抑制受激拉曼散射效应的光纤激光器及其制造方法技术

本申请抑制受激拉曼散射效应的光纤激光器包括半导体泵浦源、有源光纤，所述半导体泵浦源与所述有源光纤相连接，所述的光纤激光器还包括至少一对分别设置在所述有源光纤输入侧和输出侧的第一光栅，以及设置在所述有源光纤输出侧的至少一个倾斜光栅，所述第一光栅和所述倾斜光栅中的至少一个通过刻写方式设置在所述有源光纤上。所述抑制受激拉曼散射效应的光纤激光器方法，根据预设激光功率和照射时间调节激光源，在所述有源光纤待刻写光栅处刻写所述一对第一光栅、至少一个倾斜光栅中至少一个光栅。本申请基于有源光纤刻写不同功能的光纤光栅，不仅可以进一步减少激光器的熔接点，减少熔接损耗，使激光器更加紧凑，提高激光器效率，同时还可以抑制受激拉曼散射效应。

【技术实现步骤摘要】
抑制受激拉曼散射效应的光纤激光器及其制造方法
本申请涉及激光装置，尤其涉及一种抑制受激拉曼散射效应的光纤激光器及其制造方法。
技术介绍
光纤激光器相较于传统固体激光器具有光光转换效率高、光束质量好、结构紧凑、散热性能好等优点。随着光纤激光技术的发展以及配套光纤器件的成熟，光纤激光器的输出功率越来越高。高功率光纤激光器已被广泛地应用于金属切割、焊接、熔覆、国防、科研等领域。受激拉曼散射效应是目前限制光纤激光器功率进一步提升的主要因素之一。因此，在高功率光纤激光器领域，提升激光器的效率，抑制受激拉曼散射效应是目前研究的热点课题之一。在光纤激光器中，连续波受激拉曼散射的阈值可以通过以下公式进行计算：其中，Aeff为光纤的有效模场面积，gR(Ω)为光纤的拉曼增益系数，Leff为光纤的有效长度。从上述公式可以看出，提高光纤的有效模场面积Aeff或者减少光纤的有效长度Leff均可以有效的提高受激拉曼散射效应的阈值，从而达到抑制受激拉曼散射效应的目的。提高光纤的有效模场面积Aeff有两种常用的方法：一、直接增大光纤纤芯直径。但是，随着本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抑制受激拉曼散射效应的光纤激光器，其特征在于，包括：半导体泵浦源、有源光纤，所述半导体泵浦源与所述有源光纤相连接，所述的光纤激光器还包括至少一对分别设置在所述有源光纤输入侧和输出侧的第一光栅，以及设置在所述有源光纤输出侧的至少一个倾斜光栅，所述第一光栅和所述倾斜光栅中的至少一个通过刻写方式设置在所述有源光纤上。/n

【技术特征摘要】
1.一种抑制受激拉曼散射效应的光纤激光器，其特征在于，包括：半导体泵浦源、有源光纤，所述半导体泵浦源与所述有源光纤相连接，所述的光纤激光器还包括至少一对分别设置在所述有源光纤输入侧和输出侧的第一光栅，以及设置在所述有源光纤输出侧的至少一个倾斜光栅，所述第一光栅和所述倾斜光栅中的至少一个通过刻写方式设置在所述有源光纤上。


2.根据权利要求1所述的光纤激光器，其特征在于，所述至少一对第一光栅包括高反光栅和低反光栅，所述高反光栅和所述低反光栅组成光栅对作为谐振腔的输入和输出腔镜，所述高反光栅和/或所述低反光栅和/或所述倾斜光栅刻写在所述有源光纤上。


3.根据权利要求2所述的光纤激光器，其特征在于，所述高反光栅刻写在所述有源光纤输入侧，和/或所述低反光栅刻写在所述有源光纤输出侧。


4.根据权利要求3所述的光纤激光器，其特征在于，所述高反光栅刻写在所述有源光纤距输入端5～30cm处，和/或所述低反光栅刻写在所述有源光纤距输出端5～30cm处。


5.根据权利要求3所述的光纤激光器，其特征在于，所述高反光栅刻写在所述有源光纤距输入端5～30cm处，所述低反光栅刻写在所述有源光纤距输出端10～30cm处，所述倾斜光栅刻写在所述有源光纤距输出端5～20cm处。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋峰，郑志坚，张松林，
申请(专利权)人：苏州创鑫激光科技有限公司，深圳市创鑫激光股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32