压变电容器结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种压变电容器结构及其制造方法。该压变电容器结构包括基板。第一栅极结构及第二栅极结构设置在所述基板上。所述第一栅极结构及所述第二栅极结构的每一个含有基部与多个线部连接于所述基部。所述第一栅极结构及所述第二栅极结构的所述多个线部是交替配置。蜿蜒扩散区域形成在所述基板中，围绕所述多个线部。第一组接触插塞规划有至少两行或两列，设置在所述第一栅极结构及第二栅极结构的所述多个基部上。第二组接触插塞规划有至少两行或两列，设置在所述蜿蜒扩散区域上。第一导电层设置在所述第一组接触插塞的顶端。第二导电层设置在所述第二组接触插塞的顶端。导电层设置在所述第二组接触插塞的顶端。导电层设置在所述第二组接触插塞的顶端。

【技术实现步骤摘要】
压变电容器结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体制造技术，且特别是关于压变电容器结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]压变电容器(varactor)是一种可变电容器的元件，其例如可以应用在操作于厘米波长(mmWave)频带的电路中，其也例如可以应用在移动通讯的电路中。压变电容器可以由金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS) 的结构来制造。然而，压变电容器的品质会随着所操作的频率的增加而降低，其在高频操作范围例如大于5GHz时，一般的压变电容器的品质因子(Q
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factor)会大幅下降。
[0003]如何能在较高操作频率下，压变电容器还能维持较大的品质因子的技术是仍有待继续研发。

技术实现思路

[0004]本专利技术提出压变电容器结构及其制造方法，可以提升压变电容器的品质，如此在较高的操作频率下仍可以维持所需要的品质，提升电路的性能。
[0005]在一实施例，本专利技术提出一种压变电容器结构。压变电容器结构包括基板。第一栅极结构及第二栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压变电容器结构，其特征在于，包括:基板；第一栅极结构及第二栅极结构，设置在所述基板上，所述第一栅极结构及所述第二栅极结构的每一个含有基部与多个线部连接于所述基部，其中所述第一栅极结构及所述第二栅极结构的所述多个线部是交替配置；蜿蜒扩散区域，形成在所述基板中，围绕所述多个线部；第一组接触插塞，规划有至少两行或两列，设置在所述第一栅极结构及第二栅极结构的所述多个基部上；第二组接触插塞，规划有至少两行或两列，设置在所述蜿蜒扩散区域上；第一导电层，设置在所述第一组接触插塞的顶端；以及第二导电层，设置在所述第二组接触插塞的顶端。2.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，所述多个线部的每一个是单线结构。3.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，所述多个线部的每一个在相对于所述基部的一端具有分支结构。4.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，所述第一栅极结构的所述基部以及所述第二栅极结构的所述基部是设置在所述蜿蜒扩散区域的两边。5.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，在所述蜿蜒扩散区域上的所述第二组接触插塞包括至少第一群组沿着所述蜿蜒扩散区域的第一蜿蜒线分布，以及第二群组沿着所述蜿蜒扩散区域的第二蜿蜒线分布，所述第一蜿蜒线平行于第二蜿蜒线。6.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，在每一个所述基部上的所述第一组接触插塞包括至少第一群组沿着每一个所述基部的第一延伸线分布，以及第二群组沿着每一个所述基部的第二延伸线分布，所述第一延伸线平行于第二延伸线。7.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，还包括保护圈在所述基板中，围绕所述第一栅极结构、所述第二栅极结构及所述蜿蜒扩散区域。8.根据权利要求1所述的压变电容器结构，其特征在于，还包掺杂阱区在所述基板中，且在所述蜿蜒扩散区域、所述第一栅极结构及所述第二栅极结构下方。9.一种压变电容器结构，其特征在于，包括:基板；第一封闭栅极结构及第二封闭栅极结构，设置在所述基板上，所述第一封闭栅极结构及所述第二封闭栅极结构的每一个包含:基部；及多个封圈，分别连接到所述基部，其中所述第一封闭栅极结构及所述第二封闭栅极结构是交替配置；扩散区域，形成在所述基板中，围绕所述多个封圈；第一组接触插塞，规划有至少两行或两列，设置在每一个所述基部上；第二组接触插塞，规划有至少两行或两列，设置在所述扩散区域上；第一导电层，设置在所述第一组接触插塞的顶端；以及第二导电层，设置在所述第二组接触插塞的顶端。...

【专利技术属性】
技术研发人员：马瑞吉，邢溯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：