发光元件制造技术

发光元件具备：第一电极；第二电极；量子点层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含量子点；以及空穴输送层，设置于所述量子点层与所述第一电极之间，且包含化合物ZnM2O4，构成元素M是金属元素。构成元素M是金属元素。构成元素M是金属元素。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件


[0001]本专利技术是关于包含量子点的发光元件。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种发光元件，其包含形成于阳极与量子点层之间的空穴输送层。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：特开2012
‑
23388号公报

技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0004]在上述的发光元件中，例如在将现有的无机材料使用于空穴输送层的情况下，难以提高空穴输送层中的空穴密度，有输送于量子点层的电子与空穴的平衡变差而降低发光效率的问题。本专利技术的一个方面的目的在于提供提高发光效率的发光元件。解决问题的手段
[0005]本专利技术的一实施方式的发光元件具备：第一电极；第二电极；量子点层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含量子点；以及空穴输送层，设置于所述量子点层与所述第一电极之间，且包含化合物ZnM2O4，构成元素M是金属元素。
附图说明
[0006]图1是实施方式一所涉及的发光设备的概略截面图。图2是示出实施例1
‑<br/>1所涉及的发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，其具备：第一电极；第二电极；量子点层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含量子点；以及空穴输送层，设置于所述量子点层与所述第一电极之间，且包含化合物ZnM2O4，构成元素M是金属元素。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述构成元素M是从第9族的金属元素中的CO、Rh、Ir选择的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述空穴输送层是所述构成元素M为互相不同的化合物ZnM2O4的两种以上的混合物或固溶物。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述空穴输送层是第一层叠体，所述第一层叠体是层叠包含所述化合物ZnM2O4的多个层，在所述第一层叠体中相邻的层所包含的所述化合物ZnM2O4的构成元素M是互相不同。5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，所述层叠体从所述量子点层至所述第一电极，各层的电子亲和力变大。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述空穴输送层的层厚是1nm以上且40nm以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件，其特征在于，还具备中间层，所述中间层设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田吉裕，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：