线(也被称为微引线框架(microleadframe，MLF)和SON(小外形无引线))是表面贴装技术，是将IC连接到PCB的表面而无需通孔的数种封装技术中的一种封装技术。扁平无引线通常是由铜引线框架基板制成的接近芯片级的塑料包封封装件。封装件底部上的周边焊盘(lands)提供与PCB的电连接。扁平无引线封装件可包括暴露的热垫(thermalpad)，以改善离开电子器件的热传递(进入PCB)。通过热垫中的金属通孔可以进一步促进热传递。敞开的腔体QFN封装件通常具有矩形或正方形的轮廓，并具有从封装件底板向上延伸并包围封装件底板的壁。底板被称为相对于包围壁凹入。在本文中，术语“凹入式底板”和“敞开的腔体”可以互换使用。如本公开中所使用的，“侧面发射电子设备”是指被配置成从大致正交于底表面的侧表面发射声能或电磁能的电子设备，该底表面可以具有一个或多个电接触件。对于表面贴装设备，“底表面”通常是指安装和/或电连接到贴装表面的设备的一部分，而“顶表面”通常是指与底表面相对(并且通常平行于底表面)的表面，该底表面也可以具有电接触件。“侧表面”是指正交于顶表面和底表面并且通常横跨在顶表面和底表面之间的任何表面。类似地，“侧面感测电子设备/器件”是指被配置成感测和/或接收来自侧表面的声能或电磁能的电子设备，该侧表面大致正交于底表面。现在将详细参照本专利技术的实施例，附图中示出了本专利技术的实施例的示例。在附图和说明书中，尽可能使用相同的附图标记指代相同或相似的部件。本申请涉及被容纳在改进的QFN(四方扁平无引线)封装件中的半导体发射器或检测器设备，例如侧面发射半导体激光二极管，或侧面发射半导体激光二极管阵列，或诸如光学检测器的电磁检测器。图1A是具有在凹入式区域150内的底板120的敞开的腔体QFN封装件100的侧剖视图。底板120通常由不同的部段，例如绝缘材料和导电材料制成。图1B是现有技术的敞开的腔体QFN封装件100的俯视图。虽然本文描述的实施例作为示例性目的通常针对用于激光二极管阵列的封装件，但该封装件可被用于其它类型的电子器件，例如但不限于传感器、接收器和/或天线。封装件100最初(在分割之前，如下所述)通常具有矩形的形状，具有(最初)环绕壁110，该环绕壁通常具有包围凹入式底板120的周边的壁倾斜表面140。多个QFN电接触件130被布本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：/n将第一侧面发射激光二极管物理地附接到凹入式扁平无引线(FNL)封装件的底板部分，所述凹入式扁平无引线封装件包括从凹入式底板部分的周边延伸并大致包围凹入式底板部分的周边的壁，其中，所述第一侧面发射激光二极管被定向成将激光光束引导朝向所述壁的相对部分；/n确定在所述第一侧面发射激光二极管与所述壁的所述相对部分之间穿过FNL封装件壁和底板部分的第一分割平面；以及/n沿着所述第一分割平面将所述FNL封装件分割成第一块和第二块，/n其中，在分割之后，所述壁的所述相对部分在所述第二块中，并且所述第一侧面发射激光二极管在所述第一块中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181101 US 62/754,1761.一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤：
将第一侧面发射激光二极管物理地附接到凹入式扁平无引线(FNL)封装件的底板部分，所述凹入式扁平无引线封装件包括从凹入式底板部分的周边延伸并大致包围凹入式底板部分的周边的壁，其中，所述第一侧面发射激光二极管被定向成将激光光束引导朝向所述壁的相对部分；
确定在所述第一侧面发射激光二极管与所述壁的所述相对部分之间穿过FNL封装件壁和底板部分的第一分割平面；以及
沿着所述第一分割平面将所述FNL封装件分割成第一块和第二块，
其中，在分割之后，所述壁的所述相对部分在所述第二块中，并且所述第一侧面发射激光二极管在所述第一块中。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述FNL封装件包括凹入式四方扁平无引线(QFN)封装件。


3.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括将包括所述第一侧面发射激光二极管的电路电连接到所述凹入式QFN封装件的电接触件的步骤。


4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述分割平面大致平分所述QFN封装件，以界定所述第一块和所述第二块。


5.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括用透明硬化树脂填充所述QFN的凹入部分的步骤。


6.根据权利要求5所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：
布置模具部分使所述模具部分与所述分割平面的邻近所述第一侧面发射激光二极管的光束孔的部分对准，以及
利用所述模具部分形成所述透明硬化树脂的远离所述分割平面的平滑的出射窗，
其中，所述分割不分割所述平滑的出射窗。


7.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括用盖覆盖所述QFN的凹入部分和/或沿着所述第一块的分割平面附接透明窗的步骤。


8.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：
在所述侧面发射激光二极管和所述壁的第一部分之间确定大致平行于所述第一分割平面的第二分割平面；以及
沿着所述第二分割平面分割所述QFN封装件。


9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一侧面发射激光二极管是第一激光二极管阵列中的多个侧面发射激光二极管中的一个侧面发射激光二极管。


10.根据权利要求2所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：
将第二侧面发射激光二极管物理地附接到所述凹入式QFN封装件的所述底板部分，所述第二侧面发射激光二极管穿过所述第一分割平面与所述第一侧面发射激光器大致相对，
其中，在分割之后，所述第二侧面发射激光二极管在所述第二块中。


11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二侧面发射激光二极管是第二激光二极管阵列中的多个侧面发射激光二极管中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：劳伦斯·戈德弗里，
申请(专利权)人：埃赛力达加拿大有限公司，
类型：发明
国别省市：加拿大;CA