磁场检测装置和电流检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一种实施方式的磁场检测装置具备磁阻效应元件和导线。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜，磁阻效应膜具有第一前端部、第二前端部和中间部，中间部夹在第一前端部和第二前端部之间。导线具有各自在第二轴向上延伸的第一部分和第二部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第二轴向正交。在此，第一部分和第二部分设置为在第四轴向上分别与第一前端部和第二前端部互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。

【技术实现步骤摘要】
磁场检测装置和电流检测装置
本专利技术涉及一种具备磁阻效应元件的磁场检测装置和电流检测装置。
技术介绍
迄今为止，已经提出了一些使用磁阻效应元件的磁场检测装置。例如在专利文献1中，公开了如下磁场检测装置：沿着导体的电流流动方向的中心线的方向与沿着磁阻效应元件的长方向的中心线的方向不同(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-1118号公报
技术实现思路
然而，对于这样的磁场检测装置，要求缩小其尺寸且提高检测精度。因此，期望提供一种既能缩小尺寸又能发挥高检测精度的磁场检测装置。作为本专利技术的一种实施方式的磁场检测装置，其具备磁阻效应元件和导线。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜，磁阻效应膜具有第一前端部、第二前端部和中间部，中间部夹在第一前端部和第二前端部之间。导线具有各自在第二轴向上延伸的第一部分和第二部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第二轴向正交。在此，第一部分和第二部分设置为在第四轴向上分别与第一前端部和第二前端部互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。作为本专利技术的另一种实施方式的磁场检测装置，其具备第一磁阻效应元件、第一导线、第二导线和第二磁阻效应元件。第一磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的第一磁阻效应膜。第一导线具有第一部分和第二部分，第一部分和第二部分各自在第二轴向上延伸同时在第三轴向上相邻，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第一轴向和第二轴向的双方不同。第二导线具有第三部分和第四部分，第三部分和第四部分各自在第二轴向上延伸同时在第三轴向上相邻。第二磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的第二磁阻效应膜。第一磁阻效应膜具有第一前端部、第二前端部和第一中间部，第一中间部夹在第一前端部与第二前端部之间；第二磁阻效应膜具有第三前端部、第四前端部和第二中间部，第二中间部夹在第三前端部与第四前端部之间。第一导线的第一部分和第二部分设置为在第四轴向上分别与第一磁阻效应膜的第一前端部和第二前端部互相重叠，并且通过供给第一电流可以分别对第一前端部和第二前端部形成沿着第三轴向施加的第一感应磁场，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。第二导线的第三部分和第四部分设置为在第四轴向上分别与第二磁阻效应膜的第三前端部和第四前端部互相重叠，并且通过供给第二电流可以分别对第三前端部和第四前端部形成沿着第三轴向施加的第二感应磁场。作为本专利技术的其他实施方式的电流检测装置，其具备磁阻效应元件、第一导线和第二导线。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜，磁阻效应膜具有第一前端部、第二前端部和中间部，中间部夹在第一前端部与第二前端部之间。第一导线具有各自在第二轴向上延伸的第一部分和第二部分，并且通过供给第一电流可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向的第一方向施加的第一感应磁场，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第二轴向正交。第二导线通过供给第二电流，可以对磁阻效应膜形成沿着第二方向施加的第二感应磁场，第二方向与第一方向相反。第一部分和第二部分设置为在第四轴向上分别与第一前端部和第二前端部互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。附图说明图1是表示作为本专利技术的一种实施方式的电流检测装置的整体结构例的概略主视图。图2A是表示图1所示的第一电流检测单元的整体结构例的立体图。图2B是表示图1所示的第二电流检测单元的整体结构例的立体图。图3A是用于说明形成在图2A所示的第一元件形成区域的第一磁阻效应元件的详细结构的主视图。图3B是表示图2A所示的第一电流检测单元的置位动作的概略剖视图。图3C是表示图2A所示的第一电流检测单元的复位动作的概略剖视图。图3D是表示图2A所示的第一电流检测单元的电流检测动作的第一概略剖视图。图3E是表示图2A所示的第一电流检测单元的电流检测动作的第二概略剖视图。图3F是表示施加在图3A所示的第一磁阻效应膜上的置位磁场和复位磁场的强度分布的说明图。图3G是用于说明形成在图2A所示的第四元件形成区域的第四磁阻效应元件的详细结构的主视图。图4A是用于说明形成在图2B所示的第三元件形成区域的第三磁阻效应元件的详细结构的主视图。图4B是表示图2B所示的第二电流检测单元的置位动作的概略剖视图。图4C是表示图2B所示的第二电流检测单元的复位动作的概略剖视图。图4D是表示图2B所示的第二电流检测单元的电流检测动作的第一概略剖视图。图4E是表示图2B所示的第二电流检测单元的电流检测动作的第二概略剖视图。图4F是用于说明形成在图2B所示的第二元件形成区域的第二磁阻效应元件的详细结构的主视图。图5A是示意性地表示螺旋线圈的一部分的放大第一立体图。图5B是示意性地表示螺旋线圈的一部分的放大第二立体图。图6A是表示图3A所示的第一磁阻效应膜的叠层构造的分解立体图。图6B是表示图4C所示的第二磁阻效应膜的叠层构造的分解立体图。图6C是表示图4B所示的第三磁阻效应膜的叠层构造的分解立体图。图6D是表示图4A所示的第四磁阻效应膜的叠层构造的分解立体图。图7是图1所示的电流检测装置的电路图。图8是示意性地表示作为变形例的螺旋线圈的一部分的放大第一立体图。图9是示意性地表示作为变形例的螺旋线圈的一部分的放大第二立体图。图10A是表示作为本专利技术的一种实施方式的磁场检测装置的整体结构例的概略主视图。图10B是图10A所示的磁场检测装置的电路图。图11A是用于说明图10A所示的第一元件形成区域的详细结构的主视图。图11B是用于说明图11A所示的第一元件形成区域的详细结构的剖视图。图12是用于说明图10A所示的第二元件形成区域的详细结构的主视图。图13是用于说明图10A所示的第三元件形成区域的详细结构的主视图。图14是用于说明图10A所示的第四元件形成区域的详细结构的主视图。符号说明100电流检测装置200磁场检测装置10A、10B电流检测单元11～14磁阻效应元件1基板5总线6、60螺旋线圈6A、6B线圈部分6UA上部配线61UA、62UA上部配线图案6LA下部配线61LA～68LA下部配线图案7桥接电路8差分检测器9运算电路Hm信号磁场Im(Im1、Im2)信号电流Hf1、Hf2反馈磁场If1、If2反馈电流Ir复位电流Is置位电流RF+、RF-复位磁场SF+、SF-置位磁场MR1～MR4磁阻效应膜X1～X4元件形成区域控制部70具体实施方式下面参照附图对用于实施本专利技术的实施方式进行详细说明。以下说明的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁场检测装置，具备：/n磁阻效应元件，包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜，所述磁阻效应膜具有第一前端部、第二前端部和中间部，所述中间部夹在所述第一前端部与所述第二前端部之间；以及/n导线，具有各自在第二轴向上延伸的第一部分和第二部分，并且通过供给电流可以对所述磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场，所述第二轴向对所述第一轴向倾斜，所述第三轴向与所述第二轴向正交，/n所述第一部分和所述第二部分设置为在第四轴向上分别与所述第一前端部和所述第二前端部互相重叠，所述第四轴向与所述第二轴向和所述第三轴向的双方正交。/n

【技术特征摘要】
20191211 JP 2019-224096;20200226 JP 2020-0308761.一种磁场检测装置，具备：
磁阻效应元件，包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜，所述磁阻效应膜具有第一前端部、第二前端部和中间部，所述中间部夹在所述第一前端部与所述第二前端部之间；以及
导线，具有各自在第二轴向上延伸的第一部分和第二部分，并且通过供给电流可以对所述磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场，所述第二轴向对所述第一轴向倾斜，所述第三轴向与所述第二轴向正交，
所述第一部分和所述第二部分设置为在第四轴向上分别与所述第一前端部和所述第二前端部互相重叠，所述第四轴向与所述第二轴向和所述第三轴向的双方正交。


2.根据权利要求1所述的磁场检测装置，其中，
施加在所述第一前端部的所述感应磁场的强度和施加在所述第二前端部的所述感应磁场的强度比施加在所述中间部的所述感应磁场的强度高。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的磁场检测装置，其中，
所述第一部分与所述第二部分并联。


4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的磁场检测装置，其中，
所述导线进一步具有多个第三部分和多个第四部分，
所述多个第三部分以在所述第四轴向上夹着所述磁阻效应元件的方式配置在所述第一部分的相反侧，并且各自在所述第二轴向上延伸，
所述多个第四部分以在所述第四轴向上夹着所述磁阻效应元件的方式配置在所述第二部分的相反侧，并且各自在所述第二轴向上延伸，
所述电流在沿着所述第二轴向的第一方向上分别流过所述第一部分和所述第二部分，并且在与所述第一方向相反的第二方向上流过所述第三部分和所述第四部分。


5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的磁场检测装置，其中，
所述导线是以沿着所述第三轴向行进同时旋绕于所述磁阻效应元件的周围的方式设置的螺旋线圈。


6.根据权利要求5所述的磁场检测装置，其中，
具备多个所述磁阻效应元件，
所述多个磁阻效应元件具有第一磁阻效应元件与第二磁阻效应元件，
所述螺旋线圈具有第一螺旋线圈部分和第二螺旋线圈部分，
所述第一螺旋线圈部分设置为沿着所述第三轴向行进同时以第一旋转方向旋绕于所述第一磁阻效应元件的周围，
所述第二螺旋线圈部分设置为沿着所述第三轴向行进同时以与所述第一旋转方向相反的第二旋转方向旋绕于所述第二磁阻效应元件的周围，并且与所述第一螺旋线圈部分串联。


7.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的磁场检测装置，其中，
所述第一部分设置为与所述第一前端部的第一最前端部在所述第四轴向上互相重叠，
所述第二部分设置为与所述第二前端部的第二最前端部在所述第四轴向上互相重叠。


8.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的磁场检测装置，其中，
具备多个所述磁阻效应元件，
所述多个磁阻效应元件具有第一磁阻效应元件与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田宪和，牧野健三，平林启，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP