组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器制造方法及图纸

一种组合物，其含有(1)成分和(2)成分。(1)成分：发光性半导体材料；(2)成分：具有氟烷基的化合物或离子(但是不包括具有1个氟烷基的硅化合物、具有氟烷基的醇和含氟烃)。具有氟烷基的醇和含氟烃)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器


[0001]本专利技术涉及组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器。

技术介绍

[0002]近年来，作为发光材料，对具有高量子产率的发光性半导体材料的关注日益增高。另一方面，发光材料需要稳定性，作为含有发光性半导体材料的组合物，报告了例如一种被3
‑
氨基丙基三乙氧基硅烷包覆的含有发光性半导体材料的组合物(非专利文献1)。【现有技术文献】【非专利文献】
[0003]非专利文献1：《先进材料》(Advanced Materials)2016,28,p.10088
‑
10094)

技术实现思路

【专利技术要解决的课题】
[0004]但是，上述非专利文献1中记载的含有发光性半导体材料的组合物未必具有充分的针对水蒸气的耐久性。
[0005]本专利技术是鉴于上述课题而完成的，课题在于提供针对水蒸气的耐久性高的含有发光性半导体材料的组合物、使用上述组合物的膜、使用上述膜的层叠结构体、具备上述层叠结构体的发光装置和显示器。【解决课题的手段】
[0006]为了解决上述课题，本专利技术的一个实施方式为包含(1)成分和(2)成分的组合物。(1)成分：发光性半导体材料(2)成分：具有氟烷基的化合物或离子(但是不包括具有1个氟烷基的硅化合物、具有氟烷基的醇和含氟烃)
[0007]本专利技术的一个实施方式中，(2)成分可以为以选自由具有氟烷基的铵离子、具有氟烷基的胺、具有氟烷基的伯～季铵阳离子、具有氟烷基的铵盐、具有氟烷基的羧酸、羧酸根离子、具有氟烷基的羧酸盐、式(X1)～(X6)各自表示的化合物和式(X2)～(X4)各自表示的化合物的盐组成的组中的至少一种化合物或离子作为形成材料的构成。
[0008]【化1】
[0009]【化2】
[0010]【化3】
[0011]【化4】
[0012]【化5】
[0013]【化6】(式(X1)中，R
18
为碳原子数1～20的氟烷基。R
19
～R
21
分别独立地表示碳原子数1～20的氟烷基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基或碳原子数6～30的芳基，它们可以具有取代基。M
‑
表示抗衡阴离子。式(X2)中，A1表示单键或氧原子。R
22
表示碳原子数1～20的氟烷基。式(X3)中，A2和A3分别独立地表示单键或氧原子。R
23
表示碳原子数1～20的氟烷
基。R
24
表示碳原子数1～20的氟烷基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、或碳原子数6～30的芳基，它们可以具有取代基。式(X4)中，A4表示单键或氧原子。R
25
表示碳原子数1～20的氟烷基。式(X5)中，A5～A7分别独立地表示单键或氧原子。R
26
表示碳原子数1～20的氟烷基。R
27
和R
28
分别独立地表示碳原子数1～20的氟烷基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数6～30的芳基、碳原子数2～20的烯基、或碳原子数2～20的炔基，它们可以具有取代基。式(X6)中，A8～A
10
分别独立地表示单键或氧原子。R
29
表示碳原子数1～20的氟烷基。R
30
和R
31
分别独立地表示碳原子数1～20的氟烷基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数6～30的芳基、碳原子数2～20的烯基、或碳原子数2～20的炔基，它们可以具有取代基。)
[0014]本专利技术的一个实施方式中，可以是(1)成分为以A、B和X为构成成分的钙钛矿化合物的构成。(A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，是1价阳离子。X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，是选自由卤素离子和硫氰酸根离子构成的组中的至少一种阴离子。B是在钙钛矿型晶体结构中位于将A配置在顶点的六面体和将X配置在顶点的八面体的中心的成分，是金属离子。)
[0015]本专利技术的一个实施方式中，可以作为进一步含有(5)成分的构成。(5)成分：选自由硅氮烷、硅氮烷改性体、下述式(C1)表示的化合物、下述式(C1)表示的化合物的改性体、下述式(C2)表示的化合物、下述式(C2)表示的化合物的改性体、下述式(A5
‑
51)表示的化合物、下述式(A5
‑
51)表示的化合物的改性体、下述式(A5
‑
52)表示的化合物、下述式(A5
‑
52)表示的化合物的改性体、硅酸钠和硅酸钠的改性体组成的组中的1种以上的化合物。
[0016]【化7】(式(C1)中，Y5表示单键、氧原子或硫原子。Y5为氧原子时，R
30
和R
31
分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基。Y5为单键或硫原子时，R
30
表示碳原子数1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基，R
31
表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基。式(C2)中，R
