一种吡唑的纯化装置制造方法及图纸

技术编号:28810231 阅读:41 留言:0更新日期:2021-06-11 23:00
本实用新型专利技术公开了一种吡唑的纯化装置,包括放置台,所述放置台上设有蒸馏结构;其中,蒸馏结构包含有:一对结构相同的支撑柱、放置板、蒸馏箱、进液管、若干结构相同加热管、出料管、接收瓶以及冷却组件;一对所述支撑柱安装在所述放置台上壁面上,所述放置板安装在一对所述支撑柱上壁面上,所述蒸馏箱放置在所述放置板上壁面上,所述蒸馏箱上壁面开设有进液孔,所述进液管安装在所述蒸馏箱上壁面开设的进液孔上,若干所述加热管安装在所述放置台上壁面上,若干所述加热管位于一对所述支撑柱之间,本实用新型专利技术涉及精密半导体制备辅料加工设备技术领域,解决了现有的吡唑混合溶液存在需要进行对吡唑提纯的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种吡唑的纯化装置
本技术涉及精密半导体制备辅料加工设备领域,具体为一种吡唑的纯化装置。
技术介绍
随着半导体行业的发展,对光刻胶剥离液提出了更高的的要求,本专利涉及的产品吡唑,是第四代水性光刻胶中的核心辅料,第四代水性光刻胶能更好的去除氮化钛掩模,更对铜、钴、钽、氮化钽等金属;氧化硅、BDII低介电材料等具有良好的基材兼容性,第四代水性光刻胶去除液成品对金属离子的要求较高,成品metal<20ppb,作为该配方中起到缓蚀剂作用的吡唑也提出了更高的要求,对其metal要求小于20ppb,国内吡唑的生产厂家生产的该产品主要应用在农药行业,产品的金属离子含量一般在1000ppb,如果应用在第四代水性光刻胶的配方中,会严重影响成品的金属离子含量,本专利技术有效的将吡唑的金属离子控制在10ppb以下,并减少了其它杂质的含量,使其能完全满足第四代水性光刻胶的要求,吡唑可作为某些光敏材料单体的侧链,具有广泛的应用,在用作某些光敏材料单体时,由于吡唑溶于水,当需要使用吡唑进行精密半导体制备的辅料进行生产时,需要现将吡唑的水溶液对吡唑进行提纯,现有的吡唑混合溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吡唑的纯化装置,包括放置台(1),其特征在于,所述放置台(1)上设有蒸馏结构;/n其中,蒸馏结构包含有:一对结构相同的支撑柱(2)、放置板(3)、蒸馏箱(4)、进液管(5)、若干结构相同加热管(6)、出料管(7)、接收瓶(8)以及冷却组件;/n一对所述支撑柱(2)安装在所述放置台(1)上壁面上,所述放置板(3)安装在一对所述支撑柱(2)上壁面上,所述蒸馏箱(4)放置在所述放置板(3)上壁面上,所述蒸馏箱(4)上壁面开设有进液孔,所述进液管(5)安装在所述蒸馏箱(4)上壁面开设的进液孔上,若干所述加热管(6)安装在所述放置台(1)上壁面上,若干所述加热管(6)位于一对所述支撑柱(2)之间...

【技术特征摘要】
1.一种吡唑的纯化装置,包括放置台(1),其特征在于,所述放置台(1)上设有蒸馏结构;
其中,蒸馏结构包含有:一对结构相同的支撑柱(2)、放置板(3)、蒸馏箱(4)、进液管(5)、若干结构相同加热管(6)、出料管(7)、接收瓶(8)以及冷却组件;
一对所述支撑柱(2)安装在所述放置台(1)上壁面上,所述放置板(3)安装在一对所述支撑柱(2)上壁面上,所述蒸馏箱(4)放置在所述放置板(3)上壁面上,所述蒸馏箱(4)上壁面开设有进液孔,所述进液管(5)安装在所述蒸馏箱(4)上壁面开设的进液孔上,若干所述加热管(6)安装在所述放置台(1)上壁面上,若干所述加热管(6)位于一对所述支撑柱(2)之间,若干所述加热管(6)位于所述放置板(3)下方,所述接收瓶(8)安装在所述放置台(1)上壁面上,所述接收瓶(8)位于一对所述支撑柱(2)右侧,所述蒸馏箱(4)右壁面开设有出料口,所述接收瓶(8)上壁面开设有入料口,所述出料管(7)一端安装在所述蒸馏箱(4)右壁面开设的出料口,所述出料管(7)另一端安装在所述接收瓶(8)上壁面开设的入料口,出料管(7)倾斜放置。


2.根据权利要求1所述的一种吡唑的纯化装置,其特征在于,所述冷却组件包含有:循环泵(9)、散热水箱(10)、风机(11)、冷却管(12)以及第一水...

【专利技术属性】
技术研发人员:张雷陈志清徐鹏飞
申请(专利权)人:势润化学科技上海有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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