MEMS芯片制造技术

本实用新型专利技术提供一种MEMS芯片包括基底、设置在基底上的振膜和背极，其中，振膜包括两个导电区域，分别为振膜第一导电区域和振膜第二导电区域，并且振膜第一导电区域和振膜第二导电区域之间电性不导通；背极包括至少两个导电区域，并且背极的导电区域之间彼此电性不导通；振膜的导电区域与背极的导电区域之间电性导通。利用本实用新型专利技术，通过振膜、背极的不同区域的电性连接以达到调整MEMS芯片性能的目的。域的电性连接以达到调整MEMS芯片性能的目的。域的电性连接以达到调整MEMS芯片性能的目的。

【技术实现步骤摘要】
MEMS芯片


[0001]本技术涉及电声转换
，更为具体地，涉及一种MEMS麦克风的MEMS芯片。

技术介绍

[0002]MEMS(Micro electro mechanical Systems，微机电系统)麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的电能换声器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展，MEMS麦克风被越来越广泛地运用到这些设备上。
[0003]现有的MEMS麦克风包括MEMS芯片，其中，MEMS芯片包括基底、设置在基底上的振膜以及背极，并且振膜与背极形成电容器，振膜随着声压震动感测声音，其中，整个振膜为一个导电区域，整个背极为一个导电区域。
[0004]为解决方便调整MEMS芯片的性能问题，本技术提供了一种新的 MEMS芯片。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，本技术的目的是提供一种MEMS芯片，通过振膜、背极的不同区域的电性连接以达到方便调整MEMS芯片性能的目的。
[0006]本技术提供的MEMS芯片包括基底、设置在所述基底上的振膜和背极，其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS芯片，包括基底、设置在所述基底上的振膜和背极，其特征在于，所述振膜包括两个导电区域，分别为振膜第一导电区域和振膜第二导电区域，并且所述振膜第一导电区域和振膜第二导电区域之间电性不导通；所述背极包括至少两个导电区域，并且所述背极的导电区域之间彼此电性不导通；所述振膜的导电区域与所述背极的导电区域之间电性导通。2.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，当所述背极包括三个导电区域时，所述背极的三个导电区域分别为背极第一导电区域、背极第二导电区域和背极第三导电区域；所述振膜第一导电区域与所述背极第一导电区域之间电性不导通。3.如权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述振膜第一导电区域与所述背极第二导电区域之间电性导通；以及，所述振膜第二导电区域与所述背极第三导电区域之间电性导通。4.如权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述振膜第一导电区域、所述振膜第二导电区域分别与所述背极第二导电区域电性导通；以及，所述振膜第一导电区域、...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱冠勋，周宗磷，卓彦萱，
申请(专利权)人：青岛歌尔智能传感器有限公司，
类型：新型
国别省市：