电路结构体及电连接箱制造技术

技术编号:28687678 阅读:45 留言:0更新日期:2021-06-02 03:08
一种电路结构体,具备多个FET(13),FET(13)具有源极端子(132)及栅极端子(133),该电路结构体具备:连接有源极端子(132)及栅极端子(133)的基板部(31)及针对每个FET(13)而形成于基板部(31)并在厚度方向上贯通基板部(31)的贯通孔(16)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路结构体及电连接箱
本专利技术涉及具备多个半导体元件的电路结构体及电连接箱。本申请主张基于2018年10月16日提出申请的日本申请第2018-195245号的优先权,并引用上述日本申请中记载的全部记载内容。
技术介绍
以往,通常已知安装有构成用于使比较大的电流导通的电路的导电部件(也称为汇流条等)的电路结构体。另一方面,专利文献1公开了一种电子装置,其为了使从设置在机壳内的电气部件产生的热量迅速地排出到机壳的外部并将外部空气引入机壳内来对电气部件进行冷却,而在该机壳上形成有孔。现有技术文献专利文献1:日本特开2018-063982号公报
技术实现思路
本公开的一个方式涉及一种电路结构体,具备多个半导体元件,半导体元件具有第一端子及第二端子,上述电路结构体具备:连接有上述第一端子及上述第二端子的基板部及针对每个半导体元件而形成于上述基板部并在厚度方向上贯通上述基板部的贯通孔。本公开的一个方式涉及一种电连接箱,具备:上述电路结构体、覆盖上述多个半导体元件的散热凹陷部及介于各半导体元件与上述散热凹陷部之间的导热材料。附图说明图1是实施方式1涉及的电气装置的主视图。图2是实施方式1涉及的电气装置的分解图。图3是从下方观察实施方式1涉及的电气装置的电路结构体的概略图。图4是放大示出在图3中以虚线包围的部分的放大图。图5是基于图4中的V-V线的概略的纵剖视图。图6是基于图4中的VI-VI线的概略的纵剖视图。图7是示出在实施方式2涉及的电气装置中FET与凹陷部之间的关系的局部纵剖视图。具体实施方式[本公开要解决的问题]在上述这样的电路结构体中,由于较大的电流流过半导体元件这样的电子元件,不仅是电子元件,在导电部件中也产生大量的热量。这样产生的热量不仅会成为上述电子元件的错误动作的原因,而且周围的电子元件等也有可能随之遭受热量的恶劣影响。在专利文献1的电子装置中,为了应对这样的问题,在机壳上形成孔,但是,由于在机壳上形成有孔,灰尘、水等有可能从外部进入机壳内。在专利文献1的电子装置中,为了防止这种情况而另外设置有过滤器,其结果是,不仅使结构复杂,而且存在制造成本升高这样的问题。因此,本专利技术的目的在于提供一种能够通过简单的结构提高半导体元件所产生的热量的散热性的电路结构体及电连接箱。[本公开的效果]根据本公开的一个方式,能够通过简单的结构提高半导体元件所产生的热量的散热性。[本专利技术的实施方式的说明]首先,列举出本公开的实施方式来进行说明。另外,也可以任意地组合以下记载的实施方式中的至少一部分。(1)本公开的一个方式涉及一种电路结构体,具备多个半导体元件,半导体元件具有第一端子及第二端子,上述电路结构体具备:连接有上述第一端子及上述第二端子的基板部及针对每个半导体元件而形成于上述基板部并在厚度方向上贯通上述基板部的贯通孔。在本方式中,针对每个半导体元件,在基板部形成有在厚度方向上贯通该基板部的贯通孔。因此,在半导体元件产生热量的情况下,该热量能够经由该贯通孔而从基板部的一面侧移动到基板部的另一面侧,起到散热效果。(2)本公开的一个方式涉及的电路结构体中,在上述第二端子中流过比上述第一端子小的电流,上述电流结构体具备:与上述多个半导体元件的上述第一端子连接的导电板及与各半导体元件的上述第二端子连接且数量与上述多个半导体元件相同的通电部件,上述贯通孔形成在上述第二端子附近。在本方式中,在连接有流过比第一端子小的电流的第二端子的通电部件附近形成有贯通孔。通过在流过更小的电流的第二端子(通电部件)附近形成贯通孔,能够将由于该贯通孔而使电阻增加的情况防患于未然。(3)本公开的一个方式涉及的电路结构体中,上述导电板具有使上述通电部件的一个端部配置在内侧的凹部,在上述凹部的边缘与上述通电部件的一个端部之间形成有树脂部,上述贯通孔形成于上述树脂部。