传感器和显示设备制造技术

包括氧化物TFT的传感器的泄漏电流特性可以通过如下传感器得到改善，该传感器包括：多条电线，包含有行线和列线；像素中的光电二极管；第一晶体管的漏极，连接至像素中的光电二极管；第二晶体管的漏极，与像素中的第一晶体管的源极串联连接；第二晶体管的源极，连接至多条电线中的列线；以及第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极，二者连接至多条电线中的行线；其中，第一晶体管的沟道材料不同于第二晶体管的沟道材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】传感器和显示设备
技术介绍
1.
本专利技术涉及传感器和显示设备。2.相关技术例如，在专利文献1和2中示出了包括含有氧化物TFT的像素阵列的常规传感器。专利文献1：美国专利公开号2015-0055047专利文献2：中国技术专利公开号203481233然而，在向氧化物TFT施加应力后，阈值电压负向偏移并且泄漏电流增加，但是常规传感器不能抑制电压偏移和泄漏电流增加。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，一种传感器包括：多条电线，包含有行线和列线；像素中的光电二极管；第一晶体管的漏极，连接至像素中的光电二极管；第二晶体管的漏极，与像素中的第一晶体管的源极串联连接；第二晶体管的源极，连接至多条电线中的列线；以及第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极，二者连接至多条电线中的行线；其中，第一晶体管的沟道材料不同于第二晶体管的沟道材料。以这种方式，传感器可以有效地防止应力之后光电二极管的高泄漏电流。根据本专利技术的第二方面，一种传感器包括：多条电线，包含有行线、列线和复位线；像素中的光电二极管；读出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器，包括：/n多条电线，包含有行线和列线；/n像素中的光电二极管；/n第一晶体管的漏极，连接至所述像素中的所述光电二极管；/n第二晶体管的漏极，与所述像素中的所述第一晶体管的源极串联连接；/n所述第二晶体管的源极，连接至所述多条电线中的列线；以及/n所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极，二者连接至所述多条电线中的行线；/n其中，所述第一晶体管的沟道材料不同于所述第二晶体管的沟道材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种传感器，包括：
多条电线，包含有行线和列线；
像素中的光电二极管；
第一晶体管的漏极，连接至所述像素中的所述光电二极管；
第二晶体管的漏极，与所述像素中的所述第一晶体管的源极串联连接；
所述第二晶体管的源极，连接至所述多条电线中的列线；以及
所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极，二者连接至所述多条电线中的行线；
其中，所述第一晶体管的沟道材料不同于所述第二晶体管的沟道材料。


2.一种传感器，包括：
多条电线，包含有行线、列线和复位线；
像素中的光电二极管；
读出晶体管部，布置在所述光电二极管与所述多条电线中的列线之间，所述读出晶体管部的栅极连接至所述多条电线中的行线；
第一晶体管的漏极，连接至所述光电二极管；
第二晶体管的漏极，与所述像素中的所述第一晶体管的源极串联连接；以及
所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极，二者连接至所述复位线；
其中，所述第一晶体管的沟道材料不同于所述第二晶体管的沟道材料。


3.根据权利要求1或2所述的传感器，其中，
所述第一晶体管的所述沟道材料是氧化物，并且所述第二晶体管的所述沟道材料是非氧化物。


4.根据权利要求3所述的传感器，其中，
所述第一晶体管是氧化物薄膜晶体管TFT，并且所述第二晶体管是多晶硅TFT。


5.根据权利要求4所述的传感器，其中，
所述氧化物TFT布置在所述光电二极管的阴极与所述多晶硅TFT之间。


6.根据权利要求4或5所述的传感器，其中，
所述多晶硅TFT包括具有分离栅极的双栅结构。


7.根据权利要求4至6中任一项所述的传感器，其中，
所述氧化物TFT包括具有顶部栅极和底部栅极的连结两栅结构，所述顶部栅极和所述底部栅极连接至所述多条电线中的同一电线。

【专利技术属性】
技术研发人员：高取宪一，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44