有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法及其装置制造方法及图纸

一种有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法及其装置，是利用非挥发性内存（ｎｏｎ－ｖｏｌａｔｉｌｅ ｍｅｍｏｒｙ）的信息储存特性，将有缺陷的挥发性内存（ｖｏｌａｔｉｌｅ ｍｅｍｏｒｙ ｗｉｔｈ ｆａｕｌｔｙ ｌｏｃａｔｉｏｎ）的缺陷位置等信息在产品封装出厂前予以记忆保存，使得有缺陷的挥发性内存在断电后重新启动时，可迅速获得该信息的方法及其装置。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为一种有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法及其装置，是利用非挥发性内存(non-volatile memory)的信息储存特性，以大幅节省“有缺陷的挥发性记忆体”(volatile memory with faulty location)于每次再启动时，重新格式化所耗费的等待时间。有关习有“非挥发性内存”、“挥发性内存”及“有缺陷的挥发性内存”的主要特性、功能及成本比较，陈列于后，谨请参考习有的“非挥发性内存”，是不需要能量即可保持所储存的信息的记忆单元，亦即具有当电源切断时，所记忆的信息仍不会消灭的特征，例如EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)的电子式可抹程序化只读内存、Flash-Memory的快闪内存等；但成本较高。习有的“挥发性内存”，是需要能量才能保持所储存的信息的记忆单元，亦即当电源切断时，所记忆的信息亦随之消灭，例如SDRAM(Synchronous DRAM)、SRAM(Static Random Access Memory)、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等；其成本比非挥发性记忆低。而习有的“有缺陷的挥发性内存”，则是有缺陷位置(faulty location)存在的挥发性记忆单元，当断电再重新启动时，需要查出内存的缺陷位置，此一格式化动作耗时甚久，例如ASDRAM的单规SDRAM(Synchronous DRAM)、ASRAM的单规SRAM(Static Random Access Memory)、ADRAM的单规DRAM(DynamicRandom Access Memory)等；然而其成本，则较一般的挥发性记忆更低。本专利技术的主要目的，即为提供一种“有缺陷的挥发性记忆体重新格式化的方法及其装置”，是利用“非挥发性记忆体”，将“有缺陷的挥发性内存”的缺陷位置等信息在产品封装出厂前予以记忆保存，使得“有缺陷的挥发性记忆体”在断电后重新启动时，可迅速获得该信息的方法及其装置。本专利技术为了达成上述的目的及功效，该方法及装置所采行的技术手段至少包含以下的步骤(a)触发格式化动作，是在产品封装出厂前开始格式化的动作过程；可为一按压格式化按钮，或其他可触发格式化动作的机构动作过程，且仅在产品封装出厂前完成一次，并未授权予用户操作者；(b)划分有缺陷的挥发性内存成区块，是将有缺陷的挥发性内存逻辑化定义成固定大小的内存区块；(c)测试每一区块，是测试有缺陷内存中的“可用区域”及“损坏区域”；(d)将缺陷位置写入非挥发性内存，是生成一定义表于非挥发性内存，将测试结果“可用区域”定义为1，而“损坏区域”定义为0的方式，保存区块的测试结果；以及(e)断电后再重新启动的步骤。且步骤(a)至(d)，是在产品封装出厂前完成，而步骤(e)则为用尸所操作。其中，断电后再重新启动的步骤，又包括(f)检查有缺陷的挥发性内存，是微处理器检查“有缺陷的挥发性内存”的文件配置表(File Allocation Table；、FAT)是否正确性；(g)从非挥发性内存读取测试结果，是当文件配置表为不正确时，微处理器即自动读取储存于非挥发性内存内的定义表；(h)将缺陷位置的讯息传给有缺陷的挥发性内存，是微处理器在读取定义表后，即将信息传递予有缺陷的挥发性内存；(i)重建文件配置表在有缺陷的挥发性内存，是依定义表的对应信息，重建正确的文件配置表于有缺陷的挥发性内存；以迅速完成重新格式化的目的。