有源区结构制造技术

本公开提供一种有源区结构，该有源区结构包括设置于所述有源层上的有源区；其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、第一封闭边界和第二封闭边界；所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交；所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件单元，所述第二有源线包括若干间隔设置的第二器件单元，所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设置。这种结构可以均衡有源器件单元与其边界的应力，防止器件单元因为应力不均而损坏。为应力不均而损坏。为应力不均而损坏。

【技术实现步骤摘要】
有源区结构


[0001]本公开涉及半导体器件
，具体涉及一种有源区结构。

技术介绍

[0002]近年来对于电子产品的设计，一般会具有多功能且快速的处理能力。为了增加处理能力，例如是电脑系统或是多功能的电子产品，其都需要大容量的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)。而为了能提升记忆容量，存储器的存储单元的尺寸需要缩小，但是存储单元的尺寸大量缩小后会引发其他的问题，使得存储单元的操作不稳定或是损毁，尤其是有源器件单元与其边界的应力不均造成的器件损害。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本公开提供了一种有源区结构，解决了现有技术中有源器件单元与其边界的应力不均造成的器件损害。
[0004]本公开提供一种有源区结构，包括：
[0005]半导体衬底；
[0006]位于所述衬底上方的有源层；
[0007]设置于所述有源层上的有源区；
[0008]其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有源区结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述衬底上方的有源层；设置于所述有源层上的有源区；其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、围绕所有所述第一有源线和所述第二有源线的第一封闭边界，以及围绕于所述第一封闭边界外围的第二封闭边界；所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交，所述第二有源线不与所述第一封闭边界接触；所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件单元，所述第二有源线包括若干间隔设置的第二器件单元，所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设置。2.根据权利要求1所述的有源区结...

【专利技术属性】
技术研发人员：许耀光，童宇诚，朱贤士，周运帆，郭鹏，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：