紧凑式IGBT功率单元制造技术

技术编号:28640947 阅读:35 留言:0更新日期:2021-05-28 16:48
一种紧凑式IGBT功率单元,包括母排、驱动板、散热器、若干绝缘栅双极型晶体管、若干电容及若干电阻,驱动板与母排平行间隔设置,若干绝缘栅双极型晶体管连接于母排的第一侧面与驱动板之间,散热器设置于驱动板远离绝缘栅双极型晶体管的一侧,母排的一端垂直连接有安装板,安装板上设有若干连接孔,若干电容位于安装板上远离母排的一侧,且电容的连接端子穿过连接孔并与安装板焊接,若干电阻焊接于安装板上远离电容的一侧。如此可有效减少电磁干扰、减少杂散电感、抑制关断过电压、散热效率较高、可靠性较高且体积较小。

【技术实现步骤摘要】
紧凑式IGBT功率单元
本技术涉及输配电
,特别是一种紧凑式IGBT功率单元。
技术介绍
目前基于晶闸管技术的SVC型动态无功补偿装置在输配电网电能质量控制领域得到广泛应用,改善电网功率因数,提高电力系统的可靠性。但该种方式也存在种种缺点:损耗大、占地面积大、响应时间慢,产生大量谐波等。而基于IGBT技术的静止型无功发生器(简称SVG)具备损耗小、占地面积小、响应时间快、能有效滤除谐波等优点。因此,开展基于IGBT的输配电网电能质量控制技术研究很有必要。IGBT功率单元的工作原理是驱动板接收控制系统的指令,开通或关断IGBT元件,实现整流功能给支撑电容充电,或逆变功能将电容直流电压逆变为交流电压。现有的IGBT功率单元中的元件布局存在如下问题:元件之间的电磁干扰较大、存在较多杂散电感、关断过电压较高、散热效率较低、可靠性较低,若采取分散式布局,虽然能提高散热效果,但占用空间较大。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供了一种减少电磁干扰、减少杂散电感、抑制关断过电压、散热效率较高、可靠性较高且体积较小的紧凑式IGBT功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紧凑式IGBT功率单元,其特征在于:包括母排(30)、驱动板(60)、散热器(50)、若干绝缘栅双极型晶体管(40)、若干电容(10)及若干电阻(20),驱动板(60)与母排(30)平行间隔设置,若干绝缘栅双极型晶体管(40)连接于母排(30)的第一侧面与驱动板(60)之间,散热器(50)设置于驱动板(60)远离绝缘栅双极型晶体管(40)的一侧,母排(30)的一端垂直连接有安装板,安装板上设有若干连接孔,若干电容(10)位于安装板上远离母排(30)的一侧,且电容(10)的连接端子穿过连接孔并与安装板焊接,若干电阻(20)焊接于安装板上远离电容(10)的一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种紧凑式IGBT功率单元,其特征在于:包括母排(30)、驱动板(60)、散热器(50)、若干绝缘栅双极型晶体管(40)、若干电容(10)及若干电阻(20),驱动板(60)与母排(30)平行间隔设置,若干绝缘栅双极型晶体管(40)连接于母排(30)的第一侧面与驱动板(60)之间,散热器(50)设置于驱动板(60)远离绝缘栅双极型晶体管(40)的一侧,母排(30)的一端垂直连接有安装板,安装板上设有若干连接孔,若干电容(10)位于安装板上远离母排(30)的一侧,且电容(10)的连接端子穿过连...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪得利
申请(专利权)人:嘉善华瑞赛晶电气设备科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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