【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及存储系统；更具体来讲，本专利技术涉及分级Rambus通道上不同时域中的存储设备。背景由位于California，Mountain View的Rambus Inc.公司所开发的Rambus动态随机存储器(RDRAM)，是一种可以高达每秒1.2-1.6千兆字节速度进行数据传输操作的存储器。RDRAM芯片容纳在耦合至一个或多个Rambus通道的Rambus内存模块(RIMM)(Rambus in-linememory module)中。一般来讲，扩展通道将每个RDRAM芯片与存储控制器耦合。该存储控制器使诸如中央处理器(CPU)之类的其他设备能够访问RDRAM。通道上的RDRAM通常位于不同的时域中。时域是由存储设备的时滞引起的，该时滞起因于时钟脉冲从RDRAM传输到存储控制器与从存储控制器传回所用时间的不同。扩展通道上各个RDRAM的时滞不同。例如，扩展通道上接近存储控制器的RDRAM的时滞可能很小，而远离存储控制器的RDRAM的时滞或许很大。一旦RDRAM的时滞超过一个时钟周期，该时滞以360°的相位偏移返回。每当时钟时滞走过一个360°周期，就...
【技术保护点】
一种计算机系统，包含：存储控制器；与存储控制器相耦合的第一Ｒａｍｂｕｓ通道；以及与第一Ｒａｍｂｕｓ通道相耦合的存储系统，其中该存储系统可适于确定第一Ｒａｍｂｕｓ通道上时域的数目。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：DE弗雷克尔，AM沃尔克，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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