30
、R
31
和R
32
分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为3～30的环烷基或碳原子数为2～20的不饱和烃基。式(C1)和式(C2)中，R
30
、R
31
和R
32
表示的烷基、环烷基和不饱和烃基中所含的氢原子可以分别独立地被卤原子或氨基取代。a为1～3的整数。a为2或3时，存在多个的Y5可以相同，也可以
不同。a为2或3时，存在多个的R
30
可以相同，也可以不同。a为2或3时，存在多个的R
32
可以相同，也可以不同。a为1或2时，存在多个的R
31
可以相同，也可以不同。)
[0017]【化8】(式(A5
‑
51)和式(A5
‑
52)中，A
C
为2价烃基，Y
15
为氧原子或硫原子。R
122
和R
123
分别独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基或碳原子数3～30的环烷基，R
124
表示碳原子数1～20的烷基或碳原子数3～30的环烷基，R
125
和R
126
分别独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基或碳原子数3～30的环烷基。R
122
～R
126
表示的烷基和环烷基中所含的氢原子可以分别独立地被卤原子或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组合物，其含有(1)成分和(2)成分，(1)成分：发光性半导体材料；(2)成分：具有氟烷基的化合物或离子，其中不包括具有1个氟烷基的硅化合物、具有氟烷基的醇和含氟烃。2.根据权利要求1所述的组合物，其中，(2)成分以选自由具有氟烷基的铵离子、具有氟烷基的胺、、具有氟烷基的伯～季铵阳离子、具有氟烷基的铵盐、具有氟烷基的羧酸、羧酸根离子、具有氟烷基的羧酸盐、式(X1)～(X6)各自表示的化合物和式(X2)～(X4)各自表示的化合物的盐组成的组中的至少一种化合物或离子作为形成材料，
式(X1)中，R
18
为碳原子数1～20的氟烷基；R
19
～R
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分别独立地表示碳原子数1～20的氟烷基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基或碳原子数6～30的芳基，它们具有或不具有取代基；M
‑
表示抗衡阴离子；式(X2)中，A1表示单键或氧原子；R
22
表示碳原子数1～20的氟烷基；式(X3)中，A2和A3分别独立地表示单键或氧原子；R
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表示碳原子数1～20的氟烷基；R
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表示碳原子数1～20的氟烷基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基或碳原子数6～30的芳基，它们具有或不具有取代基；式(X4)中，A4表示单键或氧原子；R
25
表示碳原子数1～20的氟烷基；式(X5)中，A5～A7分别独立地表示单键或氧原子；R
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表示碳原子数1～20的氟烷基；R
27
和R
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分别独立地表示碳原子数1～20的氟烷基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数6～30的芳基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基，它们具有或不具有取代基；式(X6)中，A8～A
10
分别独立地表示单键或氧原子；R
29
表示碳原子数1～20的氟烷基；R
30
和R
31
分别独立地表示碳原子数1～20的氟烷基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数6～30的芳基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基，它们具有或不具有取代基。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，(1)成分为以A、B和X为构成成分的钙钛矿化合物，A是在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的六面体的各顶点的成分，是1价阳离子，X表示在钙钛矿型晶体结构中位于以B为中心的八面体的各顶点的成分，是选自由卤素离子和硫氰酸根离子构成的组中的至少一种阴离子，B是在钙钛矿型晶体结构中位于将A配置在顶点的六面体和将X配置在顶点的八面体的中心的成分，是金属离子。4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，所述组合物进一步地含有(5)成
分，(5)成分：选自由硅氮烷、硅氮烷改性体、下述式(C1)表示的化合物、下述式(C1)表示的化合物的改性体、下述式(C2)表示的化合物、下述式(C2)表示的化合物的改性体、下述式(A5

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤翔太，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：