一种光阑结构及微小角中子散射谱仪制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种光阑结构及微小角中子散射谱仪。光阑结构用于实现多束中子束的聚焦，包括共光轴且沿中子束的传播方向依次排布的多个光阑；光阑包括依次层叠的第一中子吸收层、第二中子吸收层和支撑层，第一中子吸收层位于光阑靠近中子源的一侧；光阑结构包括多个狭缝，狭缝的入射端的宽度大于出射端的宽度；其中，狭缝的宽度方向与光轴垂直。本发明专利技术实施例的技术方案，可将多束中子无串扰地传输到探测器表面，同时尽可能地降低准直器边缘的反射和寄生散射产生的杂散中子，可以应用于微小角中子散射谱仪的高精度中子光路结构中，将常规小角中子散射谱仪能够表征的样品尺度范围从纳米量级扩展到亚微米量级。从纳米量级扩展到亚微米量级。从纳米量级扩展到亚微米量级。

【技术实现步骤摘要】
一种光阑结构及微小角中子散射谱仪


[0001]本专利技术实施例涉及小角中子散射技术，尤其涉及一种光阑结构及微小角中子散射谱仪。

技术介绍

[0002]自从1932年查德
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威克发现中子以后，科学家们一直在研究以中子作为探针探索物质内部的秘密。1945年后，大量的裂变反应堆建立起来，人们将反应堆产生的中子引出进行科学实验。美国科学家Shull和加拿大科学家Brockhouse利用反应堆引出的中子研究物质内部原子的结构和运动，共同荣获1994年的诺贝尔物理学奖。
[0003]随着研究的深入，科学家们对中子源和中子谱仪的要求越来越高，不仅要有高的中子通量还需要有高的分辨率。反应堆中子源受限于散热极限和国际上高浓缩铀的使用限制，中子通量已经达到了极限，散裂中子源以其脉冲式中子源的高分辨率和依靠新技术不断刷新的中子通量逐渐成为科学家们的新宠。上世纪八十年代以来，各大国纷纷发展自己的散裂中子源技术。目前正在运行的四大散裂中子源有英国散裂中子源(ISIS)，美国散裂中子源(SNS)，日本散裂中子源(J
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光阑结构，其特征在于，用于实现多束中子束的聚焦，包括共光轴且沿中子束的传播方向依次排布的多个光阑；所述光阑包括依次层叠的第一中子吸收层、第二中子吸收层和支撑层，所述第一中子吸收层位于所述光阑靠近中子源的一侧；所述光阑包括多个狭缝，所述狭缝的入射端的宽度大于出射端的宽度；其中，所述狭缝的宽度方向与所述光轴垂直。2.根据权利要求1所述的光阑结构，其特征在于，所述第一中子吸收层包括硼铝合金，所述第二中子吸收层包括镉或钆，所述支撑层包括铝合金。3.根据权利要求1所述的光阑结构，其特征在于，各个所述光阑的位置关系满足：各个所述光阑的狭缝的入射端的宽度满足：其中，r表示所述光阑的遮挡区宽度和所述狭缝的入射端宽度的比值，p表示经过前一光阑的狭缝透过后，入射到下一光阑的遮挡区宽度与该遮挡区宽度的比值，且p为0～1之间的某一定值，D表示所述光阑的位置，O表示所述狭缝的入射端的宽度，O和D的下标为所述光阑的编号，最靠近中子源的所述光阑为第0个光阑，最远离中子源的所述光阑为第1个光阑，沿所述第1个光阑指向所述第0个光阑的方向，光阑的编号依次增大，n，j均为正整数。4.根据权利要求1所述的光阑结构，其特征在于，各个所述光阑的位置关系满足：各个所述光阑的狭缝的入射端的宽度满足：其中，r表示所述光阑的遮挡区宽度和所述狭缝的入射端宽度的比值，D表示所述光阑的位置，O表示所述狭缝的入射端的宽度，B表示所述光阑的遮挡区的宽度，O、D、K和p的下标为所述光阑的编号，最靠近中子源的...

【专利技术属性】
技术研发人员：左太森，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：发明
国别省市：