透明导电电极制造技术

本发明专利技术提供了一种透明导电电极，包括基板、位于所述基板上的电极层，所述电极层包括：第一区域，具有若干互连的银纳米线；第二区域，具有若干被切断的银纳米线，被切断的银纳米线中相邻的两段银纳米线之间的间距不大于200nm。第二区域中，相邻的两段银纳米线之间的间距不大于200nm，银纳米线的蚀刻痕较浅，第一区域与第二区域的光学性质差异较小，且在外观上的视觉差异非常小，由其制备的显示屏外观基本一致。本一致。本一致。

【技术实现步骤摘要】
透明导电电极


[0001]本专利技术涉及透明导电电极制备领域，尤其涉及一种透明导电电极。

技术介绍

[0002]在触摸屏、光电、显示屏等领域，透明导电膜主要使用的是金属氧化物，如氧化铟锡(ITO)材料。然而ITO导电膜需要通过真空物理沉积及高温退火工艺制备，所以制备以聚合物薄膜为基底的导电膜时，存在方阻较高的缺点。此外由于ITO材料在弯曲和外力影响下容易破碎损坏，所以也较难应用于柔性的设备中。
[0003]目前一种可替代ITO薄膜作为透明导电电极材料的产品是银纳米线导电薄膜，银纳米线导电薄膜可以通过涂布的方式制备，从制备工艺上可以不使用昂贵的真空设备，所以在成本上相比较于ITO产品有优势。另外作为纳米材料的银纳米线能够被弯折，在柔性器件上的应用也占有优势。所以在市场前景上，银纳米线薄膜具有取代ITO薄膜作为主要透明导电薄膜产品的潜质。
[0004]然而，在实际的应用领域，需要对银纳米线导电膜进行图案化，目前的银纳米线薄膜存在蚀刻痕较深的缺点。蚀刻痕深的主要原因是银作为金属材料，存在着对光的散射及反射。当银纳米线薄膜被蚀刻后，蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明导电电极，包括基板、位于所述基板上的电极层，其特征在于，所述电极层包括：第一区域，具有若干互连的银纳米线；第二区域，具有若干被切断的银纳米线，被切断的银纳米线中相邻的两段银纳米线之间的间距不大于200nm。2.根据权利要求1所述的透明导电电极，其特征在于：被切断的银纳米线中相邻的两段银纳米线之间的间距不大于20nm。3.根据权利要求1所述的透明导电电极，其特征在于：所述第一区域单位面积内银纳米线的数量与所述第二区域单位面积内银纳米线的数量变化不大于10％；优选地，第一区域单位面积内银纳米线的数量与第二区域单位面积内银纳米线的数量变化不大于5％。4.根据权利要求1所述的透明导电电极，其特征在于：所述第一区域单位面积内银纳米线的长度与所述第二区域单位面积内银纳米线的长度变化不大于5％；优选地，第一区域单位面积内银纳米线的长度与第二区域单位面积内银纳米线的长度变化不大于1％。5.根据权利要求1所述的透明导电电极，其特征在于：所述第一区域单位面积内银纳米线的直径与所述第二区域单位面积内银纳米线的直径变化不大于5％；优选地，第一区域单位面积内银纳米线的直径与第二区域单位面积内银纳米线的直径变化不大于1％。6.根据权利要求1所述的透明导电电极，其特征在于：所述第一区域与所述第二区域的电学差值不小于10^3Ω/
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；优选地，所述第一区域与所述第二区域的电学差值不小于10^6Ω/
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，优选地所述第一区域与所述第二区域的电学差值不小于10^8Ω/
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。7.根据权利要求1所述的透明导电电极，其特征在于：所述第一区域与所述第二区...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟祥浩，顾杨，潘克菲，高绪彬，
申请(专利权)人：苏州诺菲纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：