一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法技术

本发明专利技术公开了一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，步骤依次为：测试化合物半导体器件的初始转移特性；逐次提高漏极电压，多次测试转移特性；绘制不同漏极电压条件下的转移特性曲线，并标注对应的阈值电压；判断阈值电压是否随漏极电压的升高而发生变化，若发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构存在缺陷，若未发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构完整。件栅结构完整。件栅结构完整。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法


[0001]本专利技术属于化合物半导体
，特别涉及了一种器件栅结构缺陷的直流筛选方法。

技术介绍

[0002]第三代宽禁带化合物半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、电子漂移速度快和抗辐射能力强等特点，GaN、GaAs、InP器件具有耐高温、耐高压、良好的高频大功率等特性。近年来，在5G基站通信、手机放大器等领域得到广泛应用。
[0003]化合物半导体器件在直流筛选过程中无异常，但在实际工作中却会突然失效的现象，大部分表现为突发性烧毁。这种失效是与缺陷正相关的，缺陷主要来源于晶圆加工工艺缺陷，而其中一种已知的缺陷为栅结构缺陷。造成这种缺陷的原因可能来源于偶发的灰尘、颗粒等落入栅金属区域，或者光刻过程引入的重复性栅图形异常，最终栅结构不完整，加电情况下的栅控能力异常。晶圆做直流筛选时，转移特性中的漏极电压Vd通常不会很高，这导致栅结构缺陷的芯片无法被剔除。

技术实现思路

[0004]为了解决上述
技术介绍
提到的技术问题，本专利技术提出了一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）测试化合物半导体器件的初始转移特性；（2）逐次提高漏极电压，多次测试转移特性；（3）绘制不同漏极电压条件下的转移特性曲线，并标注对应的阈值电压；（4）判断阈值电压是否随漏极电压的升高而发生变化，若发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构存在缺陷，若未发生变化，则判定化合物半导体器件栅结构完整。2.根据权利要求1所述化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，其特征在于，在步骤（1）中，设漏极电压Vd0在1~100V之间，栅极电压由(Vp
‑
10)V以设定步进扫描至(Vp+10)V，其中Vp表示阈值电压。3.根据权利要求2所述化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，其特征在于，在步骤（1）中，栅极电压设定的步进取值范围为(0.001*|V...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵国键，林罡，陈韬，陈正廉，俞勇，沈杰，陈堂胜，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：