【技术实现步骤摘要】
微晶玻璃、化学强化微晶玻璃、其制备方法及电子设备
[0001]本申请涉及电子产品的玻璃物料制品附件
,特别涉及微晶玻璃、化学强化微晶玻璃、其制备方法及电子设备。
技术介绍
[0002]随着电子信息产业的迅速发展,手机、手环、平板电脑等电子产品日益成为日常生活的必需品。这些电子产品都具有包括了玻璃盖板的显示屏。传统玻璃脆性较大,并且表面容易产生微裂纹,使其实际的机械强度比理论的机械强度低2-3个数量级。即,玻璃的平均硬度、抗折强度、断裂韧性等性能均较低。因此,采用传统玻璃作为玻璃盖板的显示屏的抗划伤性能与抗跌落性能较差。
[0003]通过对传统玻璃进行热处理等手段,使得玻璃内均匀地析出大量微小晶体,形成致密的晶体相和玻璃相的多相复合体,从而得到微晶玻璃。借助晶体相材料本身的机械性能,可以提升玻璃的平均硬度、抗折强度、断裂韧性等机械性能,从而调整玻璃的抗划伤和抗跌落等性能。
[0004]由于微晶玻璃内的晶体相会对光产生光散射作用,一般微晶玻璃的平均可见光透过率较差,甚至是完全不透光,而电子设备采用的玻璃盖板要求平均可见光透过率必须在90%以上。因此,如何提升微晶玻璃的平均可见光透过率,这是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]基于上述技术问题,本专利技术的专利技术目的在于提供微晶玻璃、化学强化微晶玻璃、其制备方法及电子设备。
[0006]第一方面,本申请提供一种微晶玻璃,微晶玻璃为含有Na4Al4(SiO4)4晶体的钠铝硅酸盐玻璃,Na4Al4(SiO4) ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微晶玻璃,其特征在于,所述微晶玻璃含有Na4Al4(SiO4)4晶体,所述Na4Al4(SiO4)4晶体的粒径小于或等于80nm。2.根据权利要求1所述的微晶玻璃,其特征在于,以氧化物基准的摩尔百分比表示,所述微晶玻璃的原料包括:SiO
2 50%~65%、Al2O
3 10%~20%、Na2O 10%~25%、SnO
2 0.1%~1%、ZrO
2 0.5%~4%和Li2O 0.5%~5%。3.根据权利要求1或2所述的微晶玻璃,其特征在于,所述微晶玻璃的原料包括:SiO
2 52%~63%、Al2O
3 10%~16%、Na2O 12%~20%、SnO
2 0.1%~0.5%、ZrO
2 1%~4%和Li2O 1%~5%。4.根据权利要求2或3所述的微晶玻璃,其特征在于,所述原料还包括:P2O5、B2O3、MgO、ZnO、TiO2和K2O中一种或几种的组合。5.根据权利要求4所述的微晶玻璃,其特征在于,以氧化物基准的摩尔百分比表示,所述P2O5的摩尔百分比是0~8%,所述B2O3的摩尔百分比是0~8%,所述MgO的摩尔百分比是0~8%,所述ZnO的摩尔百分比是0~8%,所述TiO2的摩尔百分比是0~2%,所述K2O的摩尔百分比是0~5%。6.根据权利要求4所述的微晶玻璃,其特征在于,以氧化物基准的摩尔百分比表示,所述P2O5的摩尔百分比是1%~6%,所述B2O3的摩尔百分比是1%~6%,所述MgO的摩尔百分比是1%~5%,所述ZnO的摩尔百分比是1~5%,所述TiO2的摩尔百分比是0.5%~2%,所述K2O的摩尔百分比是1~5%。7.根据权利要求1~6任一项所述的微晶玻璃,其特征在于,所述Na4Al4(SiO4)4晶体的粒径是10nm~60nm。8.根据权利要求1~7任一项所述的微晶玻璃,其特征在于,所述微晶玻璃的平均可见光透过率达到90%以上。9.根据权利要求1~8任一项所述的微晶玻璃,其特征在于,所述微晶玻璃的雾度小于或等于0.2%。10.根据权利要求1~9任一项所述的微晶玻璃,其特征在于,所述微晶玻璃的雾度小于或等于0.15%。11.一种化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃包括:如权利要求1~10任一项所述的微晶玻璃和分布在所述微晶玻璃表面的Na3K(AlSiO4)4。12.根据权利要求11所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃的表面压应力达到550MPa以上。13.根据权利要求11或12所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃相对两侧分别自表面向内部依次为压应力层和与所述压应力层相对应的张应力层,所述张应力层的张应力线密度是22000Mpa/mm~50000Mpa/mm。14.根据权利要求11或12所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃相对两侧分别自表面向内部依次为压应力层和与所述压应力层相对应的张应力层,所述张应力层的张应力线密度是30000Mpa/mm~40000Mpa/mm。15.根据权利要求13或14所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述张应力线密度采用如下公式计算:CT-LD=[2
×
(CT-s-1.28CT-sd)+CT-cv]
×
(T
×
1000/2-DOL-0)/T;
其中,所述CT-LD为张应力线密度,所述CT-cv为所述张应力层的张应力最大值,单位为Mpa,所述DOL-0为压应力层深度,单位为μm,所述T为所述化学强化微晶玻璃的厚度,单位为mm,所述CT-s为所述张应力层1/2厚度处的张应力与所述化学强化微晶玻璃1/2厚度处的张应力的算术平均值;CT-sd为所述张应力层1/2厚度处的张应力与所述化学强化微晶玻璃1/2厚度处的张应力的标准差。16.根据权利要求11~15任一项所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃的四杆弯曲强度达到740MPa以上。17.根据权利要求11~16任一项所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃的维氏硬度达到610MPa以上。18.根据权利要求11~17任一项所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃的断裂韧性达到1.25MPa
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以上。19.根据权利要求11~18任一项所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃的杨氏模量达到80Gpa以上。20.根据权利要求11~19任一项所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃的平均可见光透过率达到90%以上。21.根据权利要求11~20任一项所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃的雾度小于或等于0.2%。22.根据权利要求11~21任一项所述的化学强化微晶玻璃,其特征在于,所述化学强化微晶玻璃的雾度小于或等于0.15%。23.一种微晶玻璃的制备方法,其特征在于,包括:将原料熔化、成型得到前体玻璃;对所述前体玻璃进行热处理得到微晶玻璃,其中,所述微晶玻璃含有Na4Al4(SiO4)4晶体,所述Na4Al4(S...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡伟,范少华,
申请(专利权)人:深圳市东丽华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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