一种无采样电阻的采样电路及驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种无采样电阻的采样电路，包括：待检测单元，待检测单元包括至少一个高边金属氧化物半导体场效应晶体管和至少一个低边金属氧化物半导体场效应晶体管，高边金属氧化物半导体场效应晶体管和低边金属氧化物半导体场效应晶体管电连接；温度采样单元，用于反馈温度；微控制单元，分别与高边金属氧化物半导体场效应晶体管和温度采样单元电连接，用于采集高边金属氧化物半导体场效应晶体管的电压值及温度采样单元的测量值，并根据电压值、测量值及高边金属氧化物半导体场效应晶体管的标准内阻计算得到待检测单元的采样电流值。采用该技术方案，大大降低了采样电路的成本。本实用新型专利技术还公开了一种包含该采样电路的驱动电路。路的驱动电路。路的驱动电路。

【技术实现步骤摘要】
一种无采样电阻的采样电路及驱动电路


[0001]本技术涉及电路领域，特别涉及一种无采样电阻的采样电路及驱动电路。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为常用的电路器件，在应用过程中往往需要采样电路进行电流采样，以检测其工作电流。目前，大多的采样电路是通过外接精密的采样电阻以完成电流采样。然而，精密的采样电阻存在成本高等缺点。因此，急需一种无需精密的采样电阻，也能完成电流精确采样的采样电路。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于解决现有技术中金属氧化物半导体场效应晶体管的采样电路存在的高成本的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术的实施方式公开了一种无采样电阻的采样电路，包括：待检测单元，待检测单元包括至少一个高边金属氧化物半导体场效应晶体管和至少一个低边金属氧化物半导体场效应晶体管，高边金属氧化物半导体场效应晶体管和低边金属氧化物半导体场效应晶体管电连接；温度采样单元，用于反馈高边金属氧化物半导体场效应晶体管的温度；微控制单元，分别与高边金属氧化物半导体场效应晶体管和温度采样单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无采样电阻的采样电路，其特征在于，包括：待检测单元，所述待检测单元包括至少一个高边金属氧化物半导体场效应晶体管和至少一个低边金属氧化物半导体场效应晶体管，所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管和所述低边金属氧化物半导体场效应晶体管电连接；温度采样单元，用于反馈所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管的温度；微控制单元，分别与所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管和所述温度采样单元电连接，用于采集所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管的电压值及所述温度采样单元的测量值，并根据所述电压值、所述测量值及所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管的标准内阻计算得到所述待检测单元的采样电流值。2.如权利要求1所述的无采样电阻的采样电路，其特征在于，所述温度采样单元包括热敏电阻。3.如权利要求2所述的无采样电阻的采样电路，其特征在于，所述微控制单元包括ADC模块和GDU模块，所述ADC模块和所述GDU模块电连接，所述测量值为所述热敏电阻的电阻值，所述GDU模块与所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极和源极电连接，所述ADC模块用于根据所述测量值得到所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管的温度，所述ADC模块还用于根据所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管的温度和所述标准内阻得到所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管的当前内阻，并根据所述电压值和所述当前内阻计算得到所述采样电流值。4.如权利要求3所述的无采样电阻的采样电路，其特征在于，所述GDU模块还与所述高边金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述低边金属氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文川，陈清松，李龙龙，熊贤超，
申请(专利权)人：纬湃汽车电子芜湖有限公司，
类型：新型
国别省市：