而该装置，包含有缺陷的挥发性内存，是存在有缺陷位置的记忆单元，为欲使用的实际内存；非挥发性内存，是不需要能量即可保持所储存的资讯的记忆单元，用以记忆保存“有缺陷的挥发性内存”的缺陷位置等信息；微处理器，是运算及控制的处理单元，在产品封装出厂前运行有缺陷的挥发性内存逻辑化成区块及测试，并将缺陷位置写入非挥发性内存；而在每次电源开启时，可迅速检查有缺陷的挥发性内存或自动将储存于非挥发性记忆体内的缺陷位置信息，传递给有缺陷的挥发性内存，来节省重新格式化的时间及步骤。该方法及装置明显具备下列优点、特征01、该方法所包含的触发格式化动作、划分有缺陷的挥发性内存成区块、测试每一区块、及将缺陷位置写入非挥发性内存等步骤，是在产品封装出厂前完成，产品于上市后，该装置在用户开启电源时，仅需运行“断电后再重新启动”的步骤即完成重新格式化的动作，且此步骤非常迅速，因而大幅节省习有重新格式化所耗费的等待时间。02、该装置造价较为便宜，因“有缺陷的挥发性记忆体”是本专利技术欲使用的实际内存，其成本较一般的“非挥发性内存”及“挥发性记忆”更低，所以更具经济效益。本专利技术的其他特性及具体实施例，继续用图式、图号详细说明如后图式说明如下附图说明图1A是本专利技术于产品封装前的流程示意图；图1B是本专利技术于断电后再重新启动的流程示意图；图2是本专利技术的方块结构示意图；图3A是本专利技术一较佳实施例于产品封装前的流程示意图；图3B是本专利技术一较佳实施例于断电后再重新启动的流程示意图；图4是本专利技术一较佳实施例的方块结构示意图；图5是本专利技术一较佳实施例于产品封装前的操作流程示意图；图6是本专利技术一较佳实施例于每次启动的操作流程示意图；图7是本专利技术一较佳实施例是“内存规划”示意图；图8是本专利技术一较佳实施例运用于MP3随身听的电路结构示意图9是本专利技术一较佳实施例运用于MP3随身听的输入面板示意图；图10是本专利技术另一较佳实施例的方块结构示意图；图11是本专利技术又一较佳实施例的方块结构示意图。图号说明如下有缺陷的挥发性内存1 ASDRAM11、81EEPROM12、82 Microprocessor13、23、33、83非挥发性内存2 ASRAM21Flash-Memory22、32微处理器3ADRAM31 按压格式化按钮41划分有缺陷的挥发性内存成区块42测试每一区块43将缺陷位置写入非挥发性内存44 检查有缺陷的挥发性内存51从非挥发性内存读取测试结果52将缺陷位置的讯息传给有缺陷的挥发性内存53重建文件配置表在有缺陷的挥发性内存54按压格式化按钮61 划分ASDRAM成区块62测试每一区块63将缺陷位置写入EEPROM64流程66流程661 流程67流程68回路69 指令691指令692 指令693 指令694指令695 指令696 检查ASDRAM71从EEPROM读取测试结果72将缺陷位置的讯息传给ASDRAM73重建文件配置表在ASDRAM74 流程75流程76流程761 流程77回路78指令781 指令782指令783 指令784 指令786PIN821PIN822 装置84装置85装置86 装置87装置88输入面板90 FORMAT按钮91定义表Ti 文件配置表FATi请参阅图1A、1B所示，是本专利技术在产品封装前的流程示意图、在断电后再重新启动的流程示意图及本专利技术的方块结构示意图；由图所示，该装置包括有缺陷的挥发性内存1，是存在有缺陷位非挥发性内存2，是不需要能量即可保持所储存的信息的记忆单元，用来记忆保存有缺陷的挥发性内存1的缺陷位置等信息；微处理器3，系为运算及控制的处理单元，在产品封装出厂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有缺陷的挥发性内存重新格式化的方法，包括：（ａ）触发格式化动作，是在产品封装出厂前开始格式化的动作过程；（ｂ）划分有缺陷的挥发性内存成区块，是将有缺陷的挥发性内存逻辑化定义成固定大小的内存区块；（ｃ）测试每一区块，是测试有缺 陷内存中“可用区域”及“损坏区域”；（ｄ）将缺陷位置写入非挥发性内存，是生成一定义表于非挥发性内存，将测试结果用“可用区域”定义为１，而“损坏区域”定义为０的方式，保存区块的测试结果；以及（ｅ）断电后再重新启动的步骤。且步骤（ａ ）至（ｄ），是在产品封装出厂前完成，而步骤（ｅ）则为用户所操作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢星倩，连本源，
申请(专利权)人：乔工科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]