一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法，该多功能存储器件包括：底电极，转变层和顶电极；转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。本申请的多功能存储器件，转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。且氧化铌是一种良好的相变材料，制备工艺简单；该材料价格较低，成本可控；本申请采用锂掺杂氧化铌作为转变层，由于锂金属易氧化且与氧空位相互作用，锂和氧空位一起形成的导电细丝更加稳定，故而使得基于该器件阻变过程中的最低限流低至500μA时实现稳定的双极性转变性能。同时基于该材料所得的器件还具有良好的忆阻特性，并且可以用来模拟神经突触；本申请的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，也可实现选通性能。也可实现选通性能。也可实现选通性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及信息存储
，尤其涉及一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着科技的不断进步与发展，大数据时代的来临，使人们对于数据存储的需求不断增大。在数据存储技术中，半导体存储器的发展至关重要，目前市场上的半导体存储器主要包括有动态随机存储器(DRAM)和Flash存储器。其中非挥发性的Flash存储设备已成为目前应用最为广泛的存储器产品之一。
[0003]但是Flash存储存在明显的不足，一方面它的擦写速度较慢，擦写寿命仅有105～106次，导致在信息的存储速度和擦写耐受性方面无法满足需求。另一方面，Flash持续微缩到20nm以下技术节点后面临一系列技术限制和理论极限，所以发展新的存储技术和新的存储器件或结构也是未来的必然趋势。为了取代Flash存储技术，新型的存储技术，如铁电存储器(FeRAM)、相变存储器(PCRAM)、磁阻存储器(MRAM)和阻变存储器(RRAM)等应运而生。RRAM是一种新型非易失性存储器，在外加电压的作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，其特征在于，包括：底电极；转变层，位于所述底电极一侧表面；顶电极，位于所述转变层远离所述底电极一侧表面；其中，所述转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。2.如权利要求1所述的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，其特征在于，所述底电极的材料为Ti、Pt、W或TiN中的一种；所述顶电极的材料为Pt或Ti中的一种。3.如权利要求1所述的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，其特征在于，所述底电极的厚度为50～300nm，所述转变层的厚度为10～40nm，所述顶电极的厚度为50～300nm。4.一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供底电极；在所述底电极表面制备转变层；在所述转变层远离所述底电极一侧的表面制备顶电极；其中，所述转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：马国坤，夏雅馨，桃李，饶毅恒，段金霞，董文静，万厚钊，王浩，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：