【技术实现步骤摘要】
一种电源电路及其控制方法
[0001]本专利技术属于电力电子
，更具体的说，尤其涉及一种电源电路及其控制方法。
技术介绍
[0002]在现有的交流输入整流模式可切换的电源电路中，一般采用桥式整流电路、切换开关、和两个串联的电解电容来实现如下整流模式切换功能，如图1所示：在电源电路处于倍压整流模式时，整流后的输出电压最大值约为是电网峰值电压的两倍；如在电路处于桥式整流模式时，整流后的输出电压最大值约为电网峰值电压，如其中，Uac为交流输入线AC
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L与AC
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N之间的电压有效值；Udc为整流后直流电压正极VDC与整流后直流电源的负极PGND之间的电压最大值。图1中，AC
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L为交流市电电压火线；AC
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N为交流市电电压零线；VDC为整流后直流电压正极；PGND为整流后直流电压的负极；D1、D2、D3、D4均为二极管；S1为手动开关；C1、C2均为电容器。
[0003]该电源电路中通过正确地手动切换两种整流方式，可以在输入不同的电网电压时，使两...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电源电路，其特征在于，包括：桥式整流单元、可控半导体开关电路、输入电压均值采样比较电路、输入电压变化率采样比较电路和控制单元；其中：所述桥式整流单元的直流侧正负极之间设置有两个串联连接的输出电容；所述可控半导体开关电路的第一端与所述桥式整流单元的交流侧零线或火线相连，第二端与两个所述输出电容之间的连接点相连，其控制端连接所述控制单元的输出端；所述输入电压均值采样比较电路，用于采集所述电源电路的输入电压均值，并与预设均值进行比较，输出均值比较结果；所述输入电压变化率采样比较电路，用于采集所述电源电路的输入电压变化率，并与预设变化率进行比较，输出变化率比较结果；所述控制单元，用于根据所述均值比较结果和所述变化率比较结果，控制所述可控半导体开关电路的通断状态，在所述输入电压均值低于所述预设均值且所述输入电压变化率低于所述预设变化率时，以使所述电源电路等效变换为倍压整流电路，而在所述输入电压均值高于所述预设均值或所述输入电压变化率高于所述预设变换率时，以使所述电源电路等效变换为桥式整流电路。2.根据权利要求1所述的电源电路，其特征在于，所述可控半导体开关电路包括：可双向通断的可控半导体开关电路。3.根据权利要求2所述的电源电路，其特征在于，所述可控半导体开关电路，包括：第一开关管、第二开关管、第五二极管和第六二极管，其中：所述第一开关管和所述第二开关管均为：绝缘栅双极型晶体管IGBT或晶体三极管BJT；所述第一开关管的基极与所述第二开关管的基极相连，连接点作为所述可控半导体开关电路的控制端、连接所述控制单元的输出端；所述第一开关管的发射极与所述第二开关管的发射极相连，连接点作为所述可控半导体开关电路的接地端；所述第一开关管的集电极连接所述火线或所述零线；所述第二开关管的集电极连接所述两个输出电容之间的连接点；所述第五二极管的阳极与所述第一开关管的发射极相连，所述第五二极管的阴极与所述第一开关管的集电极相连；所述第六二极管的阳极与所述第二开关管的发射极相连，所述第六二极管的阴极与所述第二开关管的集电极相连。4.根据权利要求2所述的电源电路，其特征在于，所述可控半导体开关电路包括：第一开关管、第五二极管、第六二极管、第七二极管和第八二极管，其中：所述第一开关管为：金属氧化物场效应晶体管MOSFET、氮化镓场效应晶体管GaN
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FET、碳化硅场效应晶体管SIC
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MOSFET、IGBT和BJT中的至少一种；所述第五二极管的阴极与所述第六二极管的阴极相连，连接点与所述第一开关管的第一端相连；所述第七二极管的阳极与所述第八二极管的阳极相连，连接点与所述第一开关管的第二端相连；所述第五二极管的阳极和所述第七二极管的阴极相连，连接点连接所述火线或所述零线，所述第六二极管的阳极和所述第八二极管的阴极相连，连接点连接所述两个输出电容
之间的连接点；所述第一开关管的控制端作为所述可控半导体开关电路的控制端、连接所述控制单元的输出端；所述第一开关管的第二端还作为所述可控半导体开关电路的接地端。5.根据权利要求2所述的电源电路，其特征在于，所述可控半导体开关电路包括：第一开关管和第二开关管，其中：所述第一开关管和所述第二开关管均为：MOSFET、GaN
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FET或SIC
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MOSFET；所述第一开关管的栅极与所述第二开关管的栅极相连，连接点作为所述可控半导体开关电路的控制端、连接所述控制单元的输出端；所述第一开关管的源极与所述第二开关管的源极相连，连接点作为所述可控半导体开关...
【专利技术属性】
技术研发人员：王卫江，谢康，
申请(专利权)人：深圳市航嘉驰源电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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