一种内置过压保护的LED驱动电路制造技术

本实用新型专利技术属于LED驱动技术领域，具体为一种内置过压保护的LED驱动电路，包括供电电源U，所述供电电源U与整流桥的两个输入端连接，所述整流桥的输出端与发光LED连接，所述发光LED上并联齐纳二极管VD，所述发光LED的正极与整流桥的输出端之间连接保护电阻R和电容C，所述电容C的一端与发光LED的正极、整流桥的输出端之间连接，所述电容C的另一端接地。通过齐纳二极管VD的设置，可将输出电压限制到齐纳击穿电压和电源的参考电压。在过压条件下，输出电压会提高到齐纳二极管VD击穿点。输出电流会先通过齐纳二极管VD。在齐纳二极管VD限制最大输出的情况下，电源可连续产生恒定的输出电流。

【技术实现步骤摘要】
一种内置过压保护的LED驱动电路
本技术涉及LED驱动
，具体为一种内置过压保护的LED驱动电路。
技术介绍
LED是特性敏感的半导体器件，又具有负温度特性，因而在应用过程中需要对其进行稳定工作状态和保护，从而产生了驱动的概念。LED器件对驱动电源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白炽灯泡，可以直接连接220V的交流市电。现有的LED驱动电路缺乏对发光LED过压保护，容易造成发光LED损坏的情况。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种内置过压保护的LED驱动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的LED驱动电路缺乏对发光LED过压保护，容易造成发光LED损坏的情况的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种内置过压保护的LED驱动电路，包括供电电源U，所述供电电源U与整流桥的两个输入端连接，所述整流桥的输出端与发光LED连接，所述发光LED上并联齐纳二极管VD，所述发光LED的正极与整流桥的输出端之间连接保护电阻R和电容C，所述电容C的一端与发光LED的正极、整流桥的输出端之间连接，所述电容C的另一端接地。优选的，所述发光LED设置不少于两个，且发光LED直接相互串联。优选的，所述齐纳二极管VD的数量与发光LED的数量相同，且齐纳二极管VD与发光LED一一对应并联。优选的，所述齐纳二极管VD与发光LED的正负极方向相反。与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过齐纳二极管VD的设置，可将输出电压限制到齐纳击穿电压和电源的参考电压。在过压条件下，输出电压会提高到齐纳二极管VD击穿点。输出电流会先通过齐纳二极管VD。在齐纳二极管VD限制最大输出的情况下，电源可连续产生恒定的输出电流。附图说明图1为本技术电路原理图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。实施例：请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种内置过压保护的LED驱动电路，包括供电电源U，所述供电电源U与整流桥的两个输入端连接，所述整流桥的输出端与发光LED连接，所述发光LED上并联齐纳二极管VD，所述发光LED的正极与整流桥的输出端之间连接保护电阻R和电容C，所述电容C的一端与发光LED的正极、整流桥的输出端之间连接，所述电容C的另一端接地。进一步地，所述发光LED设置不少于两个，且发光LED直接相互串联。进一步地，所述齐纳二极管VD的数量与发光LED的数量相同，且齐纳二极管VD与发光LED一一对应并联。进一步地，所述齐纳二极管VD与发光LED的正负极方向相反，这样连接可以稳压，还因为发光LED在关断(失电)的瞬间有反向电压，刚好对于齐纳二极管VD来说是正向导通，反向电压就在齐纳二极管VD上放掉了，而且速度很快，这样就防止发光LED反向击穿，也可以保护电源。工作原理：供电电源U提供电能，通过整流桥整流输出，为发光LED供电，保护电阻R起到分压的作用，对发光LED起到一定保护。齐纳二极管VD与发光LED并联，这种措施可将输出电压限制到齐纳二极管VD击穿电压和电源的参考电压。在过压条件下，输出电压会提高到齐纳二极管VD击穿点。输出电流会先通过齐纳二极管VD。在齐纳二极管VD限制最大输出的情况下，电源可连续产生恒定的输出电流。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点,对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术；因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内置过压保护的LED驱动电路，包括供电电源U，其特征在于：所述供电电源U与整流桥的两个输入端连接，所述整流桥的输出端与发光LED连接，所述发光LED上并联齐纳二极管VD，所述发光LED的正极与整流桥的输出端之间连接保护电阻R和电容C，所述电容C的一端与发光LED的正极、整流桥的输出端之间连接，所述电容C的另一端接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种内置过压保护的LED驱动电路，包括供电电源U，其特征在于：所述供电电源U与整流桥的两个输入端连接，所述整流桥的输出端与发光LED连接，所述发光LED上并联齐纳二极管VD，所述发光LED的正极与整流桥的输出端之间连接保护电阻R和电容C，所述电容C的一端与发光LED的正极、整流桥的输出端之间连接，所述电容C的另一端接地。


2.根据权利要求1所述的一种内置过压保护的LED驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雨荷，田镇涛，
申请(专利权)人：湖州顶芯电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33