一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法技术

本发明专利技术涉及一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法，包括磨料、氧化剂、添加剂、络合剂以及去离子水。本发明专利技术可以显著的提高氮化钛的抛光速率，获得平滑的抛光后表面，使用方法简单，具有良好的市场应用前景。具有良好的市场应用前景。具有良好的市场应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法


[0001]本专利技术属于化学机械抛光领域，特别涉及一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法。

技术介绍

[0002]相变存储器器件结构中加热电极直接接触相变材料层，起汇聚电流和传递热量的作用，其性能直接影响相变存储器的相变过程。相变存储器常用氮化钛材料作为加热电极，因氮化钛同时具有较高的电导率和较低的热导率，能使热量集中于相变材料层用于材料的相变。加热电极的接触表面情况会影响器件的性能，平滑的表面有利于降低器件的优化。目前，针对氮化钛的化学机械抛光研究较少，需要开发一种新的组合物。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法，该组合物可以显著的提高氮化钛的抛光速率，获得平滑的抛光后表面，使用方法简单，具有良好的市场应用前景。
[0004]本专利技术提供了一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物，按重量百分比，包括如下组分：
[0005][0006]其余为去离子水；其中，所述添加剂包括亚铁离子化合物、亚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物，其特征在于：按重量百分比，包括如下组分：其余为去离子水；其中，所述添加剂包括亚铁离子化合物、亚铜离子化合物、钴离子化合物、镍离子化合物、腐殖酸中的至少一种。2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述磨料为20
‑
100纳米的胶体二氧化硅或20
‑
200纳米的金属氧化物磨料。3.根据权利要求2所述的组合物，其特征在于：所述金属氧化物磨料包括氧化铝、氧化锆、氧化铈、氧化钛中的至少一种。4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述氧化剂包括过氧化氢、高锰酸钾、过硫酸氢钾、硫酸铵中的至少一种。5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述络合剂包括天门冬氨酸、天门冬二胺酸、天门冬酰胺、天门冬氨酸盐、天门冬酰胺盐、聚天门冬氨酸、聚天门冬酰胺中的至少一种。6.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于：所述亚铁离子化合物包括硫酸亚铁、氯化亚铁、硝酸亚铁、碳酸亚铁、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李程兴，蔡道林，刘卫丽，宋志棠，冯道欢，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：