在本方式中,通电部件的一个端部隔着树脂部而配置在导电板的凹部的内侧,在该树脂部形成有贯通孔。这样,由于在树脂部形成有贯通孔,防止由于在通电部件或导电板形成贯通孔而引起电阻增加的情况,且易于形成贯通孔。(4)本公开的一个方式涉及一种电连接箱,具备:上述任一个电路结构体、覆盖上述多个半导体元件的散热凹陷部及介于各半导体元件与上述散热凹陷部之间的导热材料。在本方式中,在半导体元件与放电凹陷部之间夹设有导热材料。导热材料与半导体元件及散热凹陷部的内侧面相接,将从半导体元件散发的热量迅速地传递到散热凹陷部。因此,能够有效地对半导体元件所产生的热量进行散热。(5)本公开的一个方式涉及的电连接箱具备设置在上述散热凹陷部的外侧并从上述散热凹陷部取得热量而进行散热的散热翅片。在本方式中,在散热凹陷部的外侧设有散热翅片。因此,导热材料将从半导体元件散发的热量传递到散热凹陷部,传递到散热凹陷部的热量经由散热翅片进行风冷。因此,能够有效地对半导体元件所产生的热量进行散热。[本专利技术的实施方式的详细情况]针对本专利技术,基于示出其实施方式的附图来具体地进行说明。以下,参照附图来说明本公开的实施方式涉及的电路结构体及电连接箱。另外,本专利技术不限于这些示例,而由权利要求书示出,意在包含与权利要求书等同的意思及范围内的全部变更。(实施方式1)以下,举出具备实施方式1涉及的电路结构体的电气装置(电连接箱)为例来进行说明。图1是实施方式1涉及的电气装置1的主视图,图2是实施方式1涉及的电气装置1的分解图。电气装置1是配置在车辆具备的蓄电池等电源与由车灯、雨刷器等车载电装件或电动机等构成的负载之间的电力供给路径上的电连接箱。电气装置1被用作例如DC-DC转换器、逆变器等电子元件。在实施方式1中,为了便于说明,根据图1及图2所示的前后、左右、上下各方向来定义电气装置1的“前”、“后”、“左”、“右”、“上”、“下”。以下,利用如以上那样定义的前后、左右、上下各方向对电气装置1的结构进行说明。电气装置1具备:电路结构体10、具有电路图案的电路基板12及支撑电路结构体10的支撑部件20。电路结构体10具备构成电力电路的汇流条、电路基板及安装于汇流条的电子元件。电子元件根据电气装置1的用途而适当安装,包含FET(FieldEffectTransistor:场效应晶体管)等开关元件、电阻、线圈、电容器等。支撑部件20具备:基部21,具有在上表面支撑电路结构体10的支撑面211;散热部22,设于与支撑面211相反一侧的面(下表面212);及多个腿部23,隔着散热部22而设置在基部21的左右两端。支撑部件20所具备的基部21、散热部22及腿部23由例如使用了铝、铝合金等金属材料的压铸件一体成型。基部21是具有适当的厚度的矩形状的平板部件。电路结构体10通过粘接、螺纹紧固、钎焊等公知的方法而固定于基部21的支撑面211。散热部22本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路结构体,具备多个半导体元件,所述半导体元件具有第一端子及第二端子,/n所述电路结构体具备:/n连接有所述第一端子及所述第二端子的基板部;及/n针对每个半导体元件而形成于所述基板部并在厚度方向上贯通所述基板部的贯通孔。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181016 JP 2018-1952451.一种电路结构体,具备多个半导体元件,所述半导体元件具有第一端子及第二端子,
所述电路结构体具备:
连接有所述第一端子及所述第二端子的基板部;及
针对每个半导体元件而形成于所述基板部并在厚度方向上贯通所述基板部的贯通孔。


2.根据权利要求1所述的电路结构体,其中,
在所述第二端子中流过比所述第一端子小的电流,
所述电流结构体具备:
与所述多个半导体元件的所述第一端子连接的导电板;及
与各半导体元件的所述第二端子连接且数量与所述多个半导体元件相同的通电...

【专利技术属性】
技术研发人员:池田润佐佐木庆一爱知纯也
申请(专利权)人:住友电装株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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