一种新型的高压启动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及开关直流电源技术领域，公开的一种新型的高压启动电路，包括耗尽型MOS管、增强型NMOS管和主控芯片PWM，耗尽型NMOS管M1的漏极D与电容C1一端、输入端VIN相连，源极S与电阻R5一端相连，栅极G与电阻R1和电阻R4一端相连；电阻R1另一端与增强型NMOS管的漏极D相连，增强型NMOS管栅极G与电阻R2和电阻R3相连；电阻R2另一端与主控芯片PWM输入端相连，电阻R4和电阻R5的另一端与主控芯片PWM输出端相连，主控芯片输出端通过稳压管D1和储能电容C2与公共地线端相连；本实用新型专利技术能够有效改善直流电源高压启动时间和减小系统功耗，其通用性强、集成度高、结构简单、可靠，设计合理。

【技术实现步骤摘要】
一种新型的高压启动电路
本技术涉及开关直流电源
，尤其是一种新型的高压启动电路。
技术介绍
在高压开关电源系统中，先经过高压启动电路给主控芯片供电，保证芯片正常工作，芯片正常工作之后由辅助绕组给芯片供电，便于降低系统功耗。传统的高压启动电路由限流电阻和储能电容组成，限流电阻需要考虑功耗，启动时间不便于控制，电路通用性低。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术的目的是仅需较少的外围器件，提供一种通用性强、集成度高、结构简单、便于控制的直流电源高压启动电路，并且能够有效地改善直流电源的启动时间和系统功耗。为实现上述专利技术目的，本技术采用了如下技术方案：一种新型的高压启动电路，包括耗尽型MOS管、增强型NMOS管、稳压管D1和主控芯片PWM，耗尽型NMOS管M1的漏极D与电容C1一端、输入端VIN相连，源极S与电阻R5一端相连，栅极G与电阻R1和电阻R4一端相连；电阻R1另一端与增强型NMOS管的漏极D相连，增强型NMOS管栅极G与电阻R2和电阻R3相连；电阻R2另一端与主控芯片PWM输入端相连，电阻R4和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型的高压启动电路，其特征是：包括耗尽型MOS管、增强型NMOS管、稳压管D1和主控芯片PWM，耗尽型NMOS管M1的漏极D与电容C1一端、输入端VIN相连，源极S与电阻R5一端相连，栅极G与电阻R1和电阻R4一端相连；电阻R1另一端与增强型NMOS管的漏极D相连，增强型NMOS管栅极G与电阻R2和电阻R3相连；电阻R2另一端与主控芯片PWM输入端相连，电阻R4和电阻R5的另一端与主控芯片PWM输出端、辅助绕组供电端口VAUX相连，主控芯片PWM输出端通过稳压管D1和储能电容C2与公共地线GND端相连；电容C1、电阻R3另一端及增强型NMOS管源极S端和主控芯片PWM的GND端与公共地...

【技术特征摘要】
1.一种新型的高压启动电路，其特征是：包括耗尽型MOS管、增强型NMOS管、稳压管D1和主控芯片PWM，耗尽型NMOS管M1的漏极D与电容C1一端、输入端VIN相连，源极S与电阻R5一端相连，栅极G与电阻R1和电阻R4一端相连；电阻R1另一端与增强型NMOS管的漏极D相连，增强型NMOS管栅极G与电阻R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜保林，
申请(专利权)人：洛阳隆盛科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：河南;41