半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；在所述鳍部的顶面和侧壁、以及所述衬底表面形成牺牲层；对所述牺牲层进行氧化处理，使所述牺牲层转化成氧化层。本发明专利技术实施例通过形成所述牺牲层，因此在形成所述氧化层的步骤中，对所述牺牲层进行氧化处理，消耗所述牺牲层的材料形成所述氧化层，从而有利于防止对所述鳍部产生消耗、减小所述鳍部的损失，进而有利于对鳍部的尺寸进行精确控制，使鳍部的尺寸满足工艺要求。使鳍部的尺寸满足工艺要求。使鳍部的尺寸满足工艺要求。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(Pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(Subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(SCE：short-channel effects)更容易发生。
[0003]因此，为了减小短沟道效应的影响，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；在所述鳍部的顶面和侧壁、以及所述衬底表面形成牺牲层；对所述牺牲层进行氧化处理，使所述牺牲层转化成氧化层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底后，在形成所述牺牲层之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述鳍部的顶面和侧壁、以及所述衬底表面形成缓冲层；形成所述牺牲层的步骤中，所述牺牲层形成在所述缓冲层上；形成所述氧化层后，所述氧化层和所述缓冲层用于构成栅氧化层。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺，在所述鳍部的顶面和侧壁、以及所述衬底表面形成缓冲层。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述鳍部的顶面和侧壁、以及所述衬底表面形成缓冲层。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为0～200W。6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述缓冲层的步骤中，所述缓冲层的厚度为7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述缓冲层的步骤中，所述缓冲层的材料包括氧化硅。8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层与所述缓冲层的材料相同。9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述缓冲层后，形成所述牺牲层之前，所述半导体结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：成国良，张文广，郑春生，张华，甘露，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：