【技术实现步骤摘要】
钻石NV色心磁场传感器探头器件及传感器
[0001]本专利技术涉及光纤传感
,特别是涉及一种钻石NV色心磁场传感器探头器件及传感器。
技术介绍
[0002]磁场测量在国民生产各个领域如汽车电子、电力电子系统、医疗影像装备和地质勘探等方面都有广泛的应用。随着科学技术的飞速发展,相关装备制造对磁场传感技术的精确度、磁场及空间分辨率的要求越来越高,并且对高集成度、小型化的磁场传感器有迫切的需求。
[0003]当前,磁场测量主要基于霍尔效应、磁阻效应、超导量子干涉等物理机制。霍尔效应磁场传感器已发展十分成熟,国内外都已经有批量供应产品化的霍尔效应磁场器件。然而受限于其原理,基于霍尔效应的磁场传感器无法突破10
‑6特斯拉(简称T)的灵敏度极限,同时无法在大磁场背景下进行大动态范围精确测量,限制了其在某些场景下的应用。磁阻式传感器基于磁场中的阻抗改变,转换为电流信号探测磁场,其优点在于带宽大,可达100MHz,但由于动态范围仅有几个mT,灵敏度最高达到10
‑9T,因此在大量程、高精度的探测中限制了使用范 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种钻石NV色心磁场传感器探头器件,其特征在于,所述探头器件包括:光纤耦合模块及多层叠探头芯片模块;所述光纤耦合模块由上至下依次包括光纤、变折射率透镜及第一高反膜;所述多层叠探头芯片模块由上至下依次包括上层垫片、带有NV色心的钻石、中间层垫片及底层垫片;所述上层垫片设有贯通所述上层垫片的第一开腔,所述中间层垫片设有贯通所述中间层垫片的第二开腔,所述底层垫片的上表面设有弧形微腔,且所述弧形微腔上镀有第二高反膜;所述带有NV色心的钻石横跨所述第一开腔且键合于所述上层垫片的下表面上,同时所述带有NV色心的钻石位于所述第二开腔内;所述中间层垫片分别与所述上层垫片及所述底层垫片键合;所述光纤耦合模块固定于所述上层垫片的所述第一开腔中,且所述弧形微腔、所述第二开腔及所述第一开腔与所述光纤共轴对准;所述第一高反膜与所述第二高反膜之间形成平
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凹腔的FP腔结构。2.根据权利要求1所述的钻石NV色心磁场传感器探头器件,其特征在于:所述中间层垫片的所述第二开腔表面镀有金属膜。3.根据权利要求1所述的钻石NV色心磁场传感器探头器件,其特征在于:所述第一高反膜为DBR高反膜,所述第二高反膜为DBR高反膜。4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:武震宇,陈浩,姜新泉,程建功,谢非,
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
类型:发明
国别省市:
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