一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器制造技术

一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器，包括安装于深海勘测操作设备顶部的永磁铁氧体、以及固定在永磁铁氧体运动路径周围的隧道磁电阻芯片集成电路，所述永磁铁氧体的磁场方向与隧道磁电阻芯片的敏感轴方向保持平行；所述隧道磁电阻芯片集成电路包括集成电路板，所述集成电路板上集成有MCU和若干个等距排列在一条直线上的隧道磁电阻芯片，所述隧道磁电阻芯片的反馈引脚与MCU的IO口相连，所述集成电路板与供电的DC‑DC电源模块电性连接；所述隧道磁电阻芯片集成电路安装于一密闭舱内，所述密闭舱内灌有轻油，所述密封舱上设置有平衡舱内外压强的油囊，所述密封舱外设有磁屏蔽层。

【技术实现步骤摘要】
一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器
本专利技术属于测量海底作业设备位移
，具体涉及一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器。
技术介绍
我国深海勘探行业的不断发展，海底取样器、钻井器、CPT等器械不断演变升级，这些勘测地质装备，都离开不了位移数据的监测。而目前市面上陆地常用的位移传感器主要有拉线式位移传感器、磁栅位移传感器、光栅位移传感器、磁致伸缩位移传感器。拉线式位移传感器由于需要一根可拉动的线，无法作到全密闭工作环境，且如果万米海域作业，拉线长度的限制导致无法深海长距离工作。磁栅位移传感器量程比较小，容易受外界高压、强电等恶劣环境的干扰。光栅位移传感器受限于接触式测量，本身只适用于静态测量工程不适合高震动环境。磁致伸缩位移传感器在高频震动条件下磁场极易受到干扰，数据极易出现误差。由此可见能够在深海进行精确稳定测量的位移传感器寥寥无几。
技术实现思路
根据目前海底科考的要求，为了克服现有深海勘测位移传感器的工作稳定性和精准性的不足，以及缺乏高质量海底位移传感器产品等问题，本专利技术提出了一种全海深非接触隧道磁电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器，其特征在于：包括安装于深海勘测操作设备顶部的永磁铁氧体、以及固定在永磁铁氧体运动路径周围的隧道磁电阻芯片集成电路，所述永磁铁氧体的磁场方向与隧道磁电阻芯片的敏感轴方向保持平行；/n所述隧道磁电阻芯片集成电路包括集成电路板，所述集成电路板上集成有MCU和若干个等距排列在一条直线上的隧道磁电阻芯片，所述隧道磁电阻芯片的反馈引脚与MCU的IO口相连，所述集成电路板与供电的DC-DC电源模块电性连接；/n所述隧道磁电阻芯片集成电路安装于一密闭舱内，所述密闭舱内灌有轻油，所述密封舱上设置有平衡舱内外压强的油囊，所述密封舱外设有磁屏蔽层；/n所述密封舱外设有作...

【技术特征摘要】
1.一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器，其特征在于：包括安装于深海勘测操作设备顶部的永磁铁氧体、以及固定在永磁铁氧体运动路径周围的隧道磁电阻芯片集成电路，所述永磁铁氧体的磁场方向与隧道磁电阻芯片的敏感轴方向保持平行；
所述隧道磁电阻芯片集成电路包括集成电路板，所述集成电路板上集成有MCU和若干个等距排列在一条直线上的隧道磁电阻芯片，所述隧道磁电阻芯片的反馈引脚与MCU的IO口相连，所述集成电路板与供电的DC-DC电源模块电性连接；
所述隧道磁电阻芯片集成电路安装于一密闭舱内，所述密闭舱内灌有轻油，所述密封舱上设置有平衡舱内外压强的油囊，所述密封舱外设有磁屏蔽层；
所述密封舱外设有作为延长和组网的可扩展通信接口和用于数据传输的通信水密插件接口，所述可扩展通信接口、通信水密插件接口均与MCU电性连接。


2.根据权利要求1所述的一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器，其特征在于：所述永磁铁氧体是中间空心圆柱型，空心的内径为d，永磁铁氧体的高度为L，外径为D，满足的关系。


3.根据权利要求1所述的一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器，其特征在于：所述永磁铁氧体的磁感应强度分布和距离的关系满足如下方程，
B(X)＝Bo*L2*(2x+L)2，
其中x为隧道磁电阻芯片到永磁铁氧体轴心距离，L为永磁铁氧体高度，Bo为永磁铁氧体圆心处的磁感应强度；
在已知永磁铁氧体的磁感应强度和需要测量的最小误差时，能确定永磁铁氧体和永磁铁氧体芯片两者相对摆放位置。


4.根据权利要求1所述的一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器，其特征在于：所述密封舱外设有固定用的固定块。


5.根据权利要求1所述的一种全海深非接触隧道磁电阻阵列位移传感器，其特征在于：所述MCU设有两种数据处理方式，分别为数据锁存型和数据输入缓冲型。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：江晓，
申请(专利权)人：杭州鲲骏海洋工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33