防指纹膜、玻璃制品及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种防指纹膜、玻璃制品及其制备方法。防指纹膜，包括依次层叠设置的导电膜层、过渡层、二氧化硅层和防指纹膜层；所述导电膜层包括In、In的氧化物、Sn、Sn的氧化物中的一种或多种，所述过渡层包括Si

【技术实现步骤摘要】
防指纹膜、玻璃制品及其制备方法
本专利技术涉及玻璃制品领域，尤其涉及一种防指纹膜、玻璃制品及其制备方法。
技术介绍
为提高客户体验度，手机、平板等面板玻璃通常会施加一层抗指纹膜，提高玻璃面板的抗脏污和润滑特性，这一技术深受人们关注。在触控面板领域，施加在玻璃基材（特别是强化后玻璃基材）上的抗指纹膜耐摩擦性能不高导致其使用寿命不长，有待改善和提高。主要的问题点在于玻璃基材特别是强化后玻璃基材，基本不具备导电性，而在现实使用中因覆膜/撕膜、频繁操作摩擦等外界因素使抗指纹膜层表面聚集大量电荷，进而使得膜层与玻璃基材的结合强度减弱，在摩擦使用时造成膜层脱离基材，加速了膜层的失效。有鉴于此，特提出本申请。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种防指纹膜、玻璃制品及其制备方法，以解决上述问题。为实现以上目的，本专利技术特采用以下技术方案：一种防指纹膜，包括依次层叠设置的导电膜层、过渡层、二氧化硅层和防指纹膜层；所述导电膜层包括In、In的氧化物、Sn、Sn的氧化物中的一种或多种，所述过渡层包括Si3N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防指纹膜，其特征在于，包括依次层叠设置的导电膜层、过渡层、二氧化硅层和防指纹膜层；/n所述导电膜层包括In、In的氧化物、Sn、Sn的氧化物中的一种或多种，所述过渡层包括Si

【技术特征摘要】
1.一种防指纹膜，其特征在于，包括依次层叠设置的导电膜层、过渡层、二氧化硅层和防指纹膜层；
所述导电膜层包括In、In的氧化物、Sn、Sn的氧化物中的一种或多种，所述过渡层包括Si3N4、SiON和SiO2；所述过渡层包括依次层叠设置的Si3N4过渡层、SiON过渡层和SiO2过渡层，所述Si3N4过渡层邻接所述导电膜层，所述SiO2过渡层邻接所述二氧化硅层。


2.根据权利要求1所述的防指纹膜，其特征在于，所述过渡层的厚度为2-6nm。


3.根据权利要求1所述的防指纹膜，其特征在于，所述导电膜层为In、Sn及其氧化物的混合物。


4.根据权利要求1所述的防指纹膜，其特征在于，所述导电膜层的厚度为0.5-10nm；
优选地，所述导电膜层的厚度为2-8nm。


5.根据权利要求1-4任一项所述的防指纹膜，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为5-25nm。


6.根据权利要求5所述的防指纹膜，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为8-15nm。


7.一种玻璃制品，其特征在于，包括玻璃基材以及权利要求1-6任一项所述的防指纹膜；所述玻璃基材与所述导电膜层邻接。


8.一种权利要求7所述的玻璃制品的制备方法，其特征在于，包括：
在玻璃基材上使用磁控溅射的方法依次制备所述导电膜层、所述过渡层、所述二氧化硅层和所述防指纹膜层。


9.根据权利要求8所述的玻璃制品的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：周群飞，刘谋苗，
申请(专利权)人：蓝思科技长沙有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43