具有表面安装封装的载波和峰化放大器的多赫蒂放大器制造技术

多赫蒂放大器的实施例包括模块基板、耦合到模块基板的顶表面的第一表面安装装置和第二表面安装装置，以及阻抗转换器线路组件。第一表面安装装置和第二表面安装装置分别包括第一放大器管芯和第二放大器管芯。阻抗转换器线路组件电连接在第一放大器管芯和第二放大器管芯的输出之间。阻抗转换器线路组件包括耦合到模块基板的阻抗转换器线路、耦合在第一放大器管芯输出和阻抗转换器线路的近端之间的第一表面安装装置的第一引线，以及耦合在第二放大器管芯输出和阻抗转换器线路的远端之间的第二表面安装装置的第二引线。根据另外的实施例，阻抗转换器线路组件在多赫蒂放大器的基本工作频率上具有90度的电长度。本工作频率上具有90度的电长度。本工作频率上具有90度的电长度。

【技术实现步骤摘要】
具有表面安装封装的载波和峰化放大器的多赫蒂放大器


[0001]本文所述主题的实施例大体涉及射频(RF)放大器，并且更具体地，涉及多径放大器(例如，多赫蒂(Doherty)放大器)和放大器模块。

技术介绍

[0002]多赫蒂功率放大器在蜂窝基站传输器内无处不在，因为已知多赫蒂功率放大器体系结构与其他类型的放大器相比提高了频谱高效调制的补偿效率。多赫蒂功率放大器的高效率使得该体系结构适合于当前和下一代无线系统。然而，越来越高的工作频率(例如，在千兆赫兹(GHz)范围内)和增加的系统小型化的趋势对传统的多赫蒂功率放大器体系结构提出了挑战，特别是在半导体封装设计领域中。随着频率持续增加，需要有效的多赫蒂功率放大器实施方案，其能够在低成本和小覆盖区解决方案中实现高效率操作。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的一个方面，提供一种多赫蒂放大器，包括：
[0004]模块基板，所述模块基板具有顶基板表面；
[0005]耦合到所述顶基板表面的第一表面安装装置，其中所述第一表面安装装置包括第一放大器管芯；<br/>[0006]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多赫蒂放大器，其特征在于，包括：模块基板，所述模块基板具有顶基板表面；耦合到所述顶基板表面的第一表面安装装置，其中所述第一表面安装装置包括第一放大器管芯；耦合到所述顶基板表面的第二表面安装装置，其中所述第二表面安装装置包括第二放大器管芯；以及电连接在所述第一放大器管芯和所述第二放大器管芯的输出之间的阻抗转换器线路组件，其中所述阻抗转换器线路组件包括：耦合到所述模块基板的阻抗转换器线路，其中所述阻抗转换器线路具有近端和远端，所述第一表面安装装置的第一引线，所述第一引线具有电耦合到所述第一放大器管芯的输出的近端和耦合到所述阻抗转换器线路的所述近端的远端，以及所述第二表面安装装置的第二引线，所述第二引线具有电耦合到所述第二放大器管芯的输出的近端和耦合到所述阻抗转换器线路的所述远端的远端。2.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线选自方形扁平无引线(QFN)封装引线、鸥翼(gull wing)引线、接点栅格阵列(LGA)封装引线和球栅阵列(BGA)封装引线。3.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在于，所述第一引线的所述近端和所述远端之间的第一电长度在2度到16度的范围内，所述阻抗转换器线路的所述近端和所述远端之间的第二电长度在10度到80度的范围内，所述第二引线的所述近端和所述远端之间的第三电长度在2度到16度的范围内，并且所述第一放大器管芯和所述第二放大器管芯的所述输出之间的总电长度包括所述第一电长度、所述第二电长度和所述第三电长度，并且所述总电长度在所述多赫蒂放大器的基本工作频率上是90度。4.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线的所述近端通过接合线电耦合到所述第一放大器管芯和所述第二放大器管芯的所述输出。5.根据权利要求1所述的多赫蒂放大器，其特征在于：所述第一引线是第一垂直导体，所述第一垂直导体在成角度偏离通过所述第一放大器管芯的主信号传导方向的方向上在所述第一引线的所述近端和所述远端之间传导第一电信号；并且所述第二引线是第二垂直导体，所述第二垂直导体在成角度偏离通过所述第二放大器管芯的主信号传导方向的方向上在所述第二引线的所述近端和所述远端之间传导第二电信号。6.一种多赫蒂放大器，其特征在于，包括：模块基板，所述模块基板具有顶基板表面；耦合到所述模块基板的阻抗转换...

【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：