用于清洁真空系统的方法、用于真空处理基板的方法、及用于真空处理基板的设备技术方案

描述了一种用于清洁真空腔室(特别是用于OLED装置的制造中的真空腔室)的方法。此方法包括利用活性物种清洁真空腔室的内侧及真空腔室的内侧的元件的至少一者，用于产生这些活性物种的处理气体包括至少90％的氧及至少2％的氩，特别是，其中处理气体包括约95％的氧及约5％的氩。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于清洁真空系统的方法、用于真空处理基板的方法、及用于真空处理基板的设备
本公开内容的实施方式有关于一种用于清洁真空系统的方法、一种用于真空处理基板的方法、及一种用于真空处理基板的设备。本公开内容的实施方式特别是有关于使用于有机发光二极管(OLED)装置的制造中的方法及设备。
技术介绍
用于在基板上的层沉积的技术举例为包括热蒸发、物理气相沉积(PVD)、及化学气相沉积(CVD)。已涂布的基板可使用于数种应用中及数种
中。举例来说，已涂布的基板可使用于有机发光二极管(OLED)装置的领域中。OLED可使用于电视屏幕、电脑屏幕、移动电话、其他手持装置、及用于显示信息的类似装置中。例如是OLED显示器的OLED装置可包括沉积于基板上的两个电极之间的有机材料的一层或多层。OLED装置可包括数个有机材料的堆叠，这些有机材料的堆叠例如在处理设备的真空腔室中蒸发。真空腔室的内侧的真空条件及真空腔室的内侧的污染物影响已沉积的材料层及使用这些材料层所制造的OLED装置的品质。举例来说，OLED装置寿命受到有机污染物的影响。污染物可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于清洁真空腔室的方法，特别是清洁在OLED装置的制造中使用的真空腔室的方法，包括：/n利用活性物种清洁所述真空腔室的表面及所述真空腔室的内侧的元件的至少一者，其中用于产生所述活性物种的处理气体包括至少90％的氧及至少2％的氩，特别是，所述处理气体包括括约95％的氧及约5％的氩。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于清洁真空腔室的方法，特别是清洁在OLED装置的制造中使用的真空腔室的方法，包括：
利用活性物种清洁所述真空腔室的表面及所述真空腔室的内侧的元件的至少一者，其中用于产生所述活性物种的处理气体包括至少90％的氧及至少2％的氩，特别是，所述处理气体包括括约95％的氧及约5％的氩。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述清洁在5*10-3mbar或以下的压力下执行，特别是在1*10-4mbar或以下的压力下执行。


3.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其中所述活性物种利用远程等离子体源产生。


4.根据权利要求3所述的方法，更包括：
在第一压力下点燃所述远程等离子体源；以及
将所述远程等离子体源中的压力减小至第二压力，所述第二压力小于所述第一压力至少一个数量级，特别是小于所述第一压力至少三个数量级。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述等离子体清洁包括所述真空腔室的一个或多个内壁的清洁。


6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其中所述方法在真空系统或所述真空系统的部分的维护程序之后被执行。


7.根据权利要求1-6任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曼纽尔·拉德克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US