一种n路单片集总式功分器的拓扑结构及其设计方法技术

技术编号:28629551 阅读:36 留言:0更新日期:2021-05-28 16:26
本发明专利技术公开了一种n路单片集总式功分器的拓扑结构及其设计方法,该拓扑结构包括电感L

【技术实现步骤摘要】
一种n路单片集总式功分器的拓扑结构及其设计方法
本专利技术属于功分器
,具体涉及一种n路单片集总式功分器的拓扑结构及其设计方法。
技术介绍
功分器是射频微波领域一种常见的电路单元,其作用是将输入信号功率分解为N路功率相等或不相等的信号,反之则为功率合成器,功分器被广泛应用于无线通信、卫星通讯和相控阵天线中。常见的功分器有威尔金森功分器、定向耦合器、兰格耦合器和T型结等,这些功分器的实现方式往往是微带电路或波导单元。虽然以微带电路方式实现的威尔金森功分器具有体积小和易于加工的优点,但还是不适用于芯片上集成。随着人们对设备小型化的需求越来越大,实现低损耗的片上集成功分器意义重大,具有各种各样拓扑结构的集总式功分器也被人们所提出。芯片所使用的半导体工艺无源元件包括片上电阻R、片上电感L、片上电容C和传输线TL,通过这些元件的组合可以实现片上集总功分器,然而半导体工艺中的片上电感面积大,品质因数Q很低(约8到15左右),是无源电路版图面积和损耗的主要来源,相比之下,电容的版图面积和损耗就小得多。传统的片上集成威尔金森功分器是将90度微带线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n路单片集总式功分器的拓扑结构,其特征在于,包括电感L

【技术特征摘要】
1.一种n路单片集总式功分器的拓扑结构,其特征在于,包括电感L1和n个支路,所述n个支路包括电容C1至电容Cn、电阻R1至电阻Rn,其中,
所述电感L1的一端连接输入端口,所述电容C1至所述电容Cn的一端也均连接所述输入端口,所述电感L1的另一端接地,所述电容C1至所述电容Cn的另一端对应连接输出端口1至输出端口n,所述电阻R1至所述电阻Rn-1分别并接于相邻两个输出端口之间,所述电阻Rn的两端分别连接于所述输出端口1和所述输出端口n。


2.根据权利要求1所述的n路单片集总式功分器的拓扑结构,其特征在于,在n=2时,所述电感L1、所述电容C1至所述电容Cn以及所述电阻R1至所述电阻Rn的数量之和为4,在n≥3时,所述电感L1、所述电容C1至所述电容Cn以及所述电阻R1至所述电阻Rn的数量之和为2n+1。


3.一种n路单片集总式功分器的拓扑结构的设计方法,其特征在于,包括:
选择功分数n;
基于所述功分数n,按照权利要求1或2所述的拓扑结构建立n路单片集总式功分器电路;
设置所述n路单片集总式功分器电路的元件数值为可优化变量,并设置所述n路单片集总式功分器电路的优化目标;
基于所述优化目标确定各个元件的终值。


4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:马晓华周九鼎卢阳王语晨赵子越易楚朋刘文良
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:陕西;61

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