本申请公开了一种阵列基板,包括基板;导电遮光层,设于所述基板上;缓冲层,设于所述基板上且覆盖所述导电遮光层,所述缓冲层具有一第一槽孔,所述第一槽孔从所述缓冲层远离所述基板的一面贯穿至所述导电遮光层的表面;有源层,设于所述缓冲层上且延伸至所述第一槽孔内,所述有源层通过所述第一槽孔与所述导电遮光层连接。通过第一槽孔将所述源极与所述有源层、所述导电遮光层相互连接,有利于提升所述源极与所述有源层、所述导电遮光层连接的稳定性,使得所述源极与所述有源层、所述导电遮光层在通电时保持在同一电位上,有效提升薄膜晶体管(TFT)的工作稳定性,且保证所述导电遮光层对所述有源层的遮光效果。
【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
目前,在自对准顶栅结构(Topgate)中,由于金属氧化物半导体对光照比较敏感,因此金属氧化物半导体受到光线照射后,金属氧化物半导体薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)的阈值电压明显负漂现象。为解决以上问题,现有一种改进的方法是:通过在金属氧化物半导体材料的有源层下方设置金属遮光层,以消除光照引起的薄膜晶体管阈值电压负漂现象。但是,金属遮光层也会产生一些不好的影响,例如浮栅效应。其中,所述浮栅效应指的是:由于金属遮光层对应设置于有源层下方,因此其相当于一个底栅极存在。虽然金属遮光层在薄膜晶体管结构中不与其它带电结构层相连,但是其容易受到其它带电结构层上的电压影响,从而携带上各种电压。由于金属遮光层具有变化不定的电压,因此,薄膜晶体管在工作时其阈值电压会不断变化,导致薄膜晶体管工作不稳定。目前的解决方案是通过将遮光层连接至源极,使所述遮光层上产生稳定的电压,避免产生浮栅效应,从而有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种阵列基板及其制备方法,以解决遮光层的电压不问题,容易产生浮栅效应,影响薄膜晶体管工作的稳定性的技术问题。为实现上述目的,本专利技术提供一种阵列基板,包括:基板;导电遮光层,设于所述基板上;缓冲层,设于所述基板上且覆盖所述导电遮光层,所述缓冲层具有一第一槽孔,所述第一槽孔从所述缓冲层远离所述基板的一面贯穿至所述导电遮光层的表面;有源层,设于所述缓冲层上且延伸至所述第一槽孔内,所述有源层通过所述第一槽孔与所述导电遮光层连接。进一步地,所述的阵列基板还包括:栅极绝缘层,设于所述有源层上且正对于所述导电遮光层;栅极,设于所述栅极绝缘层上;介电层,设于所述缓冲层上且覆盖所述栅极,所述介电层具有贯穿至所述有源层表面的第一连接孔和第二连接孔,所述第一连接孔和所述第二连接孔分别位于所述栅极的两侧;漏极,设于所述介电层上且通过所述第一连接孔延伸并连接至所述有源层;源极,设于所述介电层上且通过所述第二连接孔延伸并连接至所述有源层。进一步地,拟定所述导电遮光层在所述基板的表面具有第一正向投影,所述有源层在所述基板的表面具有第二正向投影,所述第二正向投影完全落入所述第一正向投影中。进一步地,拟定所述漏极在所述基板的表面具有第三正向投影,所述第三正向投影完全落入所述第一正向投影中。进一步地,所述的阵列基板还包括功能层,设于所述介电层上且覆盖所述源极和所述漏极,所述功能层中具有贯穿至所述漏极表面的第二槽孔,所述第二槽孔的位置与所述第一槽孔的位置相对应。进一步地,所述第二槽孔的开口尺寸与所述第一槽孔的开口尺寸一致。为实现上述目的,本专利技术还提供一种阵列基板的制备方法,包括如下步骤:提供一基板;形成一导电遮光层于所述基板上;形成一缓冲层于所述导电遮光层上且延伸至所述基板表面;对所述缓冲层进行挖孔处理,形成一第一槽孔,所述第一槽孔从所述缓冲层远离所述基板的一面贯穿至所述导电遮光层的表面;形成一有源层于所述缓冲层上且延伸至所述第一槽孔内,其中所述有源层通过所述第一槽孔与所述导电遮光层连接。进一步地,在所述形成一有源层于所述缓冲层上且延伸至所述第一槽孔内的步骤之后,还包括:形成一栅极绝缘层于所述有源层上且正对于所述导电遮光层;形成一栅极于所述栅极绝缘层上;形成一介电层于所述栅极上且延伸至所述缓冲层;对所述介电层进行挖孔处理,形成第一连接孔和第二连接孔,所述第一连接孔和所述第二连接孔分别位于所述栅极的两侧;沉积金属材料于所述第一连接孔内且延伸至所述介电层表面,形成漏极,其中,所述漏极通过所述第一连接孔延伸并连接至所述有源层;沉积金属材料于所述第二连接孔内且延伸至所述介电层表面,形成源极,其中,所述源极通过所述第二连接孔延伸并连接至所述有源层。进一步地,在所述形成源极的步骤之后,还包括:形成一功能层于所述源极和所述漏极上且延伸至所述介电层表面;对所述功能层进行挖孔处理,形成第二槽孔,其中,所述第二槽孔的位置与所述第一槽孔的位置相对应。进一步地,在所述对所述缓冲层进行挖孔处理的步骤和所述对所述功能层进行挖孔处理的步骤中,采用同一掩膜板分别对所述缓冲层和所述功能层进行挖孔处理。本专利技术的技术效果在于,提供一种阵列基板及其制备方法,通过在所述介电层设置第二连接孔以及在所述缓冲层设置第一槽孔,且所述第二连接孔与所述第一槽孔错位设置,这样有利于提升所述源极与所述有源层、所述导电遮光层连接的稳定性,使得所述源极与所述有源层、所述导电遮光层在通电时保持在同一电位上,有效提升薄膜晶体管(TFT)的工作稳定性,且保证所述导电遮光层对所述有源层的遮光效果。另外,采用同一块掩膜板在缓冲层上形成第一槽孔和在所述功能层(钝化层)形成第二槽孔,这样有利于节约掩膜板的费用,节约成本。附图说明下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的所述阵列基板的结构示意图。图2为本申请实施例提供的所述导电遮光层形成后的结构示意图。图3为本申请实施例提供的所述第一槽孔形成后的结构示意图。图4为本申请实施例提供的所述有源层形成后的结构示意图。图5为本申请实施例提供的所述栅极形成后的结构示意图。图6为本申请实施例提供的所述第一、第二连接孔形成后的结构示意图。图7为本申请实施例提供的所述漏极、源极形成后的结构示意图。图8为本申请实施例提供的所述第二槽孔形成后的结构示意图。附图部件标识如下:阵列基板100;基板11;导电遮光层12;缓冲层13;有源层14;栅极绝缘层15;栅极16;介电层17;漏极18a;源极18b;功能层19;第一槽孔13a;第一连接孔180a;第二连接孔180b;第二槽孔110。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。如图1所示,本实施例提供一种阵列基板100,其包括基板11、导电遮光层12、缓冲层13、有源层14、栅极绝缘层15、栅极16、介电层17、漏极18a、源极18b以及功能层19。所述基板11可以为柔性基板,也可以为刚性基板。所述导电遮光层12设于所述基板11上。所述导电遮光层12所用的材料可以为铜、钼、铝、铁,所述的导电遮光层12可以单层的金属结构或者多层的金属结构。所述缓冲层13设于所述基板11上且覆盖所述导电遮光层12,所述缓冲层13具有一第一槽孔13a,所述第一槽孔13a从所述缓冲层13远离所述基板11的一面贯穿至所述导电遮光本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n基板;/n导电遮光层,设于所述基板上;/n缓冲层,设于所述基板上且覆盖所述导电遮光层,所述缓冲层具有一第一槽孔,所述第一槽孔从所述缓冲层远离所述基板的一面贯穿至所述导电遮光层的表面;/n有源层,设于所述缓冲层上且延伸至所述第一槽孔内,所述有源层通过所述第一槽孔与所述导电遮光层连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
导电遮光层,设于所述基板上;
缓冲层,设于所述基板上且覆盖所述导电遮光层,所述缓冲层具有一第一槽孔,所述第一槽孔从所述缓冲层远离所述基板的一面贯穿至所述导电遮光层的表面;
有源层,设于所述缓冲层上且延伸至所述第一槽孔内,所述有源层通过所述第一槽孔与所述导电遮光层连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
栅极绝缘层,设于所述有源层上且正对于所述导电遮光层;
栅极,设于所述栅极绝缘层上;
介电层,设于所述缓冲层上且覆盖所述栅极,所述介电层具有贯穿至所述有源层表面的第一连接孔和第二连接孔,所述第一连接孔和所述第二连接孔分别位于所述栅极的两侧;
漏极,设于所述介电层上且通过所述第一连接孔延伸并连接至所述有源层;
源极,设于所述介电层上且通过所述第二连接孔延伸并连接至所述有源层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,拟定所述导电遮光层在所述基板的表面具有第一正向投影,所述有源层在所述基板的表面具有第二正向投影,所述第二正向投影完全落入所述第一正向投影中。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,拟定所述漏极在所述基板的表面具有第三正向投影,所述第三正向投影完全落入所述第一正向投影中。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括功能层,设于所述介电层上且覆盖所述源极和所述漏极,所述功能层中具有贯穿至所述漏极表面的第二槽孔,所述第二槽孔的位置与所述第一槽孔的位置相对应。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二槽孔的开口尺寸与所述第一槽孔的开口尺寸一致。
7.一种阵列基板的制...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗善高,
申请(专利权)人:TCL华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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