高频性能良好的Type-C连接器母座制造技术

本发明专利技术涉及了高频性能良好的Type‑C连接器母座，包括外金属壳体、插座舌头。插座舌头内置、固定于外金属壳体内，且其包括有上端子分组、中间金属屏蔽片、下端子分组、二次Mo l i d i ng绝缘塑胶体、上抗电磁干扰件以及下抗电磁干扰件。在执行二次Mo l i d i ng注胶工序前，上抗电磁干扰件扣合于上端子分组的正上方，而下抗电磁干扰件扣合于下端子分组的正下方，且施加顶靠力至上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件上，使得上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件相对于中间金属屏蔽片保持于无间隙顶触状态直至二次Mo l i d i ng注胶工序完成，附带地在二次Mo l i d i ng绝缘塑胶体上形成有上置注塑工艺避让缺口、下置注塑工艺避让缺口。

【技术实现步骤摘要】
高频性能良好的Type-C连接器母座
本专利技术涉及电连接器制造
，尤其是高频性能良好的Type-C连接器母座。
技术介绍
市面上的与电子产品相适配的周边设备最为普遍且广为大众所接受的仍以通用序列汇流排(USB)作为主流，并辅以USB支援热插拔功能作到随插即用。为了面对其它高速传输介面的挑战，便推出USB3.1Type-C规格的连接器，其具有良好的电源充电及供电能力，并提供高达10GPS的频宽，使用上支持正反面可插，不再需要分辨正反面而更容易将接口插入，也可扩大适用于如平板电脑、智能手机等轻薄型的行动装置，因此格外受到市场期待。近些年来，出现了USB4.0Type-C规格的连接器，其可提供高达40GPS的频宽，且还可提供高达100W的电源功率。随着电子讯号传输速度的不断提升，其在实际传输进程中必须透过高速传输介面才可以满足大量的电子讯号传输速度。一般来说，上端子分组和下端子分组通常依照业界惯用的GND-Signal-Signal-GND方式进行分布，在特定速度时容易产生串音，进而影响信号传输的完整性以及阻抗不匹配会干扰讯号传输而同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高频性能良好的Type-C连接器母座，包括外金属壳体、插座舌头；所述插座舌头内置、固定于所述外金属壳体内，且其包括有上端子分组、中间金属屏蔽片、下端子分组以及二次Moliding绝缘塑胶体；所述上端子分组、所述下端子分组以及所述中间金属屏蔽片均嵌设于所述二次Moliding绝缘塑胶体内；所述中间金属屏蔽片位于所述上端子分组和所述下端子分组之间；所述上端子分组包括有上排信号端子单元、上接地端子以及上置一次Moliding绝缘塑胶体；所述上排信号端子单元和所述上接地端子均嵌设于所述上置一次Moliding绝缘塑胶体内；所述上接地端子的数量设置为2，对称地布置于所述上排信号端子单元的左、右侧，且...

【技术特征摘要】
1.高频性能良好的Type-C连接器母座，包括外金属壳体、插座舌头；所述插座舌头内置、固定于所述外金属壳体内，且其包括有上端子分组、中间金属屏蔽片、下端子分组以及二次Moliding绝缘塑胶体；所述上端子分组、所述下端子分组以及所述中间金属屏蔽片均嵌设于所述二次Moliding绝缘塑胶体内；所述中间金属屏蔽片位于所述上端子分组和所述下端子分组之间；所述上端子分组包括有上排信号端子单元、上接地端子以及上置一次Moliding绝缘塑胶体；所述上排信号端子单元和所述上接地端子均嵌设于所述上置一次Moliding绝缘塑胶体内；所述上接地端子的数量设置为2，对称地布置于所述上排信号端子单元的左、右侧，且与所述中间金属屏蔽片相顶触、导通；所述上排信号端子单元由多个沿着左右方向依序并排而置、且均与PCB板相导通的上排信号端子构成；所述下端子分组包括有下排信号端子单元、下接地端子以及下置一次Moliding绝缘塑胶体；所述下排信号端子单元和所述下接地端子均嵌设于所述下置一次Moliding绝缘塑胶体内；所述下接地端子的数量设置为2，对称地布置于所述下排信号端子单元的左、右侧，且与所述中间金属屏蔽片相顶触、导通；所述下排信号端子单元由多个沿着左右方向依序并排而置、且均与PCB板相导通的下排信号端子构成，其特征在于，所述插座舌头还包括有EMI组件；所述EMI组件亦嵌设于所述二次Moliding绝缘塑胶体内；所述EMI组件与所述中间金属屏蔽片相接触、导通，且环绕所述上端子分组以及所述下端子分组的外围进行布置；所述EMI组件包括有沿着上下方向相对而置的上抗电磁干扰件和下抗电磁干扰件；所述上抗电磁干扰件同时与所述中间金属屏蔽片、所述上接地端子以及所述外金属壳体进行导通；所述下抗电磁干扰件同时与所述中间金属屏蔽片、所述下接地端子以及所述外金属壳体进行导通；在执行二次Moliding注胶工序前，所述上抗电磁干扰件扣合于所述上端子分组的正上方，而所述下抗电磁干扰件扣合于所述下端子分组的正下方，且经由注塑模具中上置推顶柱、下置推顶柱以分别施加顶靠力至所述上抗电磁干扰件、所述下抗电磁干扰件上，使得所述上抗电磁干扰件、所述下抗电磁干扰件相对于所述中间金属屏蔽片保持于无间隙顶触状态直至二次Moliding注胶工序完成，附带地在所述二次Moliding绝缘塑胶体上形成有上置注塑工艺避让缺口、下置注塑工艺避让缺口。


2.根据权利要求1所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，所述上抗电磁干扰件包括有上抗电磁干扰件本体、上置延伸臂以及上置顶触臂；所述上置延伸臂的数量设置为2，对称地分布于所述上抗电磁干扰件本体的左、右侧，分别由所述上抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向下弯折而成；所述上置顶触臂的数量亦设置为2，分别由所述上置延伸臂的底壁继续向下延伸，且90°外折而成；相对应地，所述上置注塑工艺避让缺口的数量设置为2，且一一对应地与所述上置顶触臂相正对位；所述下抗电磁干扰件包括下抗电磁干扰件本体、下置延伸臂以及下置顶触臂；所述下置延伸臂的数量设置为2，对称地分布于所述下抗电磁干扰件本体的左、右侧，分别由所述下抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向上弯折而成；所述下置顶触臂的数量亦设置为2，由所述下置延伸臂的顶壁继续向上延伸，且90°外折而成；相对应地，所述下置注塑工艺避让缺口的数量设置为2，且一一对应地与所述下置顶触臂相正对位。


3.根据权利要求2所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，所述上抗电磁干扰件还包括有第一上置限位臂；所述第一上置限位臂的数量为2，对称地分布于所述上抗电磁干扰件本体的左、右侧，且与所述上置延伸臂相隔设定距离；所述第一上置限位臂由所述上抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向下弯折而成；相对应地，在所述上置一次Moliding绝缘塑胶体的顶壁上成型出有2个分别用来插入所述第一上...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊广才，邹松，
申请(专利权)人：苏州祥龙嘉业电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32