【技术实现步骤摘要】
一种挖孔屏显示装置及其制备方法
[0001]本专利技术涉及AMOLED显示屏制造领域，特别涉及一种挖孔屏显示装置及其制备方法。
技术介绍
[0002]近年来AMOLED(Active
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Matrix Organic Light
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Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)显示屏因其自发光、高对比度、广视角、可制作超薄以及可挠曲显示屏等优点，不仅在手机屏幕应用领域有深大的提升，同时在电视屏幕市场占比也有所提升。现阶段，主流手机屏幕追求几乎接近100％的超高屏占比，即全面屏手机，然而手机必不可少的需要前置摄像头，由于屏下摄像头技术尚未取得较大的突破，故而未被正式的推广和使用。因此，由挖孔屏技术结合可以制作超薄可挠曲屏幕的AMOLED显示屏技术是目前手机屏幕的主流技术方案。
[0003]挖孔屏技术是在屏幕摄像头位置挖出摄像头通道，供前置摄像头摄像使用，该位置不用于显示，故而挖孔直径要求减少对屏幕显示效果的影响；并且，AMLOED显示屏是通过有机材料进行自发光的显示方式，由于这...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种挖孔屏显示装置，其特征在于，包括封装薄膜；所述封装薄膜由底层基板、TFT电路膜层、OLED发光器件层、第一无机密封层、有机缓冲层和第二无机密封层依次叠加构成；所述封装薄膜上设置有用于放置前置摄像头的挖孔区且在所述挖孔区的四周围绕设置有薄膜防护墙；所述薄膜防护墙的顶部位于所述有机缓冲层内。2.根据权利要求1所述的一种挖孔屏显示装置，其特征在于，所述薄膜防护墙包括由内到外依次围绕所述挖孔区设置的内圈防护墙和外圈防护墙；所述内圈防护墙为负向光阻材料，所述内圈防护墙的高度高于所述第一无机密封层且顶部位于所述有机缓冲层内；所述外圈防护墙为聚氨酯阻光材料，所述外圈防护墙高于所述OLED发光器件层且顶部位于所述第一无机密封层的顶部下方。3.根据权利要求2所述的一种挖孔屏显示装置，其特征在于，所述内圈防护墙的外侧边距所述挖孔区的中心[4.0mm,4.5mm]，所述内圈防护墙的内侧边距所述挖孔区的中心[3.0mm,3.5mm]，所述内圈防护墙的宽度为[0.5mm,1.5mm]；所述外圈防护墙的外侧边距所述挖孔区的中心[4.8mm,5mm]，所述外圈防护墙的内侧边距所述挖孔区的中心[4.0mm,4.5mm]，所述外圈防护墙的宽度为[0.3mm,1.0mm]。4.根据权利要求2所述的一种挖孔屏显示装置，其特征在于，所述内圈防护墙和所述外圈防护墙为圆形防护墙、矩形防护墙、菱形防护墙、三角形防护墙、不规则防护墙或正多边形防护墙形状。5.根据权利要求1所述的一种挖孔屏显示装置，其特征在于，所述底层基板的厚度为[0.3mm,0.4mm]，所述底层基板为柔性塑料基板或硬性玻璃基板，所述柔性塑料基板为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯，所述硬性玻璃基板为二氧化硅玻璃材质；所述TFT电路膜层为铟镓锌氧化物或低温多晶硅材料，所述TFT电路膜层厚度为[4.0μm,4.2μm]；所述OLED发光器件层为有机发光材料和电极材料，所述OLED发光器件层厚度为[0.3μm,0.35μm]；所述第一无机密封层和所述第二无机密封层均为无机材料，所述无机材料为氧化硅或氮化硅，所述第一无机密封层厚度为[0.2μm,0.25μm]，所述第二无机密封层厚度为[0.25μm,0.3μm]；所述有机缓冲层为有机化合物，所述有机化合物为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氯乙烯或聚萘二甲酸乙二醇酯，所述有机缓冲层厚度为[0.18μm,0.2μm]。6.一种挖孔屏显示装置的制备方法，其特征在于，包括制备封装薄膜的步骤：S1、在底层基板上形成TFT电路膜层；S2、在所述TFT电路膜层上进行OLED发光器件的蒸镀形成OLED发光器件层；S3、在所述底层